| 提高SiC MESFET功率增益的研究 |
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| 引用本文： | 娄辰,潘宏菽.提高SiC MESFET功率增益的研究[J].半导体技术,2010,35(4):333-336. |
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| 作者姓名： | 娄辰 潘宏菽 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 在高纯半绝缘衬底上采用国产的外延技术和自己开发的器件设计及工艺技术,研制出在S波段连续波输出功率大于10 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率不低于35%的性能样管,比研制初期的3～5 dB的功率增益得到了较大幅度的提高,初步显现了SiC器件在S波段连续波大功率、高增益方面的优势。采用亚微米光刻和低欧姆接触形成及减小附加寄生参量,使器件在更大功率输出的情况下,功率增益和功率附加效率得到了明显提升,证明采取的措施是有效的。
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| 关 键 词： | 碳化硅 微波 功率器件 金属-半导体场效应晶体管 半绝缘衬底 |
Research of Enhancing Power Gain of SiC MESFET |
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| Lou Chen,Pan Hongshu.Research of Enhancing Power Gain of SiC MESFET[J].Semiconductor Technology,2010,35(4):333-336. |
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| Authors: | Lou Chen Pan Hongshu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC microwave power device MESFET semi-insulating substrate |
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