首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

PIN二极管子电路模型与微波限幅研究
引用本文:盛定仪,谭吉春,杨雨川,杨耿.PIN二极管子电路模型与微波限幅研究[J].电子对抗,2007(4):28-32.
作者姓名:盛定仪  谭吉春  杨雨川  杨耿
作者单位:国防科技大学理学院,长沙410073
基金项目:武器装备预研基金项目(51421-KG0152)
摘    要:利用一种改进的PIN二极管子电路模型,通过Pspice软件瞬态仿真研究了PIN限幅器的平顶泄漏和高频限幅性能。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明新型二极管可以提高限幅器的性能。

关 键 词:PIN二极管  Pspice仿真  限幅器  平顶泄漏  碳化硅
修稿时间:2007-04-20

Study on PIN Diode Subcircuit Model and Microwave Limiting
Sheng Dingyi, Tan Jichun, Yang Yuchuan ,Yang Geng.Study on PIN Diode Subcircuit Model and Microwave Limiting[J].Electronic Warfare,2007(4):28-32.
Authors:Sheng Dingyi  Tan Jichun  Yang Yuchuan  Yang Geng
Affiliation:Science School of National University of Defense Technology, Changsha 410073, China
Abstract:
Keywords:PIN diode  Pspice simulation  limiter  flat leakage  SiC
本文献已被 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号