| HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性 |
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| 引用本文： | 巫艳,陈路,于梅芳,乔怡敏,吴俊,何力,胡晓宁,李言谨,张勤耀,丁瑞军.HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性[J].固体电子学研究与进展,2002,22(2):210-214. |
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| 作者姓名： | 巫艳 陈路 于梅芳 乔怡敏 吴俊 何力 胡晓宁 李言谨 张勤耀 丁瑞军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心及国家物理红外实验室,200083 |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程资助项目 (编号 :KGCXI-Y-0 5 ) |
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| 摘 要： | 报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 N型掺杂剂的可用性和有效性
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| 关 键 词： | 分子束外延 碲镉汞 铟掺杂 红外焦平面 |
| 文章编号： | 1000-3819(2002)02-210-05 |
| 修稿时间： | 2001年9月15日 |
Indium Doping in MBE Grown HgCdTe |
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| WU Yan,CHEN Lu,YU Meifang,QIAO Yimin,WU Jun,HE Li,HU Xiaoning,LI Yanjin,ZHANG Qinyao DING Ruijun.Indium Doping in MBE Grown HgCdTe[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2002,22(2):210-214. |
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| Authors: | WU Yan CHEN Lu YU Meifang QIAO Yimin WU Jun HE Li HU Xiaoning LI Yanjin ZHANG Qinyao DING Ruijun |
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| Abstract: | The results of indium doping in MBE grown HgCdTe are described. It was found that the indium electrical activation was close to be 100% in HgCdTe, the donor activation energy was at least small than 0.6 meV. It was confirmed that for infrared FPAs applications, a donor concentration of ～3×10 15 cm -3 should be necessarily controlled by intention. The diffusion behavior of indium was studied by thermal annealing, and a diffusion coefficient of ～10 -14 cm 2/sec at 400°C was obtained, which confirms the feasibility and validity of indium as an n type dopant in HgCdTe. |
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| Keywords: | MBE HgCdTe indium doping IR FPAs |
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