|
|||||
|
|
| 寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究 | |
| 引用本文： | 巴腾飞,李艳,梁美.寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究[J].电工技术学报,2016(13):64-73. |
| 作者姓名： | 巴腾飞 李艳 梁美 |
| 作者单位： | 北京交通大学电气工程学院 北京 100044 |
| 摘 要： | 为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。 |
| 关 键 词： | SiC MOSFET 寄生参数 开关模型 栅源极电压 |
The Effect of Parasitic Parameters on Gate-Source Voltage of SiC MOSFET |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | SiC MOSFET parasitic parameters switching model gate-source voltage |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |