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一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路
引用本文:黄勇胜,张建忠,王宁.一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路[J].电工技术学报,2022(12):3004-3015.
作者姓名:黄勇胜  张建忠  王宁
作者单位:东南大学电气工程学院
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(51991384);
摘    要:随着SiC MOSFET开关频率的不断增加,逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂直通短路,这限制了SiC MOSFET开关频率的进一步提高。该文提出一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路,通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路,能够在SiC MOSFET关断期间完成负压到零压的变化,同时不需要使用有源器件。当SiC MOSFET开通时,辅助电路让栅极电压从0.7V上升而非负压上升,相较于传统驱动电路,开关速度更快、开关损耗更低;而且同时具备抑制正向串扰和反向串扰的优点。该文分析电路的参数设置,并通过仿真和实验验证了该电路相对于传统驱动电路的优势。

关 键 词:串扰抑制  SiC  MOSFET  谐振辅助驱动电路  无源电路
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