| 改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型 |
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| 引用本文： | 李勇杰,陈伟伟,周郁明.改进型碳化硅MOSFETs Spice电路模型[J].电源学报,2016,14(4):28-31. |
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| 作者姓名： | 李勇杰 陈伟伟 周郁明 |
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| 作者单位： | 安徽工业大学电气与信息工程学院, 马鞍山 243002;安徽工业大学电气与信息工程学院, 马鞍山 243002;安徽工业大学电气与信息工程学院, 马鞍山 243002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（51177003）；安徽高校自然科学研究资助项目（KJ2016A805） |
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| 摘 要： | 在高温、高压和高频的电力电子应用中,碳化硅(SiC)MOSFETs展现出了巨大的潜力。为了在宽温度范围内更准确地反映SiC MOSFETs的转移特性,提出了一种简化的含温控电源的SiC MOSFETs的Spice电路模型。温控模型的引入补偿了器件在宽温度范围内阈值电压的变化率和跨导系数,在LTspice电路仿真软件中模拟了SiC MOSFETs在25℃和125℃下的转移特性。与现有的模型相比,仿真结果与实测数据的吻合度得到了进一步的提高。
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| 关 键 词： | SiC MOSFET Spice模型 温控模型 |
| 收稿时间： | 2015/11/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/7/11 0:00:00 |
Improved Spice Model for Silicon Carbide MOSFETs |
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| LI Yongjie,CHEN Weiwei and ZHOU Yuming.Improved Spice Model for Silicon Carbide MOSFETs[J].Journal of power supply,2016,14(4):28-31. |
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| Authors: | LI Yongjie CHEN Weiwei and ZHOU Yuming |
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| Affiliation: | School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan 243002, China;School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan 243002, China;School of Electrical and Information Engineering, Anhui University of Technology, Maanshan 243002, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC MOSFET Spice model temperture dependent source model |
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