| 基于半导体开关的高重频LTD |
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| 引用本文： | 江伟华.基于半导体开关的高重频LTD[J].高电压技术,2015,41(6). |
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| 作者姓名： | 江伟华 |
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| 作者单位： | 长冈技术科学大学,长冈市,新潟县940-2188,日本 |
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| 摘 要： | 脉冲功率的工业应用需要紧凑、灵活、稳定的脉冲功率源。高重频LTD是以此为目的发展的新技术,它所代表的脉冲叠加法与传统的脉冲压缩法存在很大的差异。本文介绍基于半导体开关的高重频LTD的基本方法和典型的实验结果。该LTD系统由30个模块构成,每个模块采用24个MOSFET作为开关。实验结果表明:该LTD系统可以产生最高29 k V的输出电压和240 A的输出电流;脉冲宽度在50~170 ns范围内任意可调;控制模块的开关顺序可以方便地组合出不同的波形。LTD的模块化趋势和它的输出波形可调性是其主要优势,而在能量效率上有待进一步改善。
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| 关 键 词： | 脉冲功率 电力电子 高电压 脉冲调制 气体放电 等离子体 |
High-frequency Repetitive LTD Based on Semiconductor Switches |
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| JIANG Weihua.High-frequency Repetitive LTD Based on Semiconductor Switches[J].High Voltage Engineering,2015,41(6). |
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| Authors: | JIANG Weihua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed power power electronics high voltage power modulation gas discharge plasma |
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