|
|||||
|
|
| LPCVD制备Si3N4薄膜工艺研究 | |
| 引用本文： | 潘伟.LPCVD制备Si3N4薄膜工艺研究[J].电子制作．电脑维护与应用,2013(2):195. |
| 作者姓名： | 潘伟 |
| 作者单位： | 江阴新顺微电子有限公司 214431 |
| 摘 要： | 本文简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法,详细介绍了低压化学气相淀积(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)LPCVD制备氮化硅的工艺.并对工艺的结果进行了适当的分析,为LPCVD制备高质量的Si3N4薄膜奠定了基础. |
| 关 键 词： | LPCVD Si3N4薄膜 工艺 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |