| 用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 黄锐,林璇英,余云鹏,林揆训.用PECVD技术低温低氢稀释快速生长纳米晶硅薄膜的研究[J].功能材料,2009,40(3). |
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| 作者姓名： | 黄锐 林璇英 余云鹏 林揆训 |
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| 作者单位： | 黄锐,HUANG Rui(韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041);林璇英,LIN Xuan-ying(韩山师范学院,物理系,广东,潮州,521041;汕头大学,物理系,广东,汕头,515063);余云鹏,林揆训,YU Yun-peng,LIN Kui-xun(汕头大学,物理系,广东,汕头,515063)
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划) |
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| 摘 要： | 以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在300℃的低温下,研究不同的氢流量对纳米晶硅薄膜生长特性的影响.实验发现,氢对薄膜生长特性的影响有异于SiH4/H2,在一定功率下,薄膜的晶化率随氢流量的减小而增加;而薄膜的生长速率也强烈依赖于氢流量,随氢流量的减小而增大,与氢流量对薄膜晶化度的变化关系一致.通过调控氢流量,在低氢流量条件下获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高达76%的晶化硅薄膜.
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| 关 键 词： | 纳米晶硅薄膜 生长速率 晶化度 |
Fast growth of nanocrystalline silicon film prepared with low hydrogen flow rate by using PECVD at low-temperature |
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| HUANG Rui,LIN Xuan-ying,YU Yun-peng,LIN Kui-xun.Fast growth of nanocrystalline silicon film prepared with low hydrogen flow rate by using PECVD at low-temperature[J].Journal of Functional Materials,2009,40(3). |
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| Authors: | HUANG Rui LIN Xuan-ying YU Yun-peng LIN Kui-xun |
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| Affiliation: | 1.Dep.of Physics and Electrical Engineering;Hanshan Normal University;Chaozhou 521041;China;2.Department of Physics;Shantou University;Shantou 515063;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiCl4 |
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