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直流热阴极CVD法中硼酸三甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响
引用本文:祁文涛,彭鸿雁,陈玉强,姜宏伟,王明磊,尹龙承.直流热阴极CVD法中硼酸三甲酯流量对掺硼金刚石膜制备的影响[J].材料导报,2010,24(Z2).
作者姓名:祁文涛  彭鸿雁  陈玉强  姜宏伟  王明磊  尹龙承
基金项目:城市水资源与水环境国家重点实验室开放基金资助课题,黑龙江省科技攻关项目,牡丹江市科技攻关项目,黑龙江省自然科学基金,黑龙江省教育厅项目
摘    要:采用直流热阴极CVD方法,以液态硼酸三甲酯为硼源,在P型(100)硅基片上制备了掺硼金刚石(BDD)膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪(XRD)等方法对样品进行了表征,研究了其生长特性,并利用电榆运特性测试系统对其电阻率进行了测试.结果表明,随着硼酸三甲酯流量的增加,晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰;掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势;电阻率呈先下降后达到平稳的趋势,最终达到约8.0×10-3Ω·cm.硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构.

关 键 词:掺硼金刚石膜  CVD  直流热阴极

Deposition of Boron Doped Diamond Films Using DC Hot Cathode CVD
QI Wentao,PENG Hongyan,CHEN Yuqiang,JIANG Hongwei,WANG Minglei,YIN Longcheng.Deposition of Boron Doped Diamond Films Using DC Hot Cathode CVD[J].Materials Review,2010,24(Z2).
Authors:QI Wentao  PENG Hongyan  CHEN Yuqiang  JIANG Hongwei  WANG Minglei  YIN Longcheng
Abstract:
Keywords:
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