| 弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为 |
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| 引用本文： | 胡岳华,何捍卫,黄可龙.弱碱性抛光液中铜化学机械抛光的电化学行为[J].中国有色金属学报,2001,11(6):1140-1143. |
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| 作者姓名： | 胡岳华 何捍卫 黄可龙 |
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| 作者单位： | 1. 中南大学矿物工程系,
2. 中南大学化学化工学院, |
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| 基金项目： | 国家杰出青年科学基金资助项目(5992512);湖南省优秀中青年科技基金资助项目(98JZY2167) |
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| 摘 要： | 在弱碱性介质里以铁氰化钾为钝化剂，对铜化学机械抛光技术（CMP）过程中的电化学行为进行了在线测试，考察了铜在无铁氰化钾存在下的极化行为及铁氰化钾浓度对腐蚀电位的影响，研究了在不同压力下铜抛光前后的腐蚀电位（φE）和腐蚀电流密度（JC）的变化规律，比较了抛光前及抛光过程中铜极化曲线的变化。定性地通过成膜的快慢及抛光过程中腐蚀电流密度的大小来说明抛光速率的高低，证明了以弱碱性溶液为介质，铁氰化钾为成膜剂，纳米γ-Al2O3为磨粒的CMP配方的可行性。
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| 关 键 词： | 铜 化学机械抛光 电化学行为 弱碱性抛光液 |
| 文章编号： | 1004-0609(2001)06-1140-04 |
| 修稿时间： | 2001年4月26日 |
Electrochemical behavior of copper in weak alkaline slurry during CMP |
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| HU Yue hua ,HE Han wei ,HUANG Ke long.Electrochemical behavior of copper in weak alkaline slurry during CMP[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2001,11(6):1140-1143. |
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| Authors: | HU Yue hua HE Han wei HUANG Ke long |
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| Affiliation: | HU Yue hua 1,HE Han wei 2,HUANG Ke long 2 |
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| Keywords: | copper chemical mechanical polishing(CMP) electrochemistry behaviour |
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