一种新型的MOS栅控晶体管——MOSGCT

提出了一种新型的ＭＯＳ栅控晶体管——ＭＯＳＧＣＴ。该结构在ＤＭＯＳ的一侧引入一个ＮＰＮ晶体管,使之在正向时具有ＤＭＯＳ与ＮＰＮ双极晶体管的混合特性,在关断时具有与ＤＭＯＳ相似的快速关断性。对耐压６００Ｖ的ＭＯＳＧＣＴ进行二维数值分析,其结果表明ＭＯＳ－ＧＣＴ的电流密度比ＤＭＯＳ提高４５％,且关断时间小于１００ｎｓ     

一种新型的快速关断绝缘栅双极晶体管

本文提出了一种新型的快速关断绝缘栅双极晶体管。在关断的时候,器件用一个自己驱动的P型晶体管来短路发射极PN结。在没有引入如折返电流电压曲线等副作用和工艺困难的情况下,器件实现了低导通压降和快速关断。数值仿真表明关断时间从120ns降到12纳秒,同时并没有增加导通压降。     

采用钼栅的功率MOS场效应晶体管

日立制作所研制的钼栅功率MOS场效应晶体管,不久将有样品出来。这种器件功耗在100瓦漏源耐压为160伏和200伏两种,用TO-3型管壳封装。与该公司的MOSFET功率管的老产品相比,这种器件的棚电阻要低一个数量级,因此其频率特性得以提高。与多晶钼栅相比,钼栅BT试验引起的栅阈值电压的初期值的变化比较大。     

一种新型的开关共点耦合神经MOS晶体管

神经 MOS晶体管 (简称 Neu MOS)是一种多输入多阈值的高功能度新型 MOS器件。作者在其改进结构钟控神经 MOS晶体管的启发之下 ,提出了一种新型的开关共点耦合神经 MOS晶体管结构。在这种新的结构中 ,控制信号通道经传输门在一点接入浮栅。理论分析和采用自建的 PSPICE子电路模型进行的模拟分析表明 ,通过传输门接入浮栅的多种控制电平的不同组合可以对器件的阈值进行有效地控制。由于新结构可以消除热载流子注入对其可靠性的影响和具有相对高的速度 ,因此 ,它是一种具有较大潜力的 SOC(片上系统 )单元器件。     

一种稳定的Pd栅MOS场效应晶体管

<正> Pd-MOS PET是一种氢气检测器件.它具有高灵敏度、高选择性、快响应速度和较好的稳定性.1975年瑞典I.Lundstr(o|¨)m等人研制出第一只 Pd-MOS FET.此种器件的工作机理为:当氢分子吸附在催化金属Pd上时,氢分子分解.氢原子通过Pd栅并吸附在金属-氧化物界面上形成偶极层.这偶极层使Pd栅MOS FET的阈值电压 V_T发生漂移.由于反应的可逆性以及氢通过Pd栅的扩散迅速,使得这一电压漂移可作为氢气浓度的测量。     

一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管

提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)。在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间。PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动电路。新器件在没有带来任何副作用(如snap-back现象和工艺制造上的困难)的情况下,获得了低的导通压降和快的关断速度。数值仿真结果表明,新器件在不增加导通压降的同时,将关断时间从120ns降到12ns。     

一种新型电子节能灯用晶体管——双极型静电感应晶体管

本文简要叙述了开发和研制ＢＳＩＴ的市场背景和技术现状，对ＢＳＩＴ器件模型进行了理论分析，对ＢＳＩＴ器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了ＢＳＩＴ器件的工作原理和特性；介绍了ＢＳＩＴ器件的应用和上灯试用情况。     

新型功率半导体器件——Light MOS晶体管

基于非穿通NPT／沟槽工艺的Light MOS，是一种内置续流二极管的新型IGBT。Light MOS组合了MOSFET和IGBT的优点，栅极电容较MOSFET小10倍．具有低功耗损耗特征．最适台于在电子镇流器谐振半桥拓井中作为开关使用．并与3A／600V／1.5—3欧姆的MOSFET等效。     

超高频双栅MOS晶体管

本文综述了双栅MOSFET的工作原理、器件结构和制造工艺.重点介绍适合于超高频工作的Mo栅MOS四极管的设计、结构和制造.     

绝缘栅双极晶体管基础

IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有Ros(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些     

一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路

提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了O.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.     

一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路

提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真. 该电路采用了0.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路.     

电子辐照对绝缘栅双极晶体管开关速度的影响

The influence of electron irradiation on the switching speed in insulated gate bipolar transistors（IGBT） with different epitaxial layer thicknesses is discussed in detail.The experimental results prove that the fall time of IGBT increases when increasing the thickness of the epitaxial layer.However,there is no obvious difference between the ratios of the fall time after irradiation to those before irradiation for different epitaxial layer thicknesses.The increase in switching speed of the IGBT is accompanied by an increase in the forward drop,and a trade-off curve between forward voltage drop and fall time of IGBT is presented.     

双极双栅MOS晶体管静态特性解析模型的模拟与分析

提出了一种应用于VHF和UHF的新型功率电子器件－双极双栅MOS晶体管（BDGMOSFET）,该结构是在单栅MOSFET一侧引入双极型压控晶体管（BJMOSFET）,使之在正向工作时具有MOSFET和BJT的工作特性,通态电较小,同时,减少了寄生双极晶体管效应,改善了频率特性。文章对其静态特性的解析模型进行了详细研究,在该模型基础上运用通用电路模拟软件PSPICE的多瞬态分析法模拟了BDEMOSFET的直流特性,结果表明,在同等条件下,BDGMOSFET的电流密度比双栅MOSFET提高大约30％。     

一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管

提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379 V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。     

一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)

本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨，并分析了BSIT器件的工作原理和特性；介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。     

具有氧化铝栅电介质的MOS晶体管

本专利提出一种以AlO_3膜作为栅电极绝缘体的MOS晶体管的制备方法,包括汽相淀积氧化物工艺,以及尔后在湿气气氛中于700℃左右热处理淀积膜。     

在高频系统中用VMOS功率晶体管代替双极晶体管

与GaAs场效应管适合种种微波应用一样,在小于1千兆赫频率范围内,VMOS场效应管的应用也是很普遍的。     

中功率GaAs双极晶体管

用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出这样的双极晶体管并进行了测试。最大振荡频率f_(MAG)=2.2GHz,截止频率f_T=2.7GHz,这表明了管子的高频适用能力。而发射极-集电极击穿电压V_(CBO)≥～100V;最大集电极电流I_(Cmax)～300mA,为大功率应用的标志,晶体管的工作温度范围为—269℃～+350℃。双异质结NpN晶体管消除了共发射极结构的Npn宽禁带发射极Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs晶体管0.2V的导通电压。此种NpN晶体管能双向工作并有类似的电流增益,这是由宽禁带发射极原理和发射极-基极、集电极-基极异质结的对称性所致。与Npn GaAs晶体管比较,NpN GaAs晶体管的存贮时间t_s约等于Npn晶体管的一半。