MBE高掺Be p-GaAs中E_g+△_0等高于带边的发光

我们在MBE高掺Be的GaAs中观察到了E_g+△_0和X_1~c-Γ_(15)~v之间之间跃迁的发光,讨论了高掺杂p-GaAs的E_g+△_0与本征GaAs的差别,在10-200K温度范围研究了E_g+△_0的温度依赖关系,并对X_1~c-Γ_(15)~v这一间接跃迁过程进行了讨论.     

In_(1-x)Al_xSb外延层的E_1和E_1+Δ_1的光调制反射光谱研究

首次用光调制反射光谱的实验测量方法,在～10K下对In_(1-x)Al_xSb(0≤x≤0.55)外延层的光跃迁E_1和E_1+△_1及其谱线展宽ω,进行实验测定。由测定结果,得到对E_1和E_1+△_1的弯曲参数分别为0.752eV和0.723eV。     

电子稳压及稳流器

一、稳压器的基本原理(一)交流稳压器的主要技术指标1.稳定度:当输入电压E_4发生了±△E_i变化,而使输出电压E_0产生△E_0变化,稳定度的定义为:S_1=△E_0/E_0;(1)2.电压调整率:指输出电流从最大负荷变到最小负荷时;输出电压E_0引起的变化△E_0的变化率,即:     

AlGaP固溶体的电反射光谱

研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、E_1、E_0~＇、E_2各临界点随组分x的变化、有关结构的加宽参数和相对强度.从GaP和AlP的能带出发,对AlGaP固溶体各临界点处的能隙随x的变化按虚晶近似进行了讨论.     

固体脉冲三能级激光器的阈值输入能量

当泵浦脉冲宽度t_0远小于激光上能级寿命τ时,三能级激光器的输出能量E_(out)为: E_(out)=v/v_pη_0η_1(E_p-E_(pth))(1)其中,v为激光频率,v_p为工作物质吸收的京浦光频率,η_0为输出耦合系数,η_1为工作     

亚稳定型合金(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x带间跃迁能量E_1的椭圆偏振谱研究

用自动椭圆偏振谱方法研究亚稳定型合金(GaAs)_(1-x)(Ge_2)_x带间跃迁能量E_1的曲线特征,得到E_1的线性特征与E_0完全一样,呈现非抛物线特征。我们认为这是由于Ge与Ga和As原子相互作用造成Ge电荷分布的变化引起的,这一结论对闪锌矿结构和金刚石结构都是正确的。     

压力下隧道管的电流性质

<正> 隧道二极管的伏-安特性是由带间隧道电流、剩余电流、热电流构成的.对应于这些电流,电子需穿过的位垒都与禁带宽有关,本征锗不同导带谷(L_1,Γ_2~＇,△_1),与价带顶Γ_(25)~＇。构成的禁带宽随压力改变的速率是不一样的,分别为:dE_L_1/dp=5 ×10~(-6),dE_I_2~＇/dp=     

YAG和CO_2激光对活体组织作用机制研究

一、理论分子的各种运动能级的能量关系按量子理论为△AE=△E_(?)+△E_转+△E_电,△E_电约为10°—10~(-1)ev 的数量级,由△E=hv,其λ<1μm;△E_(?)约10~(-1)—10~(-2)eV,对应入为1—25μm;△E_转为10~(-3)—10~(-4)eV,λ为25—350μm。显然,如果以红外激光照射分子,只能引起分子振——转能级状态的变化:E_(?)=(n+1/2)hcv+BhcJ(J+1)。如果照射的红外激光的频率与分子的某一振动或转动跃迁频率吻合,就会产生共振,引起分子固有偶极矩的改变,这就是红外匹配吸收的量子解释。人体有着密集的分子原子,具有许许多多很宽的固有振动频     

n型LPE GaAs层中几种电子辐照缺陷的研究

用DLTS法结合C-V法,研究了不同能量的电子辐照(0.5MeV,1MeV,5MeV)在n型LPE GaAs层中产生的E_3、E_4、E_5和P_1、P_2、P_3等缺陷的引入率及其在400—550K范围内的等时退火行为.由引入率与电照能量的关系推断,P_2、P_3两缺陷是与两个以上原子位移有关的缺陷,而不是象E_3、E_4、E_5那样的单原子位移缺陷.5MeV电照下,E_3与E_5的引入率分别是0.5-MeV电照的13倍和9倍,而在这两个能量下,E_4的引入率之比却是55倍.这说明E_4不仅可以由电照直接引入,也可以由较大能量电照产生的某种多位移缺陷的分解而引入.     

相干态中电磁场的高阶测不准关系

随着高阶相关技术的发展,电磁场的高阶涨落的研究引起人们的重视.本文首次提出了一个在相干态中量子电磁场的高阶测不准关系.即电磁场的两个正交分量E_1及E_2在相干态|α>中的高阶涨落<△E_1~N>α及<△E_2~N>α是相等的,并且它们的乘积为一常数:     

磁控管输出窗位置的确定

本文叙述了从输出窗和谐振腔反射波的迭加,使合成驻波系数等于谐振腔驻波系数便可求得输出窗位置的公式:S=1/2β[(2n+1)π+arc cos ((1/2Γ_1)/(Γ_2))-2β_2l_β]+l_0。输出窗放在 S 位置上测得的冷参数就是谐振腔真实的冷参数。     

GaAs/AlAs短周期超晶格的静压光致发光研究

在室温和液氮温度下对不同层厚的GaAs/AlAs短周期超晶格在0—50kbar范围内进行了静压光致发光研究。在导带最低能级为类Γ态能级(Ⅰ类超晶格)和类X态能级(Ⅱ类超晶格)两种情况下都得到了类Γ态能级与类X态能级差随层厚的变化。首次直接观察到室温、常压下(GaAs)_(11)(AlAs)_(11)超晶格中类Γ态能级与类X态能级发生交叉。从发光峰的强度随压力的变化求得室温下在类Γ态能级与类X态能级恰好交叉的压力下类X态电子和类Γ态电子到价带空穴的跃迁几率之比从(GaAs)_(17)(AlAs)_(17)的1.4×10~(-4)逐渐增加到(GaAs)_6(AlAs)_6的4.6×10~(-3)。表明类Γ态和类X态间的混合较弱。对实验结果进行了简短的讨论。     

四端线性可逆微波网络散射参量图解法

四端线性可逆微波网络的输入端反射系数Γ_1是输出端反射系数Γ_2的分式线性写象,线性分式的系数就是网络的散射参量。线性分式共形写象把Γ_2平面上的圆和直线变换成Γ_1平面上的圆和直线.A.Weissfloch指出在直线—直线情况下存在透视中心和AB线。本文利用四点交比定理论证了圆—圆和直线—圆二种情况下也存在透视中心和AB线,井且提出确定透视中心和AB线的方法,然后在这个理论基础上提出了微波网络散射参量实验数据的处理方法。文内列举了短路活塞法、可变电阻法、散射参量合成法和散射参量分解法等四个数据处理的例子。其中用短路活塞法求出的散射参量与G.A·Deschamps提出的多点平均法结果相同,但其它三种结果是G.A.Deschamps方法所不能获得的。     

δ掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的拉曼光谱

通过显微拉曼(Raman)光谱仪,对一系列δ掺杂GaAs/AlAs量子阱中浅受主铍(Be)原子能级间跃迁进行了研究.实验样品是利用分子束外延技术生长在GaAs衬底(100)面上的GaAs/AlAs多量子阱,阱宽范围从30到200 A,并在阱中央进行了受主Be原子的δ掺杂.在4.2 K液氦温度下,对样品进行了Raman光谱测量,并与光致发光(PL)光谱进行了对比,清楚地观测到了受主原子从基态能级1S_(3/2)(Γ_6)到第一激发态能级2S_(3/2)(Γ_6)之间的跃迁.根据量子力学中的变分原理和打靶法算法,计算了量子阱中类氢受主Be原子1 s到2 s能级间跃迁能量,并和实验结果进行了比较.计算结果表明,受主1 s到2 s能级间跃迁的能量随量子阱宽度减小而单调增加,并且与实验结果符合较好.     

购物指南

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由倍频藕合波方程讨论倍频转换效率

本文对倍频藕合波方程作二阶近似到位相失配△K的二次幂.由倍频藕合波方程直接讨论激光功率密度P、晶体长度L和相位失配△K对倍频转换效率η的影响.倍频藕合波方程中的位相失配项为AΔK~2L~2E_1E_2和-A′ΔK~2L~2E_1~2.A′和A是常数,E_1和E_2是电场振幅.位相失配项越大,倍频反向转换越强.随着L和P的增加,由于位相失配项周期性变化,倍频转换效率周期性变化.P或L越大,ΔK对η影响越灵敏。当     

固体材料二次发射系数δ快速测量装置

一、快速测量的原理在固体材料研究中,特别是大功率微波管的冷阴极材料研究中,不仅要求测出材料最大二次发射系数(δ_(max)),而且要求测出第一交叉点能量(E_(p1))。文献[1]介绍分别测量入射电子流和二次电子流的方法,由于不能扩大到低能端而不能使用。为了能在低能端准确地测量δ和E_(p1),国内外曾作过许多改进。     

连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理论计算的可能方法作了讨论.     

低压MOCVD生长的InGaAs/InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析

用低压MOCVD方法生长了InGaAs/InP单量子阱及多量子阱结构。用低温光致发光方法研究了量子阱样品因量子尺寸效应引起的激子能量移动以及激子谱线线宽同量子阱阱宽的关系,7A阱宽的激子能量移动达370meV。选取Q_c=△E_c/△E_g=0.4,采用修正后的Kronig-Penny模型,考虑能带的非抛物线性,拟合了激子能量移动和阱宽的关系曲线。用有效晶体近似方法(VCA)分析了激子尺寸范围内界面不平整度以及合金组分无序对激子谱线线宽的影响。以界面不平整度参量δ_1和δ_2,合金组分元序参量r_c为拟合参数,拟合了激子线宽对阱宽的关系曲线。取δ_1=2.93A,δ_2=100A,r_c=3ML,理论拟合值与实验值符合较好。     

[O_2(~1Δg)]二聚物激光机制研究

对[O_2(~1△_g)]_2的几何构型及势能曲面的理论计算表明,[O_2(~1△_g)]_2的激发态与基态间呈束缚排斥的准分子结构。在此基础上,对[O_2~1△_g)]_2激光机制进行了实验研究。