MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

MOS型硅功率器件平面终端结构

本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

高压功率MOS器件终端结构计算机模拟的物理模型

对高压ＭＯＳ功率器件的设计而言，结终端结构的设计是至关重要的一环。由于电压不断提高，终端结构亦更加复杂、传统的设计方法已不再适用。因此，本文对新的设计手段－计算机模拟进行了详细地研究。首先建立了一套适用于终端结构模拟的物理模型。然后讨论了离散化的形式，并分析了所得大型稀疏线性方程组的迭代收敛性及稳定性。文中还提出了对于耗尽层分布及场限环浮置电位的一种新的处理方法－多重迭代法，从而克服了以往处理方法     

飞利浦多重市场半导体推出系列新产品

飞利浦半导体将汽车电子、电源管理、接口产品、标准IC、通用产品和小信号分立器件定义为其多重市场半导体产品,也就是指可广泛用于各式应用的半导体产品。2004年上半年,飞利浦多重市场半导体销售额占飞利浦半导体全部收入的27%。近日,飞利浦多重市场半导体推出一系列新产品,包括业内最快的32位ARM微处理器、业界第一个低功率I2C通用输入输出设备以及新型功率MOSFET。飞利浦电子公司的LPC2130系列以现有32位ARMMCU双倍的速度和4倍的性能提供了具有最高成本效率的MCU。它配备了高达512K字节的128位闪存,采用了0.18微米CMOS技术、…     

MOS型硅功率器件的耐压与终端处理

本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

MOS器件的最高工作温度及潜力开拓

本文根据半导体材料物理参数、ＭＯＳ器件电学参数在高温下变化的理论分析和实验结果，提出了影响ＭＯＳ器件最高工作温度的主要因素及潜力开拓的途径。     

汽车用功率MOS器件品种及市场

电子技术几乎全面深入发展到汽车各个控制系统及零部件中，各种新型电子控制装置更广泛地应用于汽车，今后十年内，汽车电子及相关产品平均在整车成本的比例将从目前的20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，导致电子负载年增100W。     

MOS型功率半导体器件的最新进展

综述了MOS型功率半导体器件的最新发展动态，重点介绍了几种新型的器件，如EXTFET、COOL－MOS、IEGT、MCD等，分析了这些器件的结构特点、工作原理以及进一步发展所要解决的主要难题。最后指出了MOS型功率半导体器件未来的发展趋势。     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

飞利浦发布多款多重市场半导体产品

多重市场半导体包括微控制器、接口、功率器件等可应用在各个领域的产品,通用性要求这些产品必须在性能和成本上领先一步,才能获得要求日益苛刻的用户的青睐。近日,飞利浦半导体发布了三款产品,为赢得客户增加了新的筹码。     

半导体功率器件开关特性测试仪

本文介绍一种实用的半导体功率器件开关特性测试仪，其最高测试电压为１ ０００Ｖ，最大测试电流为２．５Ａ７００Ｖ。     

新型功率器件MCT的研究

本文探讨了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的结构设计、工艺设计及实施方法。通过计算机工艺模拟,采用SDB(硅片直接键合)、硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术,在实验室制成了MCT样品.测试结果表明.在-12伏的栅偏压下能在5μs内关断42A/cm~2的阳极电流.