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VDMOS功率器件开关特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
本文详细分析了线性负载VDMOS功率器件的开关特性,得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试(工作)电流及电压的关系,并以方形原胞为例,指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。 相似文献
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本文介绍宽禁带半导体金刚石材料的结构、物理特性、器件结构和制备工艺,并根据材料的特性参数,给出金刚石功率器件频率与功率性能预测,与Si,GaAs等材料进行了比较。最后指出金刚石半导体器件实用研究作方向。 相似文献
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荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体 相似文献
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宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望 总被引:7,自引:0,他引:7
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望. 相似文献
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一、性能简介 GKC-91021高压开关动特性测试仪以8031单片机为中心控制器。仪器能安全、可靠、精确地进行全自动测量,并可将测试结果贮存、显示或打印。本仪器有内外两种触发方式,设置了12个测量断口,除了具有LED显示外,还设置了显示器和打印机接口,使用方便、灵活、实用。本仪器对软件进行充分开发,尽量减少硬件电路,提高了整机工作的可靠性,使仪器具有精、小、巧的特点,便于携带和现场测试。本仪器可测试的项目有:分闸和合闸时间;分闸和合闸的同期性;分闸和合闸的弹跳次数及幅度;分闸和合闸的瞬时速度的列表及曲线;分闸和合闸的刚分、刚合速度;分闸和合闸的平均速度;分闸和合闸的最大速度;开距和超程;测试前的初始状态、测试过程中的状态变化和测试后的终止状态。本仪器的技术指标如下: 1.时间测量 相似文献
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GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。 相似文献
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本文简述了IGBT的设计技术和制造工艺,对IGBT的I-V特性,开关特性及闩锁效应进行了系统的研究,结合实施工艺对IGBT的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作IGBT的异型厚外延材料,成功地制了10A/800V,20A/1050V的IGBT芯片,给出了试制样品的测试结果。 相似文献
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本文论述了新型高速功率开关器件—800V、10A静电感应晶闸管的结构、设计和工艺研究。说明了所研制的器件的直流特性和开关特性,得到导通时间1.8μs,关断时间1.5μs的较好效果。 相似文献
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介绍了一种新型亚纳秒切断全固态高功率脉冲开关器件,阐述了其工作机理。该器件利用器件体内等离子体特殊的恢复过程来完成电流的迅速切断。采用多层Si片叠加的制造工艺技术,单个器件反向工作峰值电压大于2 kV,电流切断时间小于800 ps,脉冲峰值功率可达80 kW。该器件具有易串并联、抖动小等优点。基于该器件制作的脉冲发生器具有体积小、可靠性高、使用寿命长、脉冲重复频率高、输出波形稳定等特点。当采用器件串联电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲。采用该器件制作的脉冲发生器在国防、医疗等领域具有广阔的应用前景。 相似文献
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三代半导体功率器件的特点与应用分析 总被引:2,自引:1,他引:1
以S i双极型功率晶体管为代表的第一代半导体功率器件和以GaAs场效应晶体管为代表的第二代半导体功率器件为雷达发射机的大规模固态化和可靠性提高做出了贡献。近年来以S iC场效应功率晶体管和GaN高电子迁移率功率晶体管为代表的第三代半导体--宽禁带半导体功率器件具有击穿电压高、功率密度高、输出功率高、工作效率高、工作频率高、瞬时带宽宽、适合在高温环境下工作和抗辐射能力强等优点。人们寄希望于宽禁带半导体功率器件来解决第一代、第二代功率器件的输出功率低、效率低和工作频率有局限性以至于无法满足现代雷达、电子对抗和通信等电子装备需求等方面的问题。文中简要介绍了半导体功率器件的发展背景、发展过程、分类、特点、应用、主要性能参数和几种常用的半导体功率器件;重点叙述了宽禁带半导体功率器件的特点、优势、研究进展和工程应用;对宽禁带半导体功率器件在新一代雷达中的应用前景和要求进行了探讨。 相似文献
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宽禁带半导体功率器件在现代雷达中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
现代战争对雷达性能的要求日益提高,基础材料、工艺和元器件的飞速发展,促进了雷达技术的不断进步.宽禁带半导体功率器件的出现,使得雷达发射机乃至雷达性能的大幅度提升成为可能.文中简要介绍了现代雷达对大功率发射机的迫切需求,结合宽禁带半导体器件的特点,阐述了该类器件的发展现状,给出了发展趋势及应用展望. 相似文献
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GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。 相似文献
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本文论述构成未来光节点系统关键器件的导波半导体光交换器件的特性。采用半导体MQW波导的QCSE制成全封装2×2和4×4光开关组件,并加以评估。这些组件能分组交换10Gb/s的光信号,并能以1/8去复用成1.25Gb/s,这些组件很有希望作为高速交换器件。 相似文献