共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。 相似文献
3.
4.
5.
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。 相似文献
6.
7.
8.
9.
绝缘栅双极晶体管(IGBT)的驱动与保护 总被引:4,自引:0,他引:4
在介绍IGBT结构原理及特点的基础上,讨论了设计IGBT驱动电路应考虑的问题和IGBT的过压和过流保护技术。在大功率高压开关电源中的应用证明,所设计的驱动保护电路性能良好。 相似文献
10.
11.
12.
13.
14.
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是近十多年来为适应电力电子技术发展而出现的新型器件。本文着重介绍它的结构、工作机理、静态特性、动态特性以及主要参数,为使用该类器件奠定基础,并对IGBT的应用作了介绍。 相似文献
15.
16.
日前,国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF,以此拓展绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列。全新600V超高速沟道IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业电机驱动应用提升性能及效率。 相似文献
17.
绝缘栅双极晶体管基础 总被引:1,自引:0,他引:1
IGBT结构及工作原理 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BV为oss需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有Ros(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些 相似文献
18.
本文提出了栅控超导临界温度Tc的高温氧化物超导体场效应晶体管的原理,建立了场控Tc的方程,估算和分析了器件特性,对发展和研究HTOSs-MOSsFET的器件和电路有积极的指导意义。 相似文献
19.
离子栅晶体管作为一种新型半导体器件,因其低电压、可多栅调控的特点以及在化学传感和类脑器件方面的运用而备受关注。由于离子栅具有侧向长程调控的能力,十分有利于制备成平面双栅的结构,进一步利用两个栅极输入对离子与沟道内电子耦合情况的调控,可以实现独特的逻辑输出。为了更好地实现该功能,采用射频磁控溅射制备了铟镓锌氧(IGZO)沟道和铟锌氧(IZO)电极,以聚电解质材料——聚苯乙烯磺酸钠(PSSNa)作为离子栅介质制备了平面双栅型离子栅晶体管。在测量其晶体管基本电学特性的基础上,通过对双栅调控机制的研究,首先实现了与逻辑(AND)的输出,再利用负载电阻后反相器的非门(NOT)作用,将两者结合,形成与非逻辑(NAND)输出,从而证明离子栅晶体管在平面双栅结构下仅需简单的器件和电路就能实现多种基本逻辑功能。 相似文献
20.