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本文推导了啁啾光脉冲的表达式,研究了不同调制状态下分布反馈半导体激光器的谱特性,并分析了展宽谱生成的过程。 相似文献
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本文选用合理的初始条件 ,通过迭代求解一阶微分关联速率方程组 ,首次给出了掺R6G染料固态溶凝胶硅分布反馈激光器输出激光脉冲的时间特性及其随泵浦功率改变的变化规律。数值计算结果与实验结果吻合甚好 相似文献
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设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和波导结构的优化设计提升了芯片效率、降低了RIN;通过优化腔长与量子阱总增益之间的匹配参量及对光波导的优化设计,提高了芯片注入饱和点;通过提升注入水平提高了芯片输出功率.芯片测试结果显示,25℃时阈值电流为13 mA,斜率效率为0.38 W/A,输出功率为102 mW@300 mA,边模抑制比为51 dB@50 mW,RIN为-160 dB/Hz@300 mA.该芯片具备高输出功率、低RIN、低阈值电流、高斜率效率的特点. 相似文献
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259W准连续无铝808nm激光二极管线列阵 总被引:1,自引:1,他引:0
通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备了填充因子为50%的1cm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌. 在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生. 最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%, 此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°. 相似文献
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采用准分子激光器成功地在低掺杂普通铒纤上制作出5 cm的光纤光栅分布反馈布拉格(DFB)激光器,铒纤的峰值吸收率为5 dB/m,在100 mW,980 nm抽运光条件下,光纤激光器的输出功率为50μW,边模抑制比为50 dB。使用耦合模理论分析了一段5 cm带相移的分布反馈布拉格光纤激光器输出光强同腔内损耗及相移量的关系,计算结果表明,光纤腔内的损耗对激光器的输出具有非常重要的影响,大的损耗对应获得最大功率的光栅耦合强度相应减小,因此,在低掺杂铒纤上制作分布反馈布拉格激光器必须正确估计光纤激光器的腔内损耗,选择合适的光栅耦合强度,可以获得较大的输出功率。 相似文献
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为了对980 nm大功率半导体激光器的波导层和有源层外延材料进行快速表征,设计了相应的双异质结(DH)结构和量子阱(QW)结构,并在不同条件下进行了MOCVD外延生长,通过室温荧光谱测试分析,得到Alo.1Ga0.9As波导层的最佳生长温度为675℃,InGaAs QW的最佳长温度为575℃.为了兼顾波导层需高温生长和QW层需低温生长的需求,提出在InGaAsQW附近引入Alo.1Gao.9As薄间隔层的变温停顿生长方法,通过优化间隔层的厚度,InGaAs QW在室温下的PL谱的峰值半高宽只有23 meV.基于优化的外延工艺参数,进行了980 nm大功率半导体激光器的外延生长,并制备了腔长4 mm、条宽95 μm的脊形器件.结果显示,在没有采取任何主动散热情况下,器件在30A注入电流下仍未出现腔面灾变损伤,输出功率达到23.6W. 相似文献
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为了提高980nm半导体激光器的可靠性,采用氦离子注入形成腔面电流非注入区技术制作了4μm条宽的脊形波导激光器,并利用同一块外延片制作了常规工艺的4μm脊形波导激光器作为对比。经过长期老化实验得知:常规工艺器件在1500h前全部失效,而采取新技术的器件寿命超过了3000h。通过对器件的扫描电镜分析发现,腔面灾变性损伤、铟焊料的质量和腔面污染等因素对器件失效有直接影响。 相似文献
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通过优化张应变量子阱外延结构和设计线列阵双沟道深隔离槽腐蚀工艺,采用低压金属有机化学气相沉积法(LP-MOCVD)生长了GaAsP/GalnP/AlGaInP单量子阱分别限制异质结激光器材料,并利用该材料制备r填充因子为50%的lcm宽线列阵激光巴条,用扫描电子显微镜(SEM)分析了隔离槽的形貌.在准连续工作条件(200μs脉宽,2%占空比)下,封装在被动制冷标准铜热沉上的器件在测试设备允许的最大驱动电流300A时可获得259W的输出功率,未观察到腔面光学灾变性损伤的发生.最高功率转换效率在工作电流为104A时达52%,此时输出功率为100W,激射光谱的中心波长为807.8nm,半高宽为2.4nm,快慢轴远场发散角分别为29.3°和7.5°. 相似文献
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近红外激光二极管在气体传感中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
综述了近红外激光二极管在气体传感中的应用,讨论了用于这一技术的器件和实验技术。文中讨论了用分布反馈(DFB)激光二极管、垂直腔面发射激光器(VCSEL)以及其他单频器件作为光源的激光气体传感实验方法和相关结果,新型单频器件发展表明近红外激光二极管气体传人有广阔前景。 相似文献
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L. A. Ferreira E. V. Diatzikis P. J. Moreira J. L. Santos F. Farahi 《Optical Fiber Technology》2000,6(4):1132
The interrogation of fiber Bragg grating sensors with multimode laser diodes is theoretically and experimentally analyzed using two different approaches: serrodyne and dithering techniques. It is also demonstrated that by using several laser modes it is possible to enhance the measurement range without compromising sensitivity. 相似文献
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1 Introduction High power laser diodes (HPLD) usually have more than 10 W CW output optical power, or more than 20 W peak power for more than 1 s pulse duration. When we talk about HPLD, we shall not distinguish be- tween single stripe emitters, or linear bars, or bar stacks. From this point, three main groups of HPLD ac- cording to their design and applications may be catego- rized. The first group includes continuous CW HPLD, consisting of one or several linear bars, fiber coupled i… 相似文献
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In this paper, we describe a method for increasing the external efficiency of polymer light‐emitting diodes (LEDs) by coupling out waveguided light with Bragg gratings. We numerically model the waveguide modes in a typical LED structure and demonstrate how optimizing layer thicknesses and reducing waveguide absorption can enhance the grating outcoupling. The gratings were created by a soft‐lithography technique that minimizes changes to the conventional LED structure. Using one‐dimensional and two‐dimensional gratings, we were able to increase the forward‐directed emission by 47 % and 70 %, respectively, and the external quantum efficiency by 15 % and 25 %. 相似文献