怎样选用元器件讲座（二十）：气敏元件

气敏元件,有人称之为“电子鼻”,实际上它是一种气敏电阻器,其阻值随被检测气体的浓度(成分)而变化。气敏元件是一种“气一电”传感器件,它能将被测气体的浓度(成分)信号,转变成相应的电信号。气敏元件有N型和P型之分。N型在检测可燃气体的浓度时,其阻值随气体浓度的增大而减小;而P型元件的阻值随气体浓度的增大而增大。气敏元件主要是采用二氧化锡(SnO_2)等金属氧化物半导体制成。取材和掺杂决     

气敏元件的结构工艺研究

对几种工艺结构的氧化物半导体气敏元件进行对比,阐述了气敏元件的结构和工艺对气敏元件性能参数的影响。并介绍一种新型结构的氧化物半导体气敏元件。     

实现气敏元件高选择性的一种方法

本文提出一种提高半导体电阻式气敏元件选择性的新方法。这种方法的基本出发点是互补反馈原理。这种新型气敏元件的结构与原有的不同,由两种不同特性的敏感体组合而成,其组合方式可以是N-N,P-P,N-P等。文中给出了有关的理论讨论和在此理论指导下制作的高选择性乙醇气敏、丁烷气敏元件的实验结果,证明此理论是正确的。     

薄膜磁敏电阻元件KMZ10

１绪论ＫＭＺ１０系列薄膜磁阻元器是一种结构新颖的Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜磁敏电阻元件 ,同时也是一种高灵敏度的磁性传感器 ;它采用Ｂａｒｂｅｒ结构的桥式电路 ,内含偏置磁场结构的Ｎｉ-Ｆｅ合金薄膜磁阻元件。因而具有灵敏度高、线性范围宽、工作频率特性稳定、温度性能优良、抗干扰能力强、体积小和结构简单等特点。可广泛应用于磁性编码器、磁阻齿轮传感器、磁阻接近开关、磁阻电流传感器及无接触电位器等器件。２原理和结构铁磁性物质在磁化过程中的电阻值将沿磁化方向随外加磁场的增强而增大 ,并达到饱和的这种现象称为磁阻效应。按照磁…     

金属氧化物气敏元件的研究进展

气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展,人类对其综合性能要求越来越强,进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件,其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展,介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响,并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。     

功率RMOS器件的优化设计

从ＲＭＯＳ器件的导通电阻模型出发，通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系，得出：减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度，可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压；反之，器件的导通电阻和反向耐压增加。同时，浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明，条形结构优于元胞结构。     

低电阻率介质层制备低压驱动薄膜电致发光器件的研究

采用Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，５ａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合介质制备出２低压驱动ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下。当驱动电压国６０频率为５０Ｈｚ时，发光亮度在３００ｃｄ／ｍ＾２以上，发光层中平均电场强度为１０＾５Ｖ／ｃｍ数量级。这种器件具有其独特的亮主压特性、频率特性和电荷存储量－电压特性。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

光电器件薄膜附着力评价方法的研究进展

薄膜与衬底的结合性能一直备受关注.在各种情况下,薄膜的性能都依赖于其与衬底的附着力大小.为了提高附着强度,需要深刻理解附着力的机理和开发合适的附着力测试技术.从基准附着力、热力学附着能和实际附着力三个不同角度提供了附着力评价途径.作为广泛使用的附着力粘接测试技术,拉脱法和压带剥落法等方法在大量样品测试方面具有独特优势,...     

Thin Film Growth of nbo MOFs and their Integration with Electroacoustic Devices

Metal‐organic frameworks (MOFs) with the “nbo” topology constitute a diverse suite of more than 100 nanoporous materials, but their use in applications such as chemical sensing and membranes is inhibited by a lack of methods for growing them as thin films. Here, layer‐by‐layer (LBL) and solvothermal growth of “nbo” films is demonstrated and it is established for the first time that interlinker steric hindrance is a critical factor in determining the effectiveness of the LBL method. Film growth is demonstrated for three “nbo” MOFs: NOTT‐100 and NOTT‐101, which have the R‐3m space group and are deposited by the LBL method, and PCN‐14, with the R‐3c space group, which is deposited by a solvothermal approach. Continuous and dense films of NOTT‐100 and NOTT‐101 are obtained and LBL growth is verified by observing deposition with a quartz crystal microbalance technique, which also yields the temperature dependence. Oxygen plasma treatment is found to be a useful tool for promoting the MOF film growth under solvothermal conditions. Effective mechanical coupling of these films to the substrate is demonstrated by growing them on surface acoustic wave sensors, which respond reversibly to vapors of water, acetone, and n‐hexane.     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

薄膜型声表面波器件的研究进展

相较于传统的压电单晶声表面波器件,薄膜型声表面波器件具有成本低、易小型化、易集成化等优点.文章对几种薄膜型声表面波器件的研究进展进行了综述.首先,总结了几种常见的薄膜制备方法.然后,根据应用范围的不同将薄膜型声表面波器件分为高频器件和高温器件.根据这两大类型,综述了近年来较典型的五种薄膜型声表面波器件,介绍其制备流程、...     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

功率器件在薄膜混合集成电路上的应用

把大功率器件用于薄膜混合集成大电流顺序开关电路，成功地将复杂的工艺设想改进为简单实用而又适合大批量生产的工艺，以性能优越的线路设计，取代了比较复杂且工艺难度较大的线路设计，为我厂薄膜混合集成电路在大功率输出、低功耗领域开创了先例。     

氧化铝基板对厚膜电阻阻值的影响

该文介绍了氧化铝基板的三种基本特性-翘曲度、表面粗糙度和颗粒粒度,并重点研究了表面和颗粒粒度对系电阻阻值的影响。结果表明：用同一阻浆印刷并于相同条件下烧结后,基板表面越粗糙、颗粒粒度越大,其阻值越低,并且中阻段的阻值相差更明显。这对电阻制造厂在使用不同厂家的基板时,如何配制阻浆具有一定的参考意义。