SiC微波半导体在T/R组件中的应用

本文简述了SiC微波半导体的特性,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用,讨论了T/R组件微波关键技术,即功率放大链、高功率限幅保护、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路以及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代关键电路的特性及其技术状态,指出了SiC微波半导体的发展对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件的重要性。     

SiC微波半导体在T／R组件中的应用前景

简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性.     

铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制

介绍了铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳的研制。用磷酸铝溶液、聚乙二醇、蒸馏水、糊精和淀粉配制碳化硅浆料的粘结剂,采用双向模压法制备带金属镶嵌件的近净成型的碳化硅预制件。碳化硅预制件经压力浸渗后得铝碳化硅复合材料构件坯料。构件坯料用金刚石砂轮和电火花进行少量机械加工,并进行化学镀镍后得到铝碳化硅复合材料T/R组件封装外壳。     

一种T/R组件的温度自补偿电路设计

T/R组件是有源相控阵天线的关键电路模块,其发出的热量会导致芯片特性发生变化,影响组件及天线的性能。本文提出了一种T/R组件的温度自补偿电路设计方法,对其电性能进行自动温度补偿,克服了数字芯片量化误差导致的主动温度补偿精度受限的缺陷。采用该自补偿方法研制了一种温度补偿电路模块,实测结果表明,组件馈电链路的传输相位温漂减小约67%,验证了本文自补偿方法的有效性。     

基于DDS 的数字微波T/R 组件研究

本文介绍了直接数字合成技术(DDS)的工作原理,分析了其结构组成、特点。并详细介绍了基于DDS 技术的数字微波T/R 组件的研制思路、方案。利用DDS 在数字部分完成DBF 的形成,以实现基于DDS 的全数字T/R 组件。     

数字T/R 组件电磁兼容分析

数字T/R 组件电磁环境复杂,电磁兼容性问题越来越突出。本文介绍了基于直接数字合成（DDS）技术的 数字T/R 组件的基本原理。从组件系统的角度分析了数字T/R 组件电磁兼容问题,分析了电磁干扰对数字T/R 组件性 能的影响,提出了数字T/R 组件电磁兼容设计方法,并通过实践,验证方法的有效性。     

大功率T/R组件的研究与设计

现代相控阵雷达系统对探测距离的要求越来越高,这就需要相控阵雷达系统中的关键部件T/R组件提供更大的输出功率,但单个GaAs功率芯片的输出功率的提高较为缓慢。文章介绍了一种通过功率合成的方法来大幅提高单个组件输出功率的设计方法,可将单个组件的输出功率提高到百瓦级,同时通过合理的时序嵌套设计来保证大功率组件的安全工作。将设计结果应用于实际产品,制作出大功率、低噪声的T/R组件,应用于某重点型号雷达系统的研制。     

一种高功率密度T/R组件的设计

主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100 W、接收通道增益大于8 d B、体积90 mm×80 mm×37 mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。     

数字T/R组件的电磁兼容设计

介绍了大型预警相控阵雷达的数字T/R组件,阐述了数字T/R组件的电磁兼容设计,对其中产生的电磁干扰问题进行了详尽的分析,并提出具体改进措施,通过试验测试组件最终达到性能指标,实现了电磁兼容。通过应用实例,探讨了数字T/R组件电磁兼容设计的思路和方法,为工程研制提供了非常有益的参考经验。     

一种紧凑型数字T/R组件的结构设计

介绍了有源相控阵雷达中一种紧凑型数字T/R组件的结构设计,从模块化、轻量化出发,着重介绍了该数字T/R组件的结构形式和优点,通过对其装配设计、散热设计和制造工艺的阐述,论证了该组件的可批量生产性。     

宽禁带半导体功率器件

阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望。     

一种宽带数字T/R组件的设计与实现

提出了一种L波段宽带数字T/R组件的设计方案和实现方法,该方案结合DDWS技术和正交调制技术来产生宽带雷达信号,通过Gbit光纤实现宽带数字T/R组件与雷达主机的数据传输,用一片FPGA完成整个组件的控制。宽带数字T/R组件的参数为中心频率1300 MHz、带宽100 MHz。     

C波段高功率T/R组件设计

针对对海探测、跟踪以及成像的相控阵雷达或成像雷达而言,C波段T/R组件是其关键部件之一。介绍了一种C波段基于多芯片微波组件(MCM)技术和低温共烧陶瓷(LTCC)基板的20 WT/R组件的理论分析、设计思路和基本构成,从腔体效应、发射功率合成方式、收发支路、低温共烧陶瓷LTCC设计、微组装技术等几个层面进行了分析,并给出了最终的测试结果,该组件具有高功率、高密度、高效率等特点。     

一种P波段大功率T/R组件的设计

T／R组件是相控阵雷达有源分布阵列天线的核心部件,其性能直接影响雷达整机的指标。介绍了一种P波段大功率T／R组件的工作原理、设计方法和检测技术,并根据设计方法加工了实物样件,该T／R组件采用相控阵体制结构来实现：发射通道主要由移相器、衰减器和高功率放大器组成;接收通道主要由低噪声放大器、移相器和衰减器组成。在2dBm输入功率的情况下实现了200W输出功率,效率高达35％,在采取幅相一致设计措施后,该功放组件在100dB的动态范围内实现了相位误差在±3°以内。     

一种S波段高功率T/R组件的研制

介绍了一种S波段高功率T/R组件的研制方法和关键技术。该T/R组件包含4个通道,功能结构复杂,共有4个发射支路和12个接收支路,满足实际应用中实现多路信号的接收。12路接收信号通过3个独立的1∶4功分器合成到3个输出端口,对功分器进行仿真优化电路。发射通道输出功率大于100 W,效率达到40%以上;12路接收通道增益平坦度和增益一致性均在1 d B以内。由于组件使用较多的裸芯片和封装器件,对工艺流程也做了简要介绍。测试结果表明,组件满足各项指标要求。     

基于多芯片组装技术的小型微波收发前端研制

多芯片组装（MCM）技术是目前实现雷达微波前端小型化的有效途径。利用MCM技术,研制了一种小型化微波收发前端。着重分析了接收机前端结构设计与微组装电路实现。测试结果表明,此收发前端具有较小的体积和优良的性能,满足雷达整机小型化要求。     

基于MCM技术的X波段四通道T/R组件设计

T/R组件作为雷达系统的最重要部件之一,它的性能直接影响了整个雷达系统的探测效果,T/R组件的小型化、低成本化将大幅度促进雷达系统的发展。本文采用LTCC基片、陶瓷基片等简单成熟工艺,利用高密度封装技术—多芯片组件(Multi-Chip Module,简称为MCM)技术实现了X波段T/R组件的设计。该封装设计具有集成度高、散热性好和可靠性高等特点,可应用于X波段二维有源相控阵T/R子阵的工程研制。     

一种高功率小型化T／R组件发射通道的设计

介绍了一种高功率小型化T／R组件的组成及工作原理；结合该型T／R组件发射通道的特点，论述了小型化发射通道设计的几项关键技术，这主要包括：匹配电路小型化设计；3dB电桥的设计；输出功率可调的实现。     

基于LTCC多层基板技术的宽带T/R组件设计

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)多层基板工艺的宽带发射/接收(T/R)组件的设计,详细论述了组件的电路布局和装配工艺,给出了具体的测试数据。T/R组件的体积为65mm×29mm×9mm,连续波输出功率大于25W,均方根移相误差小于3°,已达到工程应用要求。