车用智能功率器件重塑次级市场

车用电子行业已成为智能低电压负载控制的驱动力。随着机动车的标准电气系统用智能自保护器件代替保险丝和分立式元件,它们在其他市场上已得到广泛应用。应用下消费电子类产品的智能功率器件,性价比更高、容错性能更好、适用性更强、可靠性更高。这个正在扩展的市场对标准化器件具有独特的需求,半导体供应商非常乐意将这些标准化器件纳入到他们的商业计划中。     

一种高频高压双极性功率器件的研究

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。     

高效和廉价电源用功率器件的选用

选择最佳品质的功率晶体管多年来，开关电源在选择功率器件时最直截了当的方法是确定电压和电流，然后据此确定选用哪一个型号的器件。但是，您得到应有的效率了吗？在当今竞争激烈的市场中，效率都超过８５％甚至９０％。效率越高，市场定位的优势就越明显。为了能以富有...     

智能功率模块

IPM（智能功率模块,Intelligent Power Modules）是为满足应用及市场需求,IGBT芯片为主体,将这种芯片及其门极驱动、控制和过流、过压、过热、短路、欠压锁定等多种保护与故障检测电路混合集成于一体的大功率器件,模块结合适合于工业化、标准化生产,简化应用设计,提高系统性能与可靠性,在各种电力变换中起重要作用,正逐渐成这功率器件的主流产品。     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

中国功率器件市场发展现状

功率器件包括功率IC和功率分立器件,功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT等半导体器件,功率器件几乎用于所有的电子     

电子镇流器用新型功率开关器件

荧光灯、紧凑型节能灯及高强度放电(HJD)灯等的交流电子镇流器出现故障,大多都是因功率开关晶体管失效所引起的。电子镇流器中作为开关使用的晶体管的性能优劣,对电子镇流器的可靠性与安全性将产生决定性的影响。 高频电子镇流器对功率开关晶体管的要求是非常苛刻的。在一些高压高速电子线路中作为开关使用的晶体     

新型封装技术应对汽车智能功率器件设计挑战

用于汽车动力传动系统和引擎控制的功率半导体器件必须能够耐受恶劣的环境。对于半导体IC来说，最高结温Tjmax是关键因素。阻断能力（Blocking capability）栅极阈值电压（gate threshold voltage）及其它重要的特性参数均受Tjmax所限制。超出Tjmax是大部分失效事故的主要原因。如果考虑到汽车应用中的高工作温度．加上许多汽车应用中功率器件必须在能量吸收模式下工作（这是其它功率设计很少见到）的事实，这就成为了一个相当大的设计挑战。所有这些都要求功率半导体对热限制、热管理有充分透彻的理解，才能为汽车市场提供所需的产品可靠性。     

SOI功率器件的新进展

回顾了应用于 SOI功率集成电路的 SOI功率器件的发展背景 ,论述了 SOI功率器件的开发现状 ,以及作为 SOI功率器件基础的 SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展。同时指出了在 SOI功率器件研究中需要解决的问题 ,以及今后的研究发展重点     

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换

GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。     

节能化：功率器件的永恒主题

针对各类设备的小型化、低功耗化、高效化和高速化的要求,人们加紧了相应的功率器件的研制开发。另外,功率器件的基本构造正在从双极型MOS型过渡,作为MOS器件的功率MOSFET、IGBT(Insulated Gage Bipolar Transistor)和IPD(Intelligent Power Device智能型功率器件)都在努力扩大自己的应用领域。 目前,随着人们环保意识的增强,市场对节能型电气设备的需求量逐渐上升,空调、冰箱等家用电器大量采用变频技术便是一个很好的例证,而作     

功率器件IGBT应用中的常见问题解决方法

IGBT因其开关速度快，工作频率高，控制方便等优点得到广泛应用，但随着电力电子技术的高频，大功率化发展，器件可靠性降低，开关过程会产生损耗和电压电流过冲，甚至会使器件失去控制。本文从IGBT的内部结构特点出发，讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因，讨论了目前国内外常用的一些处理措施，包括过流保护驱动，采用无感线路，积极散热，软开关技术和吸收电路技术等，以上几项措施的采用，使得IGBT能安全，经济，可靠的运行。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

半导体功率器件发展概况

本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.     

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换北大核心CSCD

GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。