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不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及其完整性,结果表明:在350-550℃的低温生长条件下,可生长出较高质量的超晶棺材料,并且在350℃时质量最好.在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错,并与生长温度有关.周期厚度有4%以内的波动,层与层之间有轻微的混元,观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象,并进行了讨论. 相似文献
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用X射线运动学的多层膜干涉理论,模拟计算了AIGaAs/GaAs超晶格X射线双晶衍射摇摆曲线,提出了一种具有整数分子层的界面过渡层理论模型,并运用此理论研究了零级卫星峰的峰峰位的漂移,过渡层对超晶格卫星峰强度的影响以及低级卫星峰的规律性消光规律。 相似文献
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利用卢瑟福背散射(RBS)、X光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)分析,研究了Si0.5Ge0.5合金在1000℃下湿氧化所生成的氧化物的特征.结果表明:这种氧化物为双层结构.靠近表面的一层为(Si,Fe)Ox混合层,在其下面是纯的SiOx层,Ge被排斥并堆积在SiOx/Si0.5Ge0.5界面附近.在本实验条件下,(Si,Ge)Ox层的厚度约为2500A,它的形成时间不足5分种.当氧化的时间延长时,SiOx的厚度随之增加,但(Si,Ge)Ox的厚度几乎不变.还发现:在这些氧化物中,Si2p和Ge3 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致. 相似文献
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用GSMBE(GasSourceMolecularBeamEpitaxy)技术在国内首次研究了应变Si1-xGex/Si异质结材料的生长.并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析.对于Si(0.91)Ge(0.09)和Si(0.86)Ge(0.14)单层,其半宽度FWHM分别为100”和202”;对于Si(0.89)Ge(0.11)/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上.三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见.结果表明,用GSMBE技术生长的Si1-xGex/Si异质结材料具有很好的结晶质量以及陡峭的界面. 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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本文用LCAO-Recursion方法研究了应变层超晶格(SLS)(Ge)n/(Si)n(n=1,2)的电子结构。计算了超晶格体内和表面Ge、Si的局域和分波态密度及其原子价。讨论了不同的n对(Ge)n/(Si)nSLS电子结构的影响。我们发现超晶格表面存在表面态,表面退杂化。电子在超晶格界面处发生转移,并随n的不同,转移量不同。 相似文献
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势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构及电子密度分布 总被引:2,自引:1,他引:1
在有效质量近似基础上,采用非均匀网格有限差分法,通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解,得到了生长在Ge0.3Si0.7(001)衬底上的势垒区8掺杂量子阶Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布.讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响. 相似文献
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采用高分辨喇曼光谱仪测量了Si/Si_(1-x)Ge_x应变层超晶格中折叠纵向声学支(FLA)声子的非弹性散射谱.通过改变激光波长得到了拆叠布里渊区边界附近FLA声子的色散曲线,并第一次获得了四级FLA声子带隙.将RRytov理论和精确测量结果进行了比较,讨论了Rytov理论的应用范围及限制,发现在拆叠布里渊区边界上Kytov理论与实验有明显分歧.高分辨喇曼谱还揭示出FLA声子峰的精细结构和系列卫星线,讨论了产生这些精细结构的机制以及用于材料标识的可能性. 相似文献
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X射线双晶衍射仪系统中受参考晶体分辨率等因素的影响,X射线的相干长度不超过1 μm.X射线在异质外延晶体材料内衍射时,不超过相干长度范围内厚度外延层中的衍射波会产生相干叠加,否则,产生非相干叠加.分子束外延(MBE)生长了短周期InGaAs/GaAs超晶格,在其摇摆曲线中观察到显示X射线在超晶格结构中衍射相干特征的多级卫星峰及Pendell(o)song干涉条纹,并利用相干光理论对超晶格结构信息诸如周期及"0"级峰位置等进行了分析. 相似文献
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采用有效质量近似下的包络函数方法,对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的势位及电子密度分布进行了自洽计算.详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响. 相似文献
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