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相似文献
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1.
综述了近年来高居里点PTC陶瓷研究和PTC低温烧结研究的进展。着重讨论了(Ba,Pb)TiO3 系高居里点PTC陶瓷中Pb 的影响以及改善其性能的研究,并对PTC低温烧结作用机制及其途径进行了论述。  相似文献   

2.
将金属Ni加入到(Ba,Sr)TiO3陶瓷基质中来制备低阻复合PTC材料.复合材料在石墨粉形成的弱还原气氛下烧成后,Ni主要以单质态存在.研究了添加Al2O3-SiO2-TiO2 (AST)与PbO-B2O3-ZnO-SiO2玻璃料对复合材料微观结构和电性能的影响.与AST一样,玻璃料可作为复合材料的烧结助剂,更突出的是玻璃料能实现金属Ni在陶瓷基质中的均匀分布.从烧结助剂引起的陶瓷基质和金属分布两方面的变化来讨论复合材料的电性能.采用玻璃料作为烧结助剂,复合材料获得了较低的室温电阻率和较高的升阻比.  相似文献   

3.
(Ba,Sr)TiO3半导化陶瓷PTC效应的改善   总被引:1,自引:0,他引:1  
烧结温度、受主掺杂以及液相添加剂都会改变(Ba,Sr)TiO3陶瓷的PTC效应.结合微观结构变化和理论研究进展,讨论了这3种因素对PTC效应的影响.结果表明,低的烧结温度不利于低的室温电阻率和高的升阻比.高的烧结温度有利于获得高升阻比.MnO2含量的增加和BN的添加,分别从提高有效受主态密度和改善微观结构两方面改善了PTC效应.x(MnO2)由0.04%增加到0.05%,同时x(BN)=2%,在保持室温电阻率几乎不变的情况下,升阻比提高了2.5个数量级,阻温系数从4.0 /10-2·℃-1增加到13.8 /10-2·℃-1.  相似文献   

4.
将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响。实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数增大60%,常温电阻降低20%,耐压增大13%,升阻比增大近1个数量级。并对纳米Al2O3增强PTC效应机理进行了探讨。  相似文献   

5.
为了提高低温烧结BaTiO3基热敏陶瓷的PTC效应,提出在BaO-B2O3-SiO2烧结助剂中加入MnO(以Mn(NO3)2形式加入)的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO(BBSM)烧结助剂对Y3+掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的低温烧结和PTC特性的影响。结果表明:含有x[Mn(NO3)2]为0.06%的BBSM烧结助剂的样品,在1050℃保温3h下烧结后,其室温电阻率为306Ω·cm,升阻比为4.23×103。  相似文献   

6.
液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响   总被引:2,自引:1,他引:1  
采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,居里点tC为74℃,阻温系数α为13.9%℃–1,升阻比lg(ρmax/ρmin)为7.2,耐压强度Vb≥260V/mm的PTC材料。  相似文献   

7.
采用射频磁控溅射法在Si和Pt/TiOx/SiO2/Si衬底上沉积了(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜,研究了BST铁电薄膜微观结构和介电性能。实验结果表明:衬底温度在550℃,工作气压为2.0 Pa的溅射条件下沉积的BST薄膜,经750℃退火处理30 min后,形成了完整的钙钛矿相;与Si衬底相比,在Pt衬底上制备的BST薄膜晶粒更均匀、表面平整无裂纹。在室温、频率为100 kHz条件下薄膜的介电常数ε=353.8,介电损耗tanδ=0.012 8。介电温谱结果表明制备的(Ba0.65Sr0.35)TiO3铁电薄膜居里温度在5.0℃左右。  相似文献   

8.
介绍了我国研制的独石电容器低温烧结(2E4)瓷粉的技术要求、生产工艺和使用注意事项;呼吁广大生产以满足独石电容器厂家需求。  相似文献   

9.
为了得到低烧结温度、较低室温电阻率的BaTiO3基半导体陶瓷,提出在BaO-B2O3-SiO2-MnO烧结助剂中加入LiF的方法,研究了BaO-B2O3-SiO2-MnO-LiF(BBSML)烧结助剂对Y3+与Nb5+双掺杂BaTiO3基热敏陶瓷的微观结构和正温度系数(PTC)特性的影响。微观结构分析表明:玻璃助剂中LiF的含量能改变晶界相组成,影响样品的烧结特性和室温电阻率。实验结果表明,x(LiF)=5%的BBSML烧结助剂的样品,在1 050℃保温1 h下烧结后,其室温电阻率为151Ω.cm,升阻比为5.6×103。  相似文献   

10.
采用水基溶胶-凝胶法合成的Li-,Sb-和Ta-共掺杂的(K,Na)NbO3(LTS-KNN)纳米粉体,在1000℃低温烧结2h,成功制备出高性能的(Na0.52K0.44Li0.04)(Nb0.86Ta0.06Sb0.08)O3无铅压电陶瓷,它的d33,kp,k,tanδ,Pr,Ec及相对密度分别达到311pC/N,46.8%,1545,0.024,15.1μC/cm2,1.21kV/mm及98.6%。  相似文献   

11.
徐海萍 《电子工艺技术》2002,23(3):132-133,136
以(Ba,Sr)TiO3为主要原料,适当引入半导化施主元素Y2O3等,用BN进行复合制备样品。研究了BN对材料PTC热敏特性及微观形貌的影响,讨论了烧成温度对产物性能的影响,并对其半导机理进行了分析。  相似文献   

12.
BaTiO3正温度系数(PTC)陶瓷因其具有较高的室温电阻率而使其在低压领域中的应用受到限制,因此,有必要降低其室温电阻率.低阻化的一个途径是将金属与BaTiO3基PTC陶瓷复合来制备复合PTC材料.采用传统陶瓷工艺制备Ni/(Ba,Sr)TiO3复合PTC材料.为避免金属Ni被氧化,复合材料在弱还原气氛下烧成.为排除烧结气氛的影响而讨论金属Ni的影响,(Ba,Sr)TiO3 PTC陶瓷也在同一弱还原气氛下烧成.PbO-B2O3-ZnO-SiO2系玻璃料的加入改善了复合材料的两相分布,优化了复合材料的性能.  相似文献   

13.
MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究了MgO加入到含铅PTCR陶瓷中的作用。用碱土金属Mg2+对(Ba,Pb)TiO3掺杂,在1240~1300℃空气中烧结,获得工艺性能良好,烧结温度较低,电性能优良的PTCR陶瓷材料。试验结果表明:MgO的加入降低了含铅PTCR陶瓷的烧结温度,抑制了PbO的挥发。  相似文献   

14.
高温PTC陶瓷研究进展   总被引:5,自引:1,他引:4  
潘宇  陈旭 《压电与声光》1998,20(5):326-331
概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的研究前景。  相似文献   

15.
用纳米粉制备厚膜敏感陶瓷材料(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
重点研究以Ba1-xSrxTiO3和(V1-xCrx)2O3为主要基体的双基体PTC热敏厚膜材料的相关特性。用(V1-xCrx)2O3取代价格昂贵的RuO2和银粉,不仅降低了室温电阻率,消除了非欧姆接触,同时提高了厚膜材料的性能,并显著降低了成本。独立地设计了用化学共沉淀方法制备Ba1-xSrxTiO3微粉的两个化学反应方程式,深入分析了聚乙二醇和无水乙醇在制备纳米微粉时所起的防止颗粒发生团聚现象的作用。由于大分子量的聚乙二醇几乎是无毒的[1],对人体基本无毒害作用,因而有广泛的推广价值。  相似文献   

16.
BST/PVDF 0-3型复合材料的热释电特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
采用溶胶-凝胶工艺和微波处理技术在900℃合成了Ba0.65Sr0.35TiO3粉体颗粒,并将粉体按不同的比例与PVDF进行复合,按照流延工艺制作成薄膜样品,对样品进行介电和热释电特性的测试。实验结果表明:复合材料的介电常数远远低于Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷,而热释电系数比PVDF材料有大幅度提高,由此计算出复合材料的热释电优值因子比Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷高一个数量级。  相似文献   

17.
选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存取存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料 ;分析了薄膜的结构 ;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温 10 k Hz下 ,(Ba0 .73Sr0 .2 7) Ti O3薄膜介电系数和损耗分别为 30 0和 0 .0 3。在室温 1k Hz下 ,(Ba0 .95 Sr0 .0 5 ) Ti O3薄膜剩余极化强度和矫顽场分别为 3μC/ cm2和 5 0 k V/ c  相似文献   

18.
随着电力电子器件向着更高功率密度、更小体积和更高集成度等方向发展,特别是第三代半导体SiC和GaN功率芯片的应用,研究满足高功率密度、高工作电压、耐高温的功率器件封装用互连材料成为近年来的重要课题,开发低温连接、高温服役的高可靠性无铅互连材料具有重要意义.低温烧结铜基浆料具有价格低廉、导电导热性能好、抗电迁移等优点,是...  相似文献   

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