富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

<正>富士通半导体(上海)有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率     

富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件满足高效电源单元供应市场需求

满足高效电源单元供应市场需求富士通半导体(上海)有限公司宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。     

高耐压Si基GaN功率电子器件

基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏间距与击穿电压的关系。器件栅宽为100μm,栅漏间距为15μm时,得到的GaN HEMT器件击穿电压530V,最大电流密度536mA/mm。器件的特征通态电阻为1.54mΩ·cm2,是相同击穿电压Si MOSFET器件特征通态电阻的二十五分之一。所制作的6mm栅宽器件击穿电压400V,输出电流2A。该器件的研制为制作低成本GaN HEMT功率器件奠定了基础。     

富士通半导体大幅扩充FM3系列至570款产品

富士通半导体（上海）有限公司最近宣布了其基于ARM Cortex^TM-M3处理器内核的FM3家族32位通用RISC微控制器产品升级后的阵容。     

一款100V的GaN HEMT功率器件及其温度特性

功率器件应用于航空航天等领域,可以起到功率转换、开关控制等作用。以GaN为代表的宽禁带半导体材料器件已逐渐地成为新型功率器件的不二选择。介绍了一款p型GaN栅的100 V GaN HEMT功率器件,给出了该器件各项参数的仿真情况、常态测试参数和三温实验数据,并给出了仿真结果与器件实测结果的对比情况。相较于25℃,在125℃环境温度下,器件阈值电压漂移-0.1 V;在-55℃环境温度下,阈值电压漂移+0.1 V;在-55～125℃全温范围内,器件击穿电压没有明显的变化,均为108 V。说明该GaN HEMT器件有较强的全温范围适应能力。     

IR成功研制GaN功率器件技术平台

International Rectifier（IR）公司日前宣布，他们已成功研制出具有革命意义的基于氮化镓（GaN）材料的新一代功率器件技术平台，该平台将为诸多领域内的关键应用提供强力支持。     

宽禁带半导体功率器件

阐述了宽禁带半导体的主要特性与ＳｉＣ、金刚石等主要宽禁带半导体功率器件的最新发展动态及其存在的主要问题,并对其未来的发展作出展望。     

中国功率器件市场发展展望

随着节能产品需求的增多,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多的应用到整机产品中。而且在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下,中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合增长率达27．8％,是半导体产品中市场发展相对较快的产品。     

基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术

介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。Si衬底LED芯片制备采用上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺,封装采用仿流明大功率封装,封装后白光LED光通量达80 lm,光效达70 lm/W,产品已达商品化。与蓝宝石和SiC衬底技术路线相比,Si衬底LED芯片具有原创技术产权,可销往任何国家而不受国际专利的限制。产品抗静电性能好,寿命长,可承受的电流密度高,具有单引线垂直结构,器件封装工艺简单,而且生产效率高,成本低廉。其应用前景广阔,是值得大力发展的一门新技术。     

国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaN HEMT与Si CMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaN HEMT材料集成技术的研发进展.分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点.     

可替代分立功率器件的SEMITOP

赛米控公司的SEMITOP是将多个功率芯片（如IGBT、二极管、输入整流桥等）集成在一起的单个功率模块。该模块的高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间，同时也保证了良好的连结性及可靠性。由于SEMITOP使用的是先进的处理材料（例如DBC陶瓷衬底和内部的硅胶覆盖物），故其对于外部温度的改变和机械应力有较强的免疫力和品质保证。图1所示是SEMITOP的外形封装图。     

富士通半导体推出可支持不同接口的接口桥接芯片

富士通半导体（上海）有限公司日前宣布,新推出接口桥接芯片“MB86E631”,该芯片内部集成了一个双核ARM Cortex^TM—A9处理器与许多不同接口于一体。新产品样品将从2012年12月晚些时候可以提供。     

GaN基SBD功率器件研究进展

作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。     

飞利浦多重市场半导体推出系列新产品

飞利浦半导体将汽车电子、电源管理、接口产品、标准IC、通用产品和小信号分立器件定义为其多重市场半导体产品,也就是指可广泛用于各式应用的半导体产品。2004年上半年,飞利浦多重市场半导体销售额占飞利浦半导体全部收入的27%。近日,飞利浦多重市场半导体推出一系列新产品,包括业内最快的32位ARM微处理器、业界第一个低功率I2C通用输入输出设备以及新型功率MOSFET。飞利浦电子公司的LPC2130系列以现有32位ARMMCU双倍的速度和4倍的性能提供了具有最高成本效率的MCU。它配备了高达512K字节的128位闪存,采用了0.18微米CMOS技术、…     

我国半导体市场产品的环境简析

2005年我国半导体分立器件市场外资、合资企业占我国分立器件市场的64．9％的份额（图1、图2）。其主要外资、合资企业有：TOSHIBA（东芝）、RENASAS（瑞萨）、Rohm（罗姆）、Matsushita（松下）、Sanyo（三洋）、NEC、FUJJITSU（富士通）、Fuii、Electric（富士电子）、Sanken（三肯）、On Semiconductor（安森美）、Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）、International Rectifier（国际整流器）、Vishay（威旭半导体）、Philips Semiconductor（飞利浦）、Infineon （英飞凌）、ST Microeletorics（意法）、KEC、LITEON Group（宝光）（中国台湾省）。     

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.