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本文报道了SOI(Semiconductor On Insulator)材料的场助键合技术,其中包括SiO2-SiO2,Si-SiO2,Si-石英,GaAs-玻璃等的键合,利用各种检测手段对键合材料的键合面积,键合强度,界面形貌及电学特性进行了测试,文中还讨论了场助键合机理,等离子体表面处理方法及场助键合材料的应用实例,结果表明,场助健合技术是一种很大潜力的技术。 相似文献
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本文介绍了等离子清洗工艺所依据的原理和技术,通过对瓣膜混合集成电路的实验说明了它应用于键合工艺前的必要性和实用性,指出等离子清洗工艺是提高产品可靠性的一种有效手段。 相似文献
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田芳 《电子工业专用设备》2013,42(1):5-7,42
论述了晶圆叠层3D封装中的典型工艺——晶圆键合技术,并从晶圆键合原理、工艺过程、键合方法、设备要求等方面对其进行了深入探讨;以期晶圆叠层3D封装能够应用到更加广泛的领域。 相似文献
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基于UV光照的圆片直接键合技术 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了UV辅助活化与湿化学清洗活化相结合的圆片直接键合技术,并利用红外测试系统、单轴拉伸测试仪和场发射扫描电子显微镜,结合恒温恒湿实验、高低温循环实验对键合质量进行了测试.结果表明,采用该技术可以实现较好的圆片直接键合,提高键合强度,控制合适的UV光照时间可以获得更高的强度,对键合硅片进行恒温恒湿和高低温交变循环处理后,硅片仍能保持较高的键合强度.因此,该工艺对于改进圆片直接键合技术是行之有效的,具有很大的应用潜力. 相似文献
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