一种欠采样应用的高精度低功耗采样/保持电路

设计了一种可用于欠采样情况的高精度、低功耗采样/保持电路。在40 MHz时钟频率下,采样90 MHz输入信号时可达11位以上精度。采用电容翻转结构的采样/保持电路,以消除电容失配的影响;使用栅压自举开关,以提高线性度,实现欠采样输入;并设计了一种高增益、大带宽、低功耗的增益自举套筒式共源共栅(telescopic cascode)运算放大器。电路采用SMIC 0.35μmCMOS工艺实现,电源电压为3.3 V,功耗仅为7.6 mW。     

一种10位50MHz流水线模数转换器的设计

采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。     

一种高速低功耗10位逐次逼近模数转换器设计

通过分析并优化逐次逼近模数转换器(SAR ADC)的工作时序,设计并实现了一种高速、低功耗、具有误差补偿的10位100 MS/s A/D转换器。该芯片采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺进行设计。后仿真结果表明,在1.2 V电源电压、20.3125 MHz输入信号频率、100 MHz采样频率下,模数转换器的无杂散动态范围(SFDR)为68.1 dB,有效位数(ENOB)达到9.41位,整体功耗为0.865 mW,FoM值为15 fJ/conv。芯片核心电路面积为(0.02×0.02) mm²。     

一种10位80 MS/s低功耗采样保持电路的设计

给出了一种基于开关电容(SC)电路的10位80 MHz采样频率低功耗采样保持电路。它是为一个10位80 MS/s流水线结构A/D转换器的前端采样模块设计的。在TSMC 0.25μmCMOS工艺,2.5 V电源电压下,该电路的采样频率为80 MHz;在奈奎斯特频率采样时,无杂散动态范围(SFDR)为75.4 dB,SNDR为71.8 dB,ENOB为11.6,输入信号范围可达160 MHz(两倍采样频率),此时SFDR仍大于70 dB。该电路功耗为16.8 mW。     

一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

提出了一种基于BiCMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器.该比较器包含一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器.预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度.基于3.3 V 0.35 μm BiMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于160 MS/s高精度流水线模数转换器.     

一款低功耗高精度A/D变换器

介绍一款低功耗，3V工作电压和0.05%精度的A/D变换器。     

一种四通道高速高精度模数转换器设计

高速高精度模数转换器是现代数字通信系统中必不可少的器件。文中针对多通道数字通信系统,设计了一种单片集成的四通道16 位120 MS/ s 流水线模数转换器,内部集成基准源、时钟输入缓冲器和独立的四路转换核心,通过版图的合理布局,能够确保四路模数转换的一致性以及良好的通道间的隔离度。该电路通过0. 18 μm CMOS 工艺流片并测试验证,在120 MHz 转换速度条件下,能够获得超过75 dB 的信纳比,以及90 dBc 以上的无杂散动态范围,通道间隔离度超过90 dB,整体功耗约1. 3 W。     

一种用于低功耗流水线模数转换器的新型低电压运算放大器

本文提出一种新型适用于低电压的两级运算放大器。该放大器采用电平平移技术和电流镜镜像技术分别在第一级和第二级实现CLASS-AB偏置,在相同的电流消耗下,有效输入跨导相对传统的两级运放提高了一倍,从而实现了低功耗、大带宽、建立时间短的目标。采用嵌套米勒补偿技术和对称结构的共模反馈电路,运放在动态工作时可以达到很好的稳定性。在1.2伏的电源电压、0.18微米CMOS工艺下,该运放用于12位40兆赫兹采样频率的流水线模数转换器前端采样保持中,仿真结果显示,采样保持电路的无杂散动态范围达到95.7dB,总谐波失真-94.3dB,信噪失真比达到89.5dB,功耗仅为5.8毫瓦。     

一种超低功耗放大器的设计

设计了一种集成于电源管理芯片内部的超低功耗运算放大器电路。采用HSPICE，对电路进行模拟仿真，并与传统放大器电路进行了比较。结果表明，该电路具有超低静态电流和超低功耗的特点。     

一种低电压高精度125 MHz采样/保持电路

介绍了一个低电压高精度的高速采样／保持电路。该电路的电源电压为1．8V，在125MHz频率时钟采样时，可达到10位以上的精度；采用栅源电压恒定的栅压自举开关，极大地减小了采样的非线性失真，同时，有效地抑制了输入信号的直流偏移；高性能增益自举的折叠式级联运算放大器减小了有限增益和不完全建立带来的误差。整个电路以0．18μm CMOS工艺库验证，功耗仅为11．2mW。     

高精度流水线模数转换器的全定制版图设计

采用0.18μm混合信号1P6M CMOS工艺,介绍了一种高精度流水线模数转换器的全定制版图设计。该芯片为数模混合信号IC,工作电压1.8 V/3.3 V,具有12位的采样精度和25 MHz的工作频率。版图设计过程中使用了合适的版图布局和电源、地线网络结构,重点介绍了采样保持模块设计上的一些结构和技巧。芯片测试结果表明芯片功能全部实现、性能良好,版图设计较好地实现了电路功能。     

一种高精度低功耗数字温度传感器

提出了一种高精度低功耗数字温度传感器。采用内部寄生PNP管进行感温。设计了一种14位高精度Σ-Δ ADC,将前端感温单元输入的与温度相关的电压信号转换为数字信号,在数字域尺度变换,并最终输出。与使用传统逐次逼近型SAR ADC内核的温度传感器相比,提出的数字温度传感器具有更低的功耗。该传感器采用0.18 μm CMOS工艺设计并流片。测试结果表明,测温精度为±0.7 ℃(-55 ℃~125 ℃),芯片面积为1.2 mm²。     

0.18μm BiCOMS工艺低功耗20GSps采样保持放大器设计

本文介绍了一种能消除共模噪声并抑制偶次谐波的全差分结构开环 20 GSps 采样保持放大器 (THA). 采用CMOS开关和dummy开关实现高速和良好的线性度. 输入缓冲采用交叉耦合对抑制电荷注入和时钟馈通. 输入缓冲和输出缓冲采用有源电感负载增大信号带宽. 电路采用0.18 μm SiGe BiCMOS 工艺实现,电路设计只使用CMOS器件,电源电压为1.8V,芯片核心面积为0.024 mm2. 测试结果显示该THA芯片在20GSps采样速率下对于4GHz正弦输入信号的SFDR为32.4 dB, 三次谐波失真为-48 dBc. 电路有效精度带宽为12 GHz, FOM仅为0.028 mW/GHz.     

一种用于高速ADC的采样保持电路的设计

设计了一个用于流水线模数转换器(pipelined ADC)前端的采样保持电路.该电路采用电容翻转型结构,并设计了一个增益达到100dB,单位增益带宽为1 GHz的全差分增益自举跨导运算放大器(OTA).利用TSMC 0.25μm CMOS工艺,在2.5 V的电源电压下,它可以在4 ns内稳定在最终值的0.05%内.通过仿真优化,该采样保持电路可用于10位,100MS/s的流水线ADC中.     

低功耗高精度运算放大器

美国微芯科技公司推出MCP603X运算放大器系列，包括MCP6031、MCP6032、MCP6033及MCP6034等多款器件。这些次微安放大器的静态电流仅为900nA，带宽为10kHz，在25℃温度下的最大电压偏移只有150μV。适用于医疗、工业及消费市场的手持式和便携式电子设备。     

一种具有11.2有效位1.8V电源的低功耗14位20Msps模数转换器

本文描述了一种14位20Msps模数转换器的设计,该器件基于0.18μm CMOS 工艺,能在奈奎斯特率下实现了11.2有效位。通过无采样保持放大器（SHA-less）结构和运放共享技术使功耗大大降低。提出的一种快速后台校准有效保证了整体的线性度。在1.8V电源电压下,该模数转换器功耗仅为166mW.     

一种280mW,78dB SNR,88dB SFDR流水线ADC设计

为满足接收机系统的应用需求,采用标准0.18μm CMOS工艺设计实现了一款16 bit高精度高速pipelined ADC,电源电压1.8 V,采样频率120 MHz。为了降低SHA-less结构带来的非线性问题,引入高线性输入缓冲器。测试结果表明,在不明显增加芯片功耗的同时能够实现较高的性能,有效位数达到13 bit。输入信号57 MHz,幅度-1 dBFS时,SNR、SNDR、SFDR分别达到78 dBFS、78 dBFS、88 dB;输入信号313 MHz、幅度-1 dBFS时,SNR、SNDR、SFDR分别达到70 dBFS、70 dBFS、78 dB。     

一种低压低功耗CMOS ULSI运算放大器单元

基于新型的折叠电流镜负载PMOS差分输入级拓扑、轨至轨(Rail-to-Rail)AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术和Cadence平台的实验设计与模拟仿真,采用2μmP阱硅栅CMOS标准工艺,得到了一种具有VT=±0.7V、电源电压1.1～1.5V、静态功耗典型值330μW、75dB开环增益和945kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该器件可应用于ULSI库单元及其相关技术领域,其实践有助于CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步发展。