硅低温本征载流子浓度的计算

本文提出了低温区高精度的禁带宽度的表达式,获得了低温区本征载流子浓度的简明公式。考虑到禁带变窄效应的作用,本文导出了重掺杂硅中本征载流子浓度与温度和杂质浓度的关系式。与常温情况相比,低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。     

重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边在反射率极小值处所对应的频率ω_1与ω_2之和与ω_p间的函数关系.并应用此关系对不同载流子浓度的重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs和Inp样品进行实验上的验证,获得了满意的结果.     

GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

利用红外椭偏光谱法（IRSE）对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究。通过对椭偏光谱的理论计算，拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量，并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较。     

基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系

利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度 p/n 之间的公式及曲线。分析了不同 p/n 值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。     

基于二种载流子体系的HgCdTe材料的霍尔电压与载流子浓度关系

利用二种载流子体系的霍尔系数公式导出该体系下霍尔电压与二种载流子浓度 p/n 之间的公式及曲线。分析了不同 p/n 值时霍尔电压值与材料导电类型的关系,确定了适合采用一种载流子体系材料及二种载流子体系材料霍尔系数公式的空穴浓度范围。     

ITO薄膜载流子浓度的理论上限

以氧化铟锡膜为例,讨论氧化物导体透明导电薄膜载流子浓度的理论上限,建立模型并给出了理论公式,得出氧空位和掺杂的最佳含量值。该理论也适用于掺铝氧化锌薄膜．     

用喇曼光谱测定Ⅲ-Ⅴ族半导体带隙和载流子浓度

用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半导体的载流子浓度。     

透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量

用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO薄膜的载流子浓度进行了测量和比较 ,结果表明 IMO薄膜的载流子浓度还不到 ITO薄膜的三分之一。因此 ,IMO薄膜对可见光的吸收小 ,有很大的发展空间可以通过提高载流子浓度而进一步提高电导率 ,对近红外线也有较高的透射率 ,有利于拓展透明导电薄膜的应用领域     

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.     

用激光探针测量半导体器件中的载流子浓度调制效应

本文采用１．３μｍＨｅ－Ｎｅ激光或ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ半导体激光作探针，实时、无损地测量硅半导体器件中的自由载流子浓度的变化．从理论上分析了器件内自由载流子浓度变化引起的折射率改变及由此产生的光相位调制．它适用干硅和砷化镓材料的电子和光电子器件．本方法也显示了在测量集成电路内部有源器件特性方面的潜在应用前景．     

半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程，获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布，为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

GaN材料系列的研究进展

ＧａＮ及其合金作为第三代半导体材料具有一系列优异的物理和化学性质，在光电子器件，高温大功率电子器件及高频微波器件应用方面具有广阔的前景，已成为当前高科技领域的研究重点，论述了这种材料的研究历史与发展现状，物理与化学性质，薄膜的生长方法及在光学电子和微电子器件应用于方面的研究进展。     

载流子寿命对半导体激光器调制特性的影响

针对通常用来研究半导体激光器调制特性的速率方程中所采用的载流子寿命不变近似所存在的问题，重新对小信号调制下半导体激光器的速率方程组进行了线性化处理。     

半导体介质波导中光生载流子的浓度分布

本文采用数值方法求解半导体矩形介质波导中光生载流子的非线性连续方程,获得了光生载流子在波导中的三维空间稳态分布,为严格分析光控矩形介质波导毫米波传播特性打下了基础。     

电化学C-V法对载流子浓度纵向分布的精确测量

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法.用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现,内层低载流子浓度区域测试结果误差较大,主要是由测试系统引起的,由此提出了一种对结果的修正算法.通过对MBE制作专用样品测量证实,用该方法可得到数据准确可靠的测试结果.     

电化学C-V法测量化合物半导体载流子浓度的研究进展

电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法。从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选择提供了参考。     

MBE生长的InSb和InASxSb1—x的载流子浓度剖面分布

在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载流子浓度剖面分布。结果表明:(1)外延层呈 P 型;(2)InSb/GaAs 异质外延层的载流子浓度为(1～2)×10~(16)cm~(-3),比相应的同质外延层 InSb/InSb 的(1～2)×10~(17)cm~(-3)小一个数量级;(3)生长层的载流子浓度剖面分布和质量取决于衬底表面的制备。讨论了有关问题。     

一种测量石墨烯载流子浓度的光学方法

本文根据FritsZernike提出的相衬成像技术—红外相差显微镜,将有助于石墨烯将来的研究和应用。远红外至部分中红外波段,石墨烯相位的变化比强度的变化更加敏感,并且随着载流子浓度的增加,相位与强度的比值越来越大。根据上述原理,可用红外相差显微镜来检测石墨烯载流子浓度,这种方法能够高效、快速和方便地检测载流子浓度。这将为以后的石墨烯研究和应用带来便利。