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强激光在液晶材料中传输时易诱导非线性效应,这种非线性效应对液晶器件光学性能有一定影响。高斯光束通过平行排列的5CB液晶材料后产生自衍射图像,利用高速相机对不同光强的532nm激光通过5CB液晶后的衍射图样成像,获得了从激光作用瞬间到液晶温度达到清亮点附近时衍射图样的变化过程。通过衍射图样对液晶材料光致折射率变化的性质进行了分析。利用基尔霍夫衍射积分公式数值模拟研究了相应强度532nm高斯光束通过非线性液晶材料后在衍射屏上的衍射图样,并与实验结果进行了比对,定性分析了液晶非线性对液晶器件性能的影响。 相似文献
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液晶盒内分子的排列很容易受外场的影响,对向列相液晶盒施加足够大的电场,液晶分子排列和序参数都将随空间变化,序参数发生变化会有序电效应产生,要考虑序参数的变化我们选用朗道自由能展开式表示液晶的体自由能密度。本文讨论的是平行型液晶盒,利用差分法和计算机模拟计算得到了不同电场作用下向列相液晶分子指向矢和序参数随空间变化的图形规律.并讨论了序电效应和序电极化能对自由能密度的影响。 相似文献
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用统计物理的方法讨论了外加静电场对向列相液晶的影响。结果表明,电场诱导的向列相取向序参量、双折射和向列相—各向同性相的相变温度的改变是场强的偶函数,在电场较弱时与场强平方成正比。 相似文献
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基于光学琼斯矩阵理论,研究掺杂Sm_2O_3的向列相液晶TEB30A在弱磁场中的光栅衍射特性。结果表明,自然光通过处在弱磁场中的适量配比的Sm_2O_3/TEB30A样品后,会在远场产生衍射条纹,且衍射条纹会随外磁场强度的增加而出现动态的变化。产生衍射条纹是由于适量的Sm_2O_3的掺杂,使得向列相液晶TEB30A的折射率各向异性Δn沿外磁场方向呈现周期分布,形成了液晶光栅;当外磁场强度发生变化时,处在外磁场中的Sm_2O_3粒子和液晶分子的分布会随之发生变化,导致Δn沿外磁场分布的周期发生变化,从而引起液晶光栅常数发生变化,因此,衍射条纹呈现出动态变化的效应。模拟结果表明,当外磁场强度由0.464 9T增加到0.518 5T时,液晶光栅常数由0.5cm降到0.4cm。这一技术研究方法将大大降低液晶光栅的成本,同时,弱磁场环境也为使用者提供了一种安全的使用环境。 相似文献
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介绍了一种利用二元光学实现光波分束的方法,利用傅里叶光学的方法推导了各级衍射的效率公式,以及实现分束功能对应的台阶高度的计算方法。 相似文献
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在液晶指向矢计算的基础上,本文得到了向列相液晶在电场下折射率分布和相位延迟。并在矩形光栅和正弦相位光栅的基础上,分析了液晶衍射光栅对入射光一级衍射情况及其衍射效率,得到了它的数学模型。 相似文献
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详细阐述了液晶光栅的工作原理及两类液晶光栅的结构设计和制作工艺,分析了它们的优缺点及其应用情况。并对液晶光栅在空间光通信中的应用做了展望。 相似文献
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