有关割集电压的讨论

本文分析了几种电路教材对割集电源概念的引入,并指出存在的问题。通过将割集电压和回路电流进行类比,将这两个概念的来龙去脉梳理清楚。利用例题讨论了如何应用割集电压求解电路。最后给出讲授割集电压的方法。     

一种通用的电路基本割集直接确定方法

实现了一种通用的电路基本割集直接确定方法,该方法依据自行定义的节点-节点关系矩阵、节点平面坐标矩阵以及支路分配规则,将原有向图改画为支路彼此不相交的三维有向图,通过三维闭合曲面切割,最终在三维空间形象地显示各基本割集及其方向,便于学生的直观理解。这种方法既适用于复杂的非平面电路,也可用于简单的平面电路,弥补了教材中现有方法(闭合平面切割法和依据定义的排除法)的不足。     

一种通用的电路基本割集直接确定程序

实现了一种通用的电路基本割集直接确定方法,该方法依据自行定义的节点-节点关系矩阵、节点平面坐标矩阵以及支路分配规则,将原有向图改画为支路彼此不相交的三维有向图,通过三维闭合曲面切割,最终在三维空间形象的显示各基本割集及其方向,便于学生的直观理解。这种方法即适用于复杂的非平面电路,也可用于简单的平面电路,弥补了教材中现有方法（闭合平面切割法和依据定义的排除法）的不足。     

含全感割集多线圈耦合网络回路方程的直接形成算法

在本文作者之一的前文(1991)基础上,将尽可能多的耦合支路以及所有电流源支路选为连支,从而在不进行矩阵运算的情况下,可以根据网络的拓扑结构和元件参数直接建立含有全感割集多线圈耦合网络的以连支电流为待求量的回路电流方程。并用实例进行了说明。     

非线性电路的割集故障诊断

文中提出了混合故障增量电路的概念,给出了非线性电路故障诊断的一种新的线性方法—割集法,讨论了它与节点法和支路法之间的关系。     

含全感割集多线圈耦合网络回路方程的直接形成算法

在本文作者之一的前文（１９９１）基础上，将尽可能多的耦合支路以及所有电流原支路选为连支，从而在不进行矩阵运算的情况下，可以根据网络的拓扑结构和元件参数直接建立含有全感割集多线圈耦合网络的以连支电流为待求量的回路电流方程。并用实例进行了说明。     

计算机通信网总可靠度的割集状态提取法

本文提出了一个简单而快速的计算网络总可靠度的新算法——割集状态提取法。其特点是对图每进行一次割集状态提取的变换,图的边和顶点数就明显减少,一般图只要经过数次变换就成了平凡图,于是产生了图的不交生成树集,也就很容易得出网络总可靠度的表达式。对于顶点少而边多的图更能显示出本算法快速精确的特点。     

网孔回路方程独立性的证明

运用线性代数理论，证明了网孔回路KVL方程的独立性。     

一种由基本割集矩阵求网络图的方法

对于一个给定的网络图,可以确定对应的网络矩阵。同样,如果给定网络矩阵,也能够画出对应的网络图。本文讨论由基本割集矩阵求网络图的方法,该方法利用基本割集矩阵Q和降价关联矩阵A的关系,由Q得到A,进而画出对应的网络图。本文的讨论可供从事电路教学的教师参考。     

基于点割集的无线带状传感网分布式寿命预测算法

无线带状传感网是一种典型传感网应用模式,现有的网络生存时间模型大多面向特定的布设模型和工作模式,不能直接应用于带状传感网寿命预测。该文提出一种基于点割集的带状网分布式寿命预测算法。该算法仅利用邻居节点的位置和剩余生存时间等局部信息求解点割集及局部网络生存时间,通过相邻节点间交互包含局部网络生存时间的信令,估计整个网络的剩余生存时间。仿真结果表明,与现有基于梯度的网络生命估计算法相比,该文算法能准确且实时地估计网络的生存时间。     

由牛顿算法求解Pao-Sah电压方程的一个初始值

目前集约建模的趋势是由基于阈值电压的模型转向基于表面势的模型,而后者需要一个对非线性Pao-Sah电压方程的精确解,作为隐含数方程,Pao-Sah电压方程必须数值求解以求得表面势。牛顿算法是一个收敛较快而常用的算法,但却易收敛到错误的根,提出一个能保证牛顿算法收敛到正确的表面势解、且具有可控的高精度及运算速度的初始值,由该初始值计算并分析了数值计算结果。高精度的数值解可作为其它近似解的检验。     

一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路

通常PMOSFET栅源电压为-20~20 V,而用于GaN功率放大器的高压PMOSFET驱动器,其工作电压为28~50 V,因此需要一种新型电路结构来保证PMOSFET栅源电压工作在额定范围。设计了一种新型电压跟随电路,采用新型多环路负反馈结构,核心电路主要为电压基准单元、减法器单元、误差放大器单元和采样单元,可产生稳定的跟随电压。该电路具有宽电源电压范围、高输出稳定性以及低温度漂移等特性。基于0.5μm BCD工艺对电路进行流片,测试结果表明,采用该电路的驱动器芯片,其电源电压为15~50 V,输出电压变化量约为0.6 V,在-55~125℃温度范围内,电压漂移量约为0.12 V,满足大多数PMOSFET栅源电压的应用要求。     

CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的研究

本文介绍CM7510系列CMOS高压模拟开关电路的设计,版图设计,工艺及电路性能。从理论和实验中分析了常规工艺中影响击穿电压的几个关键工艺参数。     

一种高性能的亚阈值CMOS电压基准

基于0.18 μm CMOS工艺设计了一种高性能的亚阈值CMOS电压基准。提出了一个电压减法电路,将两个具有不同阈值电压且工作在亚阈值区晶体管的栅源电压差作为电压基准输出。所提出的电压减法电路还可以很好地消除电源电压变化对输出基准的影响。后仿仿真结果表明,所设计的电压基准在0.55~1.8 V电源电压范围内,线性灵敏度为0.053%/V~0.121%/V;在-20 ℃~80 ℃范围内,温度系数为9.5×10-6/℃~3.49×10-5/℃;在tt工艺角、0.55 V电源电压下,电源抑制比为-65 dB@100 Hz,功耗为3.7 nW。芯片面积为0.008 2 mm²。该电路适用于能量采集、无线传感器等低功耗应用。     

一种利用比较器实现可靠启动的带隙基准电压源

提出一种在启动电路中使用比较器配置的带隙基准电压源,解决了带隙基准电压源由于使用双极型晶体管而存在的潜在启动失败问题.该带隙基准电压源通过启动电路的比较器来正确判断启动和关闭点以保证电路启动到理想的工作点,并在电路启动后正常关闭启动电路以缩减功耗消耗,同时避免了其它启动电路存在的问题:引起电路抖动或者求助一些系统中很少使用的上电复位信号等.该带隙电压基准电路提供0.9V的带隙基准电压时,可以工作的电压范围和温度范围分别是1.2V～3.6V和-40～110℃,而且该输出电压在给定的电压和温度范围内仅有5％的变化.     

一个2.4 GHz CMOS LC压控振荡器的设计

采用单层多晶6层金属(1P6M)的0.18μm标准CMOS工艺,设计了一个2.4 GHz电感电容压控振荡器(LC tank VCO)。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型。测试结果表明,在VCO的输入参考频率为1 MHz,工作电压1.8 V时,工作电流为5.5 mA,频率调谐范围2.1~2.8 GHz。     

一种基于新的偏置电路的低电压带隙基准电压源设计

通过设计带隙基准电压源中共源共栅电流镜的偏置电路以实现低电源电压工作。该偏置电路原理是利用一个始终工作在线性区的MOS管来使共源共栅电流镜的两个级联管均工作在饱和区边缘提高输出电压摆幅,从而降低电源电压。电路基于Chartered0.25μmN阱CMOS工艺实现,Hspice仿真结果与分析计算结果相符。基于这种偏置电路所设计的带隙基准电压源最低工作电压仅为2V,温度系数为12×10-5/℃,电源抑制在频率为1～10kHz时为-98dB,1MHz～1GHz时为-40dB。     

一种新型无运放CMOS带隙基准电路

介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比传统无运放带隙基准电路具有更高的精度和电源抑制比。基于0.18μm标准CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下仿真。采用2.5V电源电压,在-40℃～125℃温度范围的温度系数为6.73×10-6/℃,电源抑制比为54.8dB,功耗仅有0.25mW。     

在SOI基上设计实现D/A驱动的高压LDMOS开关电路

设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控制的耐压为300V的LDMOS功率开关电路．该功率集成电路芯片的实现,为SOI高压功率开关电路提供了一种更为方便快速的数字控制设计方法,同时也为功率系统集成电路提供了一种有效的实验验证,从而证实了功率系统集成的探索在理论上以及工程上具有一定的可行性．