SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ，ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势。     

选极型功率晶体管技术特性的研究

本文介绍了新型选极型晶体管主要结构的设计方法,并分析了其技术特性,并报导其突破4万次功率循环的试验结果。在理论分析上对于提高功率晶体管抗热疲劳性能提出了新的见解。     

SMPS功率器件性能分析比较

对SMPS功率器件性能和一定应用条件下的fsm和Tj进行了计算分析，并给出了器件选择和应用的原则。     

新型高频VDMOS功率器件的研究

作者采用一种新方法设计了可在高压下工作的高频VDMOS器件,该器件具有二级场板终端结构。通过在工艺上利用多晶硅选择氧化形成漏表面厚氧化层,不仅可以有效地减小C_(gd),而且可以减小C_(gs)。该方法简化了器件制作工艺并实现了自对准扩散。     

半导体功率器件发展概况

本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.     

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

功率RMOS器件的优化设计

从ＲＭＯＳ器件的导通电阻模型出发，通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系，得出：减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度，可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压；反之，器件的导通电阻和反向耐压增加。同时，浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明，条形结构优于元胞结构。     

VDMOS功率器件开关特性研究

本文详细分析了线性负载ＶＤＭＯＳ功率器件的开关特性，得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试（工作）电流及电压的关系，并以方形原胞为例，指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。     

横向高压功率器件的进展

由于横向高压功率器件在功率集成电路及智能功率电路中具有极其重要的用途，近年来，各种各样的横向功率器件层出不穷。文章讨论了近年来横向功率器件的发展及其主要特性，并对它们进行了详细的分类，以期对各种横向功率器件的特性及其优缺点有一个全面的了解。     

新型功率器件MCT的研究

探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。     

微波功率器件及其电路

简要地介绍了国内外微波功率器件及其电路的发展现状，分析了在微波功率方面与国外的差距，并指出了造成目前差距的原因所在，对以后我国在微波功率方面的发展提出了建议。     

板厚影响通孔再流焊点抗热疲劳性能的试验研究

针对不同板厚的通孔再流焊点进行了热冲击的可靠性测试，以非破坏性和破坏性的试验方式，对比分析了板厚对通孔再流焊点的抗热疲劳能力的影响。结果表明，热膨胀系数(CTE)失配是焊点产生裂纹的主要原因，使得板厚严重影响着焊点的抗热疲劳性能：厚板焊点断裂程度重于薄板焊点，其循环后的强度下降也快于后者，但二者的电性能变化差异不大。     

一种高频高压双极性功率器件的研究

针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。     

提高硅功率器件使用温度的探讨

《ＺＰ型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为１４０℃，为满足坦克硅整流元件的高温要求，在研制硅整充元件过程中，恰当地选取单晶电阻率，加上适当的表面造型和表面保护，制成结温达１９０℃的硅整流元件，使用温度提高了５０℃，满足了装甲兵对坦克整流元件的要求。     

新型功率器件IGBT研制

本文简述了ＩＧＢＴ的设计技术和制造工艺，对ＩＧＢＴ的Ｉ－Ｖ特性，开关特性及闩锁效应进行了系统的研究，结合实施工艺对ＩＧＢＴ的版 图及工艺进行了优化设计。合作开发了适于制作ＩＧＢＴ的异型厚外延材料，成功地制了１０Ａ／８００Ｖ，２０Ａ／１０５０Ｖ的ＩＧＢＴ芯片，给出了试制样品的测试结果。     

影响功率器件散热器散热性能的几何因素分析

型材散热器的几何结构由肋片和基座构成，主要几何参数包括肋片长、肋片厚，肋片数、基座厚、基座宽等，研究了型材散热器几何因素对其热性能的影响，通过改变散热器的几何参数，可以有效的降低散热器的热阻，获得好的散热效果。本文的研究为型材散热器的的选择及优化设计提供了依据。     

SOI功率器件的新进展

回顾了应用于 SOI功率集成电路的 SOI功率器件的发展背景 ,论述了 SOI功率器件的开发现状 ,以及作为 SOI功率器件基础的 SOI材料制备技术和耐压结构研究的最新进展。同时指出了在 SOI功率器件研究中需要解决的问题 ,以及今后的研究发展重点