光电二极管推进光存储器的发展

光电二极管推进光存储器的发展虽然多数人对小型光盘如何工作已有些概念，但只有少数人能详细描述其过程，更少数人可以描述光电二极管对ＣＤ－ＲＯＭ驱动器工作的作用。然而，这种微型元件对驱动器功能有重要影响。ＣＤ－ＲＯＭ是个标准直径为１２０ｍｍ的塑料盘，在从盘...     

机顶盒自动化批量测试平台设计与实现

随着业务不断发展,越来越多型号的电视机顶盒投放市场。当广播电视前端业务升级时,需要对全部在网的不同类型机顶盒进行业务测试,以确保业务升级后用户可正常收视。本文设计了批量机顶盒自动化测试平台,能够构造不同的业务测试场景,实现对批量机顶盒进行同步测试。测试平台解决了传统手动测试单台机顶盒的局限,提高了测试效率,实现了测试自动化管理,对业务发展起到了积极推进作用。     

光电二极管前置放大器设计

许多常用传感器的输出阻抗超过几兆欧,因此,其相应的信号调理电路必须仔细设计,以满足低偏置电流、低噪声和高增益的要求。本文分析介绍光电二极管前置放大器,文中讨论了与高阻抗传感器信号调理电路有关的问题,并提供了实际解决方案。     

雪崩光电二极管芯片自动测试系统

利用Keithley 2400源表、AV6381可编程光衰减器、AV 38124 1 550 nm单模半导体激光器和TZ-608B型光电屏蔽探针台搭建雪崩光电二极管芯片自动测试系统.在Labview环境下开发了自动测试软件,通过软件控制测量仪表,实现了雪崩光电二极管芯片的击穿电压、暗电流、穿通电压及10倍增益工作点电压的自动测试及合格判定.探针台可以根据测量系统反馈的判定结果对不合格芯片进行NG标记,方便划片后对不合格芯片进行筛选和剔除.建立的自动测试系统准确性高,测试速度快,软件操作方便,显示结果直观.同时可以实现测试参数的自动存储,方便进行统计过程控制(SPC)分析.     

可作光子计数的雪崩光电二极管

对于光电倍增管不适用的高灵敏度弱光探测应用，存在一种固体替代器件，即雪崩光电二极管。这种器件在半导体内产生光电倍增，而光电倍增管在真空中产生电子倍增。雪崩光电二极管具有与半导体技术有关的微型化优点。由于这种器件能对单光子计数和探测很短时间间隔，它们已在光雷达、测距仪探测器和超灵敏光谱学方面找到日益增长的应用。另外，雪崩光电二极管在光纤通讯方面正与PIN光电二极管相竞争。雪崩光电二极管如何工作与任何光电二极管，样，雪崩光电二极管中由两类半导体组成的p-n结只允许电流在一个方向流动。光电二极管由一个掺有…     

雪崩光电二极管温漂特性的实验研究

对雪崩光电二极管的温漂特性即增益随温度的变化特性进行了研究,给出了其相应的漂移方程,并对温漂的补偿方法进行了探讨。实验结果对正确使用雪崩光电二极管,确保雪崩光电二极管能够稳定地工作具有重要的参考价值。     

新型高压电缆快速充气试验装置的设计

对原有的高压电缆气密性试验装置进行了技术缺陷分析,创新设计了一种新型的高压电缆快速充气试验装置,阐述了新型高压电缆快速充气试验装置的优点,并且对新研制的气密性试验装置进行了试验应用说明。     

新型OLED测试系统的设计与实现

为了满足OLED准确批量测试及降低系统成本的需要,根据表征OLED器件性能指标的特点,设计并建立了一套可测试OLED电流密度-电压-亮度以及器件衰减曲线的测试系统.该系统在计算机程控测控稳压电源的控制下,可同时对多路OLED进行测试并实现了OLED屏的加速老化的测试,采用光敏二极管传感器代替了通常使用的辉度计,降低了系统的成本.系统最终输出数据结果由计算机记录,提高了数据采样的准确性,对OLED制作的材料和工艺的评测提供了精确的参考数据.     

CMMB系统中软复用的设计与实现

通过对中国移动多媒体广播(CMMB)系统中复用帧结构的分析,提出了一种CMMB码流复用的方法,在该方法中,将待复用的码流分为控制信息的复用和业务信息的复用,通过复用界面设置控制部分信息,从本地输入待复用的音频、视频或者数据,按界面设置要求复用业务信息,最后将控制信息和业务信息组合成CMMB的复用码流.将该种方法用VC+...     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10^-7A，雪崩增益是3。     

氮化镓基雪崩光电二极管的研制

文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10-7A，雪崩增益是3。     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 更多还原     

PIN雪崩光电二极管建模及其特性的研究

针对PIN雪崩光电二极管结构的特殊性,以载流子速率方程为基础,进行适当的假设和拟合,将光、电子量和转化过程完全用数学模型表示,并在Matlab中进行了模拟计算,其结果与实验数据符合较好.该模型可用于对PIN-APD进行直流、交流、瞬态等分析和性能预测.并可与其它OEIC模型接口使用.     

Low‐Dimensional Contact Layers for Enhanced Perovskite Photodiodes

Controlling defects and energy‐band alignments are of paramount importance to the development of high‐performance perovskite‐based photodiodes. Yet, concurrent improvements in interfacial contacts and defect reduction simply by tailoring bottom contacts have not been investigated. An effective strategy is reported that can simultaneously improve energy‐band alignments and structural defects by introducing low‐dimensional contact (LDC) layers at the bottom interface. It is found that LDC‐based perovskites considerably suppress undesirable structural defects induced by microstrains, resulting in reduced nonradiative recombination centers and improved carrier lifetimes. Additionally, the resulting LDC‐based interface structures help block minority carrier injection from the electrodes by forming built‐in electric fields. As a consequence, LDC‐based perovskite photodiodes showed improved light detection capabilities. The result opens an avenue to yield highly efficient photodiodes.     

基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计

PIN光电二极管相对于pn结型光电二极管具有结电容小、量子效率高等优点,但采用标准低压CMOS(LV-CMOS)工艺研制的CMOS传感器只能实现基于n阱/p衬底的pn结光敏元与片上电路的集成,高压CMOS(HV-CMOS)工艺的发展为CMOS电路与PIN光敏元列阵的单片集成提供了可能。基于HV-CMOS工艺设计了一种集成PIN光敏元列阵的CMOS传感器,并对器件的光电响应进行了测试评估。结果表明,集成PIN光敏元的CMOS传感器具有更高的像素增益和量子效率,而暗电流、输出摆幅、线性度等特性保持良好。在500~900nm宽波段范围内,器件的量子效率均达到80%以上,在950nm附近的量子效率达到25%,优于采用其他工艺制作的CMOS传感器。     

基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备

对基于斜台面工艺的背照式pin型GaN紫外雪崩探测器制备进行了简要介绍.通过斜台面制作工艺的对比优化研究,完成了GaN紫外雪崩探测器的低损伤斜台面制作,器件测试结果表明,高质量斜台面能够有效抑制雪崩探测器的表面提前击穿,器件暗电流特性优良,获得了超高雪崩增益的GaN紫外雪崩探测器.