高分子量昆虫病毒DNA基因组的电镜观察——Ⅰ关于解旋高度致密的超螺旋结构的尝试

本文介绍一种解旋高度致密的超螺旋结构得到完全开环分子图像的技术,与一些常规方法相比,此法有独特之处。这一技术为用电镜精确测定高分子量基因组的分子量、进行基因定位及进行复制转录的研究提供了方便。     

案例教学法在中职计算机教学中的运用

通过多年来的调查研究,发现案例教学法在中职计算机教学中有着极大的优点。本文将对案例教学法在中职计算机教学中的运用进行详细探讨。     

电解分析新法

经典电解分析法不适用于有机物质,因为大多数场合下,有机物质电解还原或电解氧化产物的量不可能测定。作者拟出了可以相当精确地测定含量在5.10~(-10)克分子以下的某些有机物和无机物的电解分析法。方法是根据在汞阴极或某种其他阴极上将物质(离子或分子)电解还原时,在铂阳极上同时析出当量的碘。电解进行到被分析的物质完全还原为止,这可以由电流的下降来判断。被分析物质的量由滴定在阳极上析出的碘量(用硫代硫酸钠滴定)来决定。为了使析出碘的当量与被还原物质的当量相等,阴极和阳极过程的电流效率必须达至100%。从析出碘的方面来看,这一条件即使在很大的电流密度下仍能实现。但阴极反应要达     

基于C#手机卡余额批量查询系统设计与实现

在Microsoft Visual Studio.NET环境下,以C#作为开发语言,实现了无人气象站、区域自动气象站、土壤水分站等手机卡卡费余额的批量查询。用户借助Web平台可以实时查询各类设备手机卡余额情况,对于卡费余额不足设定值的手机卡,系统将自动发出短信提醒台站管理员及时充值。     

医院信息系统综合评价体系模型

为推动医院信息化建设工作的规范化,加强医院信息化建设的管理、监督、指导和评审工作,构建出一个具有广泛代表性的医院信息系统评价体系模型,使得我区医院信息化进程能够持续健康的发展. 我们运用一种改进的层次分析法原理,对指标体系中的每一个单一指标进行权重求解,从而得出一个可以求解出系统性能测试和功能测试总得分的指标体系,对医院信息系统进行综合评价. 通过该模型对新疆医科大学两家附属医院信息系统进行计算评分,最终科学有效地评价了该两家医院的信息系统,找出医院信息化工作的不足之处并给出了科学的改进建议.     

基于荧光多元猝灭响应原理膜传感器测定正己烷中的噻吩

用溶胶 凝胶法制备光纤化学传感器测定正己烷中噻吩的浓度 ,在 1 0 .6～ 2 6 5μg/mL浓度范围内与lg(F0 /F) )成线性 ,相关系数为 0 .9984。检出限为 1 0 .6 μg/mL ,该方法的平均回收率为 1 0 5.0± 7.7%。     

FPGA内部块RAM的应用技巧

FPGA验证是ASIC验证的一种很重要方式。主要论述了在ASIC验证过程中FPGA内部块RAM的生成及初始化方法。     

掺杂对BiFeO3薄膜电、磁特性影响综述

随着科技的高速发展,多铁性材料已经成为传感器、微波器件、数据存储、自旋电子学及太阳能电池等领域的研究热点,在智能材料与器件方向显示出可观的应用潜力。BiFeO_3及其衍生的一系列材料Bi_(1-x)AxFeO_3(A=La,Nd,Sm)、BiFe_x B_(1-x)O_3(B=Ni,Mn,Co)的发现使得多铁性材料获得了更迅猛的发展。这类材料属于单相钙钛矿氧化物型多铁材料,在室温以上同时具有铁电、压电、介电、电光、铁磁、光伏、磁电耦合、光催化等效应。BiFeO_3作为一种单相多铁性材料,与同类的多铁性材料相比,其具有较高的居里温度、尼尔温度以及较小的光学禁带宽度和较好的化学稳定性等特点。然而,在制备BiFeO_3的过程中,部分Fe~(3+)向Fe~(2+)转变,并且铋元素熔点较低容易挥发,产生大量的氧空位,造成漏电流较大,很难得到具有较高剩余极化强度的样品;并且BFO薄膜室温下弱的磁性等性质使其实际应用受到极大的限制。多年来国内外学者致力于改善制备条件和参数,使用更先进的制备方法,改用更合适的衬底材料及进行离子掺杂等,以制备多层复合薄膜。其中,离子掺杂对减小漏电流,提高铁电性及室温磁性方面的效果最为理想。各国研究者已经制备出比纯BiFeO_3材料性能更好的掺杂和复合BiFeO_3材料。在不同的位置掺杂多种元素较掺杂单一元素能更好地改善材料的性能。最新报道的采用溶胶-凝胶法制备的多个混合掺杂离子Bi_(0.88)Sr_(0.03)Gd_(0.09)Fe_(0.94)Mn_(0.04)Co_(0.02)O_3薄膜的剩余极化强度增加到108μC/cm~2,显著高于La、Mn、Zn等元素单掺杂得到的极化强度(69.47μC/cm2)。同时,掺杂BiFeO_3薄膜的磁化强度比纯BiFeO_3薄膜提高了3～4倍。这可能是源于:掺杂离子抑制Bi3+的挥发和Fe3+的还原,减小氧空位和缺陷浓度,从而减小漏电流,进一步改善BiFeO_3薄膜的铁电性能;掺杂离子也会导致结构的畸变而打破其螺旋磁结构,从而产生较强的室温磁性。本文首先简单介绍了BiFeO_3材料的结构及其掺杂元素的种类,然后讨论了A位、B位和AB位共掺杂离子对提高BiFeO_3薄膜弱的室温磁性以及减小漏电流、提高铁电性产生的影响,并进一步分析了产生影响的原因,最后提出了未来研究工作的方向。