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Keng Siau 《Requirements Engineering》2007,12(4):199-201
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Phase-change read-and-write memory (PRAM) is a promising memory that can solve the problems of conventional memory—scalability, read/write speed, and reliability. We will review the opportunities and technical challenges of PRAM. The most important challenge of PRAM is the reduction of the writing current. Various approaches to reduce the writing current will be reviewed and the prospects of PRAM are discussed. 相似文献
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通过几个典型事例的分析、判断和处理,介绍了该厂怎样利用91l型数采器对2D12—100/8型空压机运行状态进行监测,以预报早期故障,为设备检修提供指导. 相似文献
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Bor -Yir Chen Wei -Hsiung Wu Jiann -Ruey Chen Chum -Sam Hong 《Journal of Materials Science》1995,30(9):2254-2256
The temperature dependence characteristics of hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors were investigated. The results indicate that as the temperature was increased, the threshold voltage and the field-effect mobility were first increased, and then decreased, which may be controlled by different mechanisms at low and high temperatures. In addition, if the temperature was higher than 420 K, the Fermi level was promoted to the degenerate-like states, the current channel always existed due to the temperature effect, and the threshold voltage became negative. 相似文献
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Double-step generation of ellipses 总被引:4,自引:0,他引:4
The principle of double-step incremental generation of nonparametric curves on a discrete plane is used to develop a double-step algorithm for scan converting ellipses in sixteen separate segments. The algorithm iterates only half as many times as current algorithms, while each iteration demands the same number of operations or slightly fewer operations than M. Pitteway's (1967, 1985) algorithm (previously the fastest one). This marked gain in the speed of scan conversion is due to the fact that the middle pixel in a two-step increment is obtained without computation 相似文献
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