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1.
为了避免回收单一钕铁硼废料中有价元素带来的操作复杂和资源浪费等问题,本研究采用共沉淀法共沉淀出钕铁硼废料中的有价元素Me(Nd,Pr,Co,Fe),制备可用于生产再生钕铁硼的原料;根据质量守恒和同时平衡原理,采用MATLAB软件建立Me(Nd,Pr,Co,Fe)-OH--NH3热力学模型,绘制lg[Me]-p H曲线模拟共沉淀工艺,并根据模拟结果确立了共沉淀工艺;模拟和实验的结果表明:根据lg[Me]-p H模拟结果可以确立一步共沉淀法的p H:6~10,Fe3+比Fe2+更易于沉淀完全;在上述条件下获得的共沉淀粉末主相均为Nd,Pr,Co,Fe的化合物,且有价元素的百分比含量均大于99.4%;其中,当p H值在8左右时回收率最高,在该条件下金属元素Me(Nd,Pr,Co,Fe)的沉淀效率分别为:98.7%,99.9%,93.6%,99.9%。该结果也表明共沉淀法工艺不仅高效,而且所制备的共沉淀粉末可以满足制备二次钕铁硼的需要。  相似文献   
2.
带关键字搜索的公钥加密(PEKS)是一种有用的加密原语,它允许用户将在加密数据上搜索的功能委托给不可信的第三方服务器,而不影响原始数据的安全性和隐私性。但是,由于缺乏对于数据的加密以及解密能力,PEKS方案不能单独进行使用,必须与标准的公钥加密方案(PKE)相结合。因此,Baek等人在2006年引入了一种新的加密原语,称为结合PKE和PEKS的加密方案(PKE+PEKS),它同时提供了PKE和PEKS的功能。目前,已有文献提出了几种PKE+PEKS方案。然而,他们都没有考虑关键字猜测攻击的问题。本文提出一个新的高效且能够抵抗关键字猜测攻击的PKE+PEKS方案,与已有方案相比,该方案在性能上有很大的提升,并且在生成关键字和数据密文时,不需要使用双线性对,极大地降低了计算和存储成本。安全性分析表明,本文中所提出的方案能够满足密文隐私安全性、陷门不可区分性和抗关键字猜测攻击的安全性。效率分析表明,本分提出的方案更加高效。  相似文献   
3.
曾秋云 《电子科技》2015,28(4):116-119
基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。  相似文献   
4.
水资源承载力及其研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
文章简要介绍了我国水资源情况,分析了我国水资源承载力与可持续发展的关系,并阐述了水资源承载力 研究的特点和方法。  相似文献   
5.
分布式无线传感器网络通信协议研究   总被引:64,自引:2,他引:62  
于海斌  曾鹏  王忠锋  梁英  尚志军 《通信学报》2004,25(10):102-110
在归纳分布式无线传感器网络研究进展的基础上,给出了综合分布式无线传感器网络技术各个方面的协议体系结构,并在新的体系结构下,系统地阐述了分布式无线传感器网络通信协议研究的进展,介绍了典型的应用案例和国外相关计划的研究情况。最后,指明了这一处于发展初期的研究领域的未来发展方向。  相似文献   
6.
水口水电站坝高101m,航运过坝采用一线三级船闸和一线垂直升船机。水口升船机是当时国内已建和在建同类升船机中总体规模最大的升船机,也是我国第一座自行设计、制造、施工和安装的大型升船机。在塔楼结构动力分析和试验研究、塔楼滑框倒模施工、升船机整体模型试验研究、承船厢整体制造和浮运、船厢安全锁定装置和船厢对接密封装置试验研究、整机安装及联调试验等方面充分体现了水口升船机的建成是高坝通航技术的新发展。  相似文献   
7.
激光熔覆专用铁基合金粉末的研究进展   总被引:13,自引:0,他引:13  
李胜  胡乾午  曾晓雁 《激光技术》2004,28(6):591-594
指出了目前防止熔覆层开裂所采取的主要措施中存在的问题,阐述了激光熔覆和热喷涂对于所用合金粉末性能要求之异同,评述了激光熔覆专用铁基合金粉末的研制现状,提出了成分与组织设计的新思想。  相似文献   
8.
对攀钢动力厂深井泵站自投产以来出现的主要问题及其解决方案,方法进行了分析和论述。  相似文献   
9.
1 INTRODUCTIONParticlesreinforcedtitaniumalloymatrixcomposites(TMCp)havewideapplicationfieldsfortheirattractivehighspecificstreng  相似文献   
10.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
曾莹  王纪民 《微电子学》1997,27(1):37-42
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。  相似文献   
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