谷胱甘肽对酵母抗冻能力的影响

研究了不同浓度的谷胱甘肽(GSH)对面团冷冻期间酵母存活率、产气能力及面团重量损失的影响。结果表明:随着冷冻时间的延长,冷冻面团中酵母的存活率越来越低,添加GSH的冷冻面团中的酵母菌落数明显高于未添加的冷冻面团,同时,添加了GSH的面团冷冻之后的产气能力显著高于未添加组,冷冻面团的重量损失则低于未添加组。GSH的添加浓度为0.3mg/kg时保护效果最明显。     

变性淀粉干法制备工艺研究进展

该文综述国内外变性淀粉干法制备工艺路线、主要品种及相关设备研究进展,指出干法生产变性淀粉是一种很有价值工艺方法,并对其发展前景进行展望。     

风力发电机塔筒防腐涂料的研制与施工

根据风力发电机塔筒的使用环境、防腐涂层设计要求及施工要求研制了用于风力发电机塔筒的防腐蚀涂料,涂层系统由环氧富锌底漆、厚浆环氧中间漆、脂肪族聚氨酯面漆组成,文章讨论了基料、助剂等对涂层性能及外观的影响,以及施工中遇到的问题和解决方法。     

甜玉米芯多糖对淀粉及消化酶的影响

以甜玉米芯为原料,经干燥、粉碎、过筛等前处理过程后,进行脱脂、脱蛋白、脱色、乙醇醇沉,对得到的醇沉物进行冷冻干燥,得到甜玉米芯多糖。利用不同浓度的甜玉米芯多糖,对可溶性淀粉、直链淀粉、支链淀粉及消化酶的影响进行研究。结果表明,随着浓度增加, 3种淀粉与碘复合物形成及消化有一定抑制作用,且与浓度呈一定相关性;验证了甜玉米芯多糖对直链淀粉和支链淀粉与碘的结合都起到抑制作用,但对前者的抑制作用更加明显。     

甜玉米芯多糖铬配合物的制备、结构表征及体外活性的研究

为提升甜玉米芯多糖生物学活性,制备一种甜玉米芯多糖铬配合物(SCP80-Cr),以单因素实验为基础,以响应面试验优化制备工艺,并进行表征及探究体外活性。结果表明,SCP80-Cr制备最佳工艺条件为pH10.1、反应温度74℃、多糖浓度3 mg/mL,反应时间60 min。SCP80-Cr中Cr元素重量百分比为21.08%,元素百分比为6.67%。对SCP80-Cr进行表征发现,SCP80-Cr几乎不含有蛋白、核酸、色素类物质,而Cr是以Cr-O及Cr-OH的形式与SCP80缔合,并具有较强的分子团聚特性。单糖组成测定说明SCP80-Cr单糖组成摩尔百分比为甘露糖:葡萄糖:半乳糖:木糖:阿拉伯糖=0.58:89.50:4.65:1.33:3.58。体外降糖实验结果表明,SCP80-Cr对α-淀粉酶及α-葡萄糖苷酶抑制率的IC₅₀分别为4.70±0.38 mg/mL和3.99±0.26 mg/mL;体外抗氧化实验结果表明,SCP80-Cr清除DPPH自由基及羟基自由基IC₅₀分别为4.80±0.34 mg/mL和4.99±0.28 mg/mL,说...     

转谷氨酰胺酶交联酶晶体的制备及其结构表征

采用双功能试剂戊二醛对转谷氨酰胺酶晶体进行化学变联,得到交联条件.对交联酶晶体用电镜扫描以及红外光谱和XPS进行结构表征.交联条件:戊二醛质量分数1％,交联pH 6,交联温度4℃,交联时间40min.红外光谱显示,游离酶在1 651 cm-1出现强峰,而交联酶晶体在1 634、1 281和1 241 cm-1出现峰值,在α-螺旋区域没有检测到峰值.通过X-射线光电子能谱分析证实,交联酶晶体与游离酶相比,在285.1 eV处的C1S的信号峰增强,在400.375 eV处的NlS峰几乎消失,说明酶蛋白表面的游离氨基已经与戊二醛结合,表面蛋白结构发生了变化.     

计算机网络上的视频广播

介绍以ＶＣＤ影碟机为前端播放设备的网络视频广播的系统结构,阐述视频广播发送站信息源数据采集方法和节目播放中的同步控制方法,分析了视频广播系统与网络数据传输性能之间的关系。     

纳米二氧化铈制备和应用研究进展

目的 通过比较各类纳米二氧化铈制备方法的优缺点,总结纳米二氧化铈在食品生物化学检测、催化与燃料电池等领域的应用研究,以促进纳米CeO2的发展,并为其应用提供参考.方法 对比分析纳米二氧化铈的制备方法,包括水热合成法、沉淀法、溶剂热法、溶胶-凝胶法、微乳液法和电化学沉积法.阐述纳米CeO2在催化(催化甲苯、CO和NOx、光催化)、食品生物化学检测(抗坏血酸、葡萄糖、黄嘌呤检测等)、燃料电池、食品包装等领域中的应用.结果 通常采用水热合成法制备纳米CeO2.纳米CeO2负载贵金属可制备生物检测催化剂及燃料电池阳极催化剂;纳米CeO2复合金属氧化物可用于制备抗紫外功能的食品包装.结论 纳米CeO2在食品生物化学检测、催化与燃料电池等领域有广阔的研究空间.     

变形终止温度对GCr15轴承钢显微组织的影响

采用MMS300热模拟试验机对GCr15轴承钢的热变形工艺进行模拟,研究变形终止温度对其显微组织的影响。结果表明,变形终止温度在770~870℃内变化时,其显微组织均为片层状珠光体+沿晶界分布的先共析碳化物,并且先共析碳化物周围存在铁素体薄膜。随着变形终止温度的升高,晶粒尺寸和珠光体团的尺寸均增加,珠光体的片层间距略微减小,硬度增加。通过回归分析获得维氏硬度与片层间距倒数的拟合方程HV=38.3S-1+92.7。变形终止温度在810~870℃内升高时,碳化物的网状程度增加。与810℃相比,变形终止温度为770℃和790℃时,碳化物的网状程度较严重。     

基于"层"模式的双机容错系统

容错技术广泛应用于各个行业来保证系统的冗余和可靠性。文章在分析比较当前的双机容错系统的性能优缺点后,提出了一种全新的基于“层”模式的双机容错系统解决方案。按照这种模式,可以从链路层到应用层构建一个通用的系统级的双机容错系统。文章对其实现的关键技术进行了阐述。