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1.
内容导读目前,针对潜在6G关键技术的场景与需求研究成为学术界的热点。面向未来更多类型终端的智能互联与新兴服务的需求,人工智能应用于无线通信物理层的信道估计、编译码及接收机设计,解决基于大数据的网络自主优化,基于泛在无线感知和边缘侧的强大算力构成的多接入边缘计算,已成为6G无线技术发展的重要趋势。在未来智能车联网、物联网、有人/无人交互、全息通信等场景下,面向未来的智能通信计算融合需求,存在许多拟待解决的关键科学问题。  相似文献   
2.
张艾佳  刘正捷 《电视技术》2021,45(11):95-99
碎片化学习难以集中记录,存在无法迅速定位到自己需要的学习内容等用户体验问题.传统方法不能采集真实情境下的用户数据,无法满足研究人员的研究需求.基于此,开发一种基于用户行为的捕捉工具——CAUX(Context-Aware User Experience,CAUX),设计了具有情境感知能力的数据采集模块,自动捕捉指定App内的用户行为数据.CAUX对用户干扰性低,可以辅助研究人员捕捉典型的碎片化学习行为.对利用CAUX采集到的数据进行处理,并结合人工方法进行分析,可以发现不同情境下的用户行为和用户体验问题.  相似文献   
3.
Because of heat amount is different from peripheral to central of friction welding interface, which is leaded to vary the characterizations along that interface. Current study, respectively, focused on the effect of different friction pressure on micro-structural and mechanical properties of that friction welding joint interface. Presently, these friction pressures are 110, 130, 150 and 170 MPa while kept all other conditions constant. The effects of different friction pressure on welding interface characterization were investigated by EDX, SEM, tensile, compression, impact and hardness tests. The tensile tests carried out on the standardized test piece with diameter 6 mm and 8 mm, thus, compression tests were extracted from the positions of 0°, 45° 90° with test specimen of 4 mm diameter and 6.5 mm length at weld center. Whereas, the impact test pieces were picked up in two positions, the first one is symmetrical, which it obtained to the respect of the rotation axis and the interface, on the other hand, the second one is non-symmetrical with the axis of rotation and symmetrical to the interface, for making the notch head coincide with the center of the welded joint, The obtained results showed that with reducing of friction pressure will present lack of bonding increasing from peripheral toward the welding center, which will responsible on reducing of the mechanical properties such as tensile, compression and impact strength.  相似文献   
4.
目的研究蛋类礼盒包装结构的缓冲性能。方法以蛋类尺寸为基础,建立可发性聚乙烯(expandable polyethylene. EPE)缓冲单元结构和组合结构,进行静态仿真分析和实验验证,比较结构在形状、叠合层数、组合形式等参数变化时的载荷与位移。结果结构层数变化相同时,单元结构的极限载荷从143N增加到236 N,组合结构的极限载荷从224 N增加到476 N,均呈近线性增长。结论蛋类礼盒包装中,组合结构的承载能力优于单元结构,通过单元结构的组合,可满足不同蛋类的包装要求。  相似文献   
5.
为研究钢管套筒灌浆连接轴向受拉破坏过程及破坏机理,试验中设计了16组48个钢管套筒灌浆连接试件,试件采用钢板代替圆钢管,并进行静载试验。分析了灌浆料裂缝扩展过程、荷载-相对位移曲线,并对抗剪键高距比、灌浆料厚度、侧向力等因素对破坏过程及承载力的影响进行分析。结果表明:对于不设置抗剪键的套筒灌浆连接试件,斜裂缝随机产生,裂缝分布不均匀;对于设置抗剪键的套筒灌浆连接试件,裂缝首先出现在底部抗剪键位置处,与水平方向夹角约为30°,随后在中部和上部抗剪键位置处分别出现斜裂缝。由于每个抗剪键上荷载分担并不均匀,与抗剪键接触的灌浆料逐渐达到极限压应力,达到极限状态时,承载力全部由抗剪键间的机械咬合力承担,在连接承载力中,可忽略摩擦力和胶结力作用。随着抗剪键高距比h/s增大,各试件初始剪切刚度相差不大,承载力增大,但增幅逐渐减小,建议抗剪键高距比0.06g/s>0.3,同时需要满足灌浆料灌注的施工要求。  相似文献   
6.
Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth.  相似文献   
7.
针对基站柜式空调耗电量大的问题,创造性地使用基站分布式冷却的方式,达到精确送风,节能高效的目的.在应用实践中检验了分布式冷却系统实际节能量和应用效果,总结出分布式冷却系统应用场景和范围,为更大范围推广应用DCS分布式冷却系统提供实践依据.  相似文献   
8.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel.  相似文献   
9.
在简述V.35接口的基础上针对V.35接口速率可变的应用需求提出了一种速率可变的帧结构,该帧结构可支持N×64kb/s(3≤N≤32)速率,从而在V.35接口上实现了多种速率的低速业务传输.  相似文献   
10.
The fracture behaviour and morphologies of high-strength boron steel were investigated at different temperatures at a constant strain rate of 0.1 s-1 based on isothermal tensile tests. Fracture mechanisms were also analyzed based on the relationship between microstructure transformation and continuous cooling transformation(CCT) curves. It is found that 1) fractures of the investigated steel at high temperatures are dimple fractures; 2) the deformation of high-strength boron steel at high temperatures accelerates diffusion transformations; thus, to obtain full martensite, a higher cooling rate is needed; and 3) the investigated steel has the best plasticity when the deformation temperature is 750 °C.  相似文献   
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