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41.
本文针对目前视频共享过程中的关键环节,提出了利用Hadoop平台的相关技术改良视频转码环节,提高转码质量与效率.本文分别对两种现有的公共的云服务平台进行介绍,并对涉及的相关技术进行了详细阐述.根据不同的转码要求,可以选择现有的云平台搭建Hadoop框架去解决问题,降低技术门槛,提高服务质量.  相似文献   
42.
针对超大超深基坑降水水位在-30~-40m时,地下水补给性强,导致管井降水效果不理想、成本递增的情况,以沈阳某深基坑降水工程实例作为实践对象,介绍了二级接力降水施工技术的工艺原理及实践效果。结果表明:该基坑采用"坑中坑"二级接力降水方案是可行的,相较于传统基坑外一级降水工艺,二级接力降水工艺加快了施工进度、提高了降水效果、节约了降水成本。  相似文献   
43.
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出一系列衬底温度不同的纳米碳化硅薄膜,衬底温度分别为室温,200、400、600、700℃,并对样品进行了Raman和傅立叶红外测试分析.结果表明,随衬底温度的升高,薄膜结晶度提高,其晶粒尺寸为纳米数量级.通过FTIR不仅观察到SiC的TO声子在红外被激活,而且LO声子在粒径很小或薄膜很薄时也能在红外被激活,体现了纳米SiC较强的红外吸收特性.  相似文献   
44.
采用Fenton试剂对100mL含水率为95%的剩余污泥进行预氧化,探究其对污泥脱水效果的影响。结果表明:Fenton试剂预氧化污泥的最佳条件为:pH=3、反应时间60min、H_2O_2投加量为6g、H_2O_2与Fe~(2+)的质量比为12/1。分别将原污泥和预氧化的污泥在0.04MPa真空度下进行抽滤脱水,原污泥含水率降到74.3%,预氧化的污泥含水率降到了64.5%,说明Fenton试剂预氧化能够有效改善污泥的脱水效果。  相似文献   
45.
为了解决深刻蚀绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)材料时存在的横向刻蚀(Footing)效应,在背腔释放SOI微机电系统(micro electro mechanical system,MEMS)工艺基础上,提出并实现了一种改进的利用背面保护电极抑制Footing效应的工艺方案.在SOI圆片上生长SiO2和Si3N4掩模材料并图形化后,背面腐蚀支撑层Si至掩埋层SiO2.去除掩埋层SiO2后,完成正面Al电极和背面保护Al电极的溅射.深反应离子干法刻蚀SOI圆片形成结构,再腐蚀背面Al薄膜完成结构释放.基于该工艺,对结构层厚度为80μm的采用双端固支梁的SOI微加速度计的结构进行设计与仿真、器件加工和最终的性能测试.加速度计在±1 g(g=9.8 m/s2)范围内的灵敏度和非线性度分别为106.7 mV/g和0.1%.实验结果表明,该改进工艺方案可以有效抑制Footing效应对器件结构的损伤,提高加工的可靠性.  相似文献   
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