RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为1035cm2/(V·s),二维电子气浓度为1.0×1013cm-2,77K迁移率为2653cm2/(V·s),二维电子气浓度为9.6×1012cm-2的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm)的室温非本征跨导为186mS/mm,最大漏极饱和电流密度为925mA/mm,特征频率为18.8GHz.     

焊接层数对焊接残余应力和变形的影响

以有限元分析软件ANSYS为平台,应用生死单元技术模拟焊缝金属填充过程,对Q345R钢材角接焊接接头单层焊、两层焊和三层焊的焊接温度场和残余应力场进行了数值模拟,并对模拟结果进行了对比分析。结果表明,随着焊接层数的增加,角接焊接接头的残余应力和变形都会减小。     

GaAs半导体掺杂浓度的电反射光谱的研究

在波长300～1 100nm范围内,对GaAs进行了电反射光谱的研究。建立了电反射光谱的测试系统,并对实验和理论作了详细分析。推导了某一固定波长电反射光谱与半导体表面掺杂浓度的理论关系。并利用电反射光谱的实验曲线计算了GaAs的表面掺杂浓度,所得结果与电化学C—V的测试结果一致,其精度为5％。     

Process factors influencing spinning deformation of thin-walled tubular part with longitudinal inner ribs

As a successively and locally plastic deformation process, ball backward spinning is applied for the purpose of producing thin-walled tubular parts with longitudinal inner ribs. By simplifying ball backward spinning as forward extrusion mechanics model, slab method is used in order to solve spinning force. Based on plastic mechanics, the influence of the process parameters involved on formability of inner ribs as well as the quality defects of spun parts is analyzed so as to present an approach to acquire the desired parts. The quality of inner ribs is one of the critical tasks in obtaining the desired spun workpieces and the height of inner rib depends greatly on spinning material,ball diameter, feed ratio, and wall thickness of tubular blank. The knowledge of the influence of process variables such as ball diameter, feed ratio, and wall thickness of tubular blank on the spinning process is essential to prevent the quality defects of the spun parts and obtain the desired spun parts.     

一种含Re叶片钢的热处理工艺和组织性能研究

为了掌握含Re的高温叶片用钢11Cr10Co2W2MoReVNbNB的最佳热处理工艺和组织性能,对钢进行了热处理工艺试验和组织性能分析。采用Gleeble3800型热/力模拟试验机测定了钢的相变点,采用INSTRON-5582型电子拉力试验机、HVS-1000型维氏硬度计测定了钢的力学性能,采用Olympus-PMG3型光学显微镜、SUPRA55型扫描电镜、FEI Tecnai G2 F30型透射电镜分析了钢的组织性能。实验结果表明:钢在1 100~1 140℃内淬火、在660~700℃内回火时,淬火温度和回火温度对材料性能基本没有影响;与其他高温用12%Cr钢相比,11Cr10Co2W2MoReVNbNB钢具有良好的韧性,室温V型冲击性能高达40 J以上;钢的组织为回火索氏体,组织均匀、晶粒细小。钢的最佳热处理工艺为(1 120±10)℃油冷+(690±10)℃空冷,钢的主要强化相为M23C6,Re主要存在于基体中,起固溶强化作用。     

PDM环境下基于实例推理的变型设计技术研究

针对建立实例库时存在的问题,对基于实例推理的变型设计进行了研究,提出了在PDM环境下建立实例库的方法.分析了实例推理的一般过程,提出了一种基于实例推理的变型设计求解模型,在此基础上, 以汽车产品为例,提出了一种变型设计的检索方法,为实现汽车产品的变型设计奠定了基础.     

人造板甲醛释放量干燥器法测定的干扰及对结果的影响的探讨

本文讨论了干燥器法溅定甲醛释放量的一些主要干抗因素。分析了测定时污染分析环境对显色剂、吸收剂的污染，造成对结果的误差，以及干燥器的密封性及样品稳定期对结果的影响。     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.