CVD法SiC纤维的强度测试及评价

化学气相沉积(CVD)法制备的S iC纤维是一类重要的增强体,广泛用于金属基复合材料。文中测定了国产CVD法S iC纤维在室温下的抗拉强度,采用扫描电镜观察和分析了纤维的表面和界面形貌及断口特征。研究结果表明,CVD法制备的S iC(W芯)纤维强度分布具有统计性,采用W eibu ll分布可以较好地进行描述,S iC纤维强度的W eibu ll模数分别为11.1~13.9和4.0~5.8,平均抗拉强度在2 750~3 150 M Pa之间。扫描电镜观察表明,在纤维的W芯和S iC之间存在着界面反应层,CVD法S iC呈粗的柱状晶生长,S iC纤维呈明显的脆性断裂特征,纤维的粗糙表面以及W芯和S iC之间的界面反应可能形成裂纹源。     

Influence of CH3SiCl3 consistency on growth process of SiC film by kinetic monte carlo method

CH3SiCl3 (MTS)-H2-Ar system has been applied to prepare SiC film with chemical vapor deposition (CVD) method in this paper. For three facets of SiC film, some significant influence on growth rate, surface roughness, thickness and relative density brought by MTS consistency has been mainly discussed with kinetic monte carlo (KMC) method. The simulation results show that there is a certain scale for mol ratio of H2 to MTS (H2/MTS) with different deposition temperature. When MTS consistency increases, growth rate and surface roughness of three facets all increase, which manifests approximate linearity relationship. Thickness of three facets also increases while increasing trend of three facets thickness is different obviously. Although relative density of three facets all increases, increasing trend shows a little difference with MTS consistency increasing.     

Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算

为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明:ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9~6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.     

闪锌矿结构ZnSe的光电性质和有效质量研究

为了研究红外透光闪锌矿ZnSe晶体光学性质和电学性质的内在机理。通过第一性原理的密度泛函理论,借助超软平面波赝势,计算了ZnSe晶体的能带结构和态密度,分析了反射光谱、吸收光谱和介电常数。基于有效质量的近似理论,计算了价带顶端附近电子的有效质量。研究结果表明:ZnSe晶体属于直接带隙半导体材料,反射峰的出现主要是因为Se原子的4p电子和Zn原子的3d态电子向导带跃迁,介电峰的分布与电子结构直接相关,介电峰主要是由于Zn的3d和Se的4p轨道价带向Zn的4s和Se的4s轨道导带的过渡。分析了价带顶端的电子有效质量,计算结果与文献资料基本一致,发现载流子的有效质量具有各向异性,k_a方向的电子和空穴的有效质量均较小。从而挖掘了ZnSe晶体的光电性质与有效质量的内在本质,这些分析结果对Ⅱ-Ⅵ族半导体光电子材料具有非常重要的参考价值。     

毛细管气相色谱法测定煤焦油萘含量

介绍了测定煤焦油萘含量的毛细管色谱测定方法,采用DB-5毛细管柱(30m×0.32mm×0.25μm),氢火焰离子化检测器(FID),程序升温。以N,N-二甲基乙酰胺为溶剂,正十二烷为内标物,对煤焦油萘的含量进行了测定,所测定的结果具有良好的准确度和精密度,样品的回收率为99.12%～104.18%。整个试样分析时间不超过25min,可直接用于产品质量分析与控制,为工厂进行现场分析和操作调节提供了简捷理想的方法。     

化学气相沉积法连续SiC纤维的研究现状和发展趋势

综述了采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究进展,介绍了国内外化学气相沉积法制备的大直径、致密和均匀的SiC纤维的制备装置、制备工艺、性能、微观组织以及表面处理等热点研究方向,讨论了SiC纤维的制备工艺、性能和微观组织之间的关系以及利用表面处理如何弥补SiC纤维的缺陷,指出了今后采用化学气相沉积法制备连续SiC纤维的研究重点和发展趋势.     

基于BP神经网络的国毛毛条质量预测模型

采用BP神经网络预测技术建立少于3层的国毛毛条加工质量预测模型,利用贝叶斯判别规则提高网络的学习能力,通过实验对比选出最优隐层神经元数。模型预测结果表明,用神经网络方法预测毛条加工性能与实际结果有相当高的一致性。     

激光选区熔化在SiCp/Al复合材料制备方面的应用

高体积分数SiC_p增强Al复合材料具有较小的膨胀系数和较好的导热性,可以在电子封装和热控元器件方面进行广泛应用。但制备性能优异的高体积分数此类复合材料的难度极大,这就严重阻碍了其应用,本文介绍了激光选区熔化法制备SiC_p/Al复合材料国内外的研究现状,比较了传统制备方法和激光选区熔化法在制备SiC_p/Al基复合材料方面各自的技术特点,激光选区熔化法在制备该复合材料方面具有明显优势,在未来制备方面具有广阔前景。     

ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH_4)_2Cl_4的制备工艺研究

为了获得高质量的ZnSe单晶气相生长输运剂Zn(NH4)2Cl4,采用3种工艺因素和4个水平的16组正交试验设计方法对Zn(NH4)2Cl4输运剂的工艺过程进行了设计和分析研究.通过观察不同工艺下的结晶形貌,进行了物相和热重分析.研究结果表明:最合理的工艺因素为ZnCl2和NH4Cl的摩尔比为1∶1,烘干温度为130℃,结晶条件为室温静置.Zn(NH4)2Cl4的热分解过程分为3步完成,产物是ZnCl2.     

碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究

采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分。结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm。测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1:0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111)。SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔。在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07%~62.61%。其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低。