首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1891359篇
  免费   51675篇
  国内免费   18964篇
电工技术   52016篇
技术理论   56篇
综合类   25711篇
化学工业   328153篇
金属工艺   82055篇
机械仪表   65215篇
建筑科学   73397篇
矿业工程   22437篇
能源动力   59174篇
轻工业   142359篇
水利工程   21301篇
石油天然气   58982篇
武器工业   2733篇
无线电   230810篇
一般工业技术   331300篇
冶金工业   216019篇
原子能技术   37135篇
自动化技术   213145篇
  2022年   18860篇
  2021年   27666篇
  2020年   21264篇
  2019年   22145篇
  2018年   25094篇
  2017年   25690篇
  2016年   30581篇
  2015年   29289篇
  2014年   44038篇
  2013年   105994篇
  2012年   56973篇
  2011年   72404篇
  2010年   62100篇
  2009年   68941篇
  2008年   64462篇
  2007年   61431篇
  2006年   63959篇
  2005年   56686篇
  2004年   52826篇
  2003年   51468篇
  2002年   49452篇
  2001年   46019篇
  2000年   44748篇
  1999年   45774篇
  1998年   62568篇
  1997年   51903篇
  1996年   45466篇
  1995年   38398篇
  1994年   35111篇
  1993年   33378篇
  1992年   29203篇
  1991年   25976篇
  1990年   25778篇
  1989年   24678篇
  1988年   23056篇
  1987年   20877篇
  1986年   20262篇
  1985年   23405篇
  1984年   23210篇
  1983年   21046篇
  1982年   19822篇
  1981年   19897篇
  1980年   18544篇
  1979年   19003篇
  1978年   18188篇
  1977年   18798篇
  1976年   21228篇
  1975年   16333篇
  1974年   15780篇
  1973年   15886篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
In this study, dilute chemical bath deposition technique has been used to deposit CdZnS thin films on soda-lime glass substrates. The structural, morphological, optoelectronic properties of as-grown films have been investigated as a function of different Zn2+ precursor concentrations. The X-ray diffractogram of CdS thin-film reveals a peak corresponding to (002) plane with wurtzite structure, and the peak shift has been observed with the increase of the Zn2+ concentration upon formation of CdZnS thin film. From morphological studies, it has been revealed that the diluted chemical bath deposition technique provides homogeneous distribution of film on the substrate even at a lower concentration of Zn2+. Optical characterization has shown that the transparency of the film is influenced by Zn2+ concentration and when the Zn2+ concentration is varied from 0 M to 0.0256 M, bandgap values of resulting films range from 2.42 eV to 3.90 eV while. Furthermore, electrical properties have shown that with increasing zinc concentration the resistivity of the film increases. Finally, numerical simulation validates and suggests that CdZnS buffer layer with composition of 0.0032 M Zn2+ concentration would be a promising candidate in CIGS solar cell.  相似文献   
32.
Combustion, Explosion, and Shock Waves - Results of a numerical study of mixing, ignition, and combustion of a cold hydrogen jet propagating along the lower wall of a channel parallel to a...  相似文献   
33.
Multimedia Tools and Applications - In this work, a new fuzzy logic-based algorithm is proposed for the enhancement of low light color images. A generalization of a fuzzy set known as an...  相似文献   
34.
35.
36.
Multimedia Tools and Applications - Endometriosis is a common gynecologic condition typically treated via laparoscopic surgery. Its visual versatility makes it hard to identify for non-specialized...  相似文献   
37.
Multimedia Tools and Applications - The three-dimensional models of brain tumors serve as diagnostic assistance for physicians, surgeons, and radiologists. The proposed system establishes an...  相似文献   
38.
Zhang  Nan  Zhao  Man  Liu  Guangfa  Wang  Jiaoyang  Chen  Yunzhi  Zhang  Zhengjian 《Journal of Materials Science》2022,57(19):8687-8700
Journal of Materials Science - A green modification method for effectively enhancing toughness of PLA was established. Herein, alkaline lignin (LG) was firstly alkylated with dodecane, and then...  相似文献   
39.
Wang  Chen  Bao  Chun-Hui  Wu  Wan-Yu  Hsu  Chia-Hsun  Zhao  Ming-Jie  Zhang  Xiao-Ying  Lien  Shui-Yang  Zhu  Wen-Zhang 《Journal of Materials Science》2022,57(26):12341-12355
Journal of Materials Science - Molybdenum oxide (MoOx) films had been grown by using plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) with Mo(CO)6 precursor and O2 plasma reactant in a substrate...  相似文献   
40.

We discuss the temperature dependence of a common low temperature local thermometer, a tunnel junction between a superconductor and a normal metal (NIS junction). Towards the lowest temperatures its characteristics tend to saturate, which is usually attributed to selfheating effects. In this technical note, we reanalyze this saturation and show that the temperature independent subgap current of the junction alone explains in some cases the low temperature behavior quantitatively.

  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号