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采用溶胶凝胶法合成了不同Ge含量的GexSm0.2Ce0.8-xO1.9(x=0~0.04,xGSDC)电解质粉体.XRD结果表明:Ge4+在xGSDC电解质中的固溶度低于4%;SEM和致密度结果分析表明1GSDC比SDC具有更高的致密度,Ge掺杂提高材料的烧结性能,1 450℃烧结的1GSDC的致密度为99.30%;1 450℃烧结的1GSDC在750℃下电导率为0.050 S·cm-1,而SDC在750℃下的电导率为0.034 S·cm-1,Ge的掺杂提高了1GSDC的晶界电导;以1GSDC为电解质的单电池在750℃的最大功率密度达到552 mW/cm2. 相似文献
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Al掺杂对锰酸锂结构与性能的影响 总被引:2,自引:3,他引:2
采用固相法合成了Al掺杂的尖晶石LiAlxMn2-xO4(x=0~0.4).通过X射线衍射对LiAlxMn2-xO4的物相进行了研究,并探讨了Al掺杂对材料的充放电性能和电子电导率的影响.合成的LiAlxMn2-xO4均为纯尖晶石相.随着Al的掺入,LiAlxMn2-xO4的充放电循环性能得到改善,Al含量越高,循环过程中的容量衰减越小.电子电导率测试结果表明:掺杂Al后,降低了材料的电子电导率,这与Al的掺入降低了晶体中电子的离域作用有关. 相似文献
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我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明,其透过率均超过90%。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源,价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。 相似文献
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使用氧化石墨烯量子点(GQD)嵌入氧化石墨烯(GO)层间,在NH3氛围下采用光照辐射进行还原和氮掺杂,制备一种类“三明治”结构的超级电容器电极材料。光化学还原法可以在短时间内实现材料的还原和掺氮。氧化石墨烯量子点丰富的边缘活性位点使氮的原子数分数高达18.19%,大幅提高了材料的湿润性和电导率。同时量子点嵌入氧化石墨烯层间,可以有效防止氧化石墨烯片的堆叠,增加材料中离子通道数量。制备的两电极超级电容器在0.3 A/g电流密度下的比容量高达380 F/g,电极充放电循环2 000次以后,电容量仍然保持初始电容量的86%。这种富氮石墨烯在新型储能系统中具有潜在的应用前景。 相似文献
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基于第一性原理,对氨气(NH3)分子在纯净石墨炔和铁(Fe)原子掺杂的石墨炔(Graphyne,GY)上的吸附特性进行了研究。通过两个非等效碳原子位置,确定NH3分子在纯净GY和Fe原子掺杂GY表面的最佳吸附位置和吸附方向,并计算出相应的结合能、吸附能和电荷转移量,确定了它们的吸附类型。研究发现,纯净GY与NH3分子之间只存在物理吸附作用,而Fe原子掺杂GY后可以显著改善GY表面的化学活性,提高其对NH3分子的吸附能力。研究认为,Fe原子掺杂GY应是一种对NH3分子进行检测的气敏材料。 相似文献
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利用溶胶–凝胶旋涂法和后退火工艺在FTO导电玻璃上制备了钨镍共掺杂V2O5薄膜,研究了薄膜在不同温度和不同偏压下的光电特性和相变特性。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM) 和X射线光电子能谱仪(XPS) 测试了钨镍共掺杂V2O5薄膜的晶体结构、表面形貌和组分,分析了不同钨镍共掺杂浓度对V2O5薄膜相变光电特性的影响。结果表明,当钨和镍的掺杂质量分数分别为3 %和1.5 %时,钨镍共掺杂的V2O5薄膜的相变温度为218.5 ℃,在可见光范围内有较高的透过率,在近红外1310 nm波长处的光学透过率达48.83%,与未掺杂V2O5薄膜的光学透过率相比提高了10.29%,薄膜电阻降低了30.53%,热致回线宽度收窄为15 ℃,说明钨镍共掺杂的V2O5薄膜具有良好的可逆相变光电特性,有望在新型光电器件领域得到较好的应用。 相似文献
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