印刷电路板预电离小TEACO2激光器两种照射模式研究

通过使用印刷电路板预电离小TEACO2激光器,研究了预电离过程中两种照射模式-照射阳极模式和照射阴极模式下,激光器注入能量和输出能量的关系,实验得出,在印刷电路板预电离小TEACO2激光器中,两种照射模式的注入与输出曲线基本吻合,而照射阳极模式下印刷电路板预电离小TEACO2激光器更具有潜力。     

晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面声子强耦合极化子自陷能的影响

采用 Huybrechts线性组合算符和变分法 ,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子 -表面光学 (SO)声子强耦合和电子 -体纵光学 (L O)声子弱耦合体系的影响 ,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化的规律 ,对 Cd F2半导体膜进行了数值计算 ,结果表明 ,Cd F2 极性半导体膜中表面光学声子和体纵光学声子对极化子自陷能的贡献分别在薄膜和宽膜情况下起主导作用 .并且发现 Cd F2 半导体膜中的不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献 ,以及极化子的总自陷能都将随温度的升高而减小 ,这表明晶格热振动将削弱电子 -声子耦合     

智能剥离工艺的热动力学模型(英文)

提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型 ,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果 .氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能 ,氢气泡的半径是退火时间、退火温度和注氢剂量的函数 .氢气泡的临界半径可根据 Griffith能量平衡条件来获得 .根据氢气泡增长的这一临界条件 ,获得了不同劈裂温度时所需的剥离时间     

中温烧结BaTiO_3铁电-玻璃陶瓷介电性能

研究了掺杂 Nb5 、Co2 及玻璃的 Ba Ti O3陶瓷的介电性能。Nb5 、Co2 和玻璃中的 Bi3 进入 Ba Ti O3晶格形成晶芯 -晶壳结构 ,其中晶芯由铁电相 Ba Ti O3组成 ,晶壳由含 Nb5 、Co2 、Bi3 的非铁电相 Ba Ti O3组成。这些添加物的作用是使ε- T曲线变得平坦 ,tanδ减小 ,居里点移向高温。     

Bi_2O_3对自燃烧法合成NiZnCu铁氧体的显微结构与性能的影响

以金属硝酸盐和柠檬酸为原料 ,应用溶胶 -凝胶法与自燃烧结合的方法制备了 Ni Zn Cu铁氧体微细粉。文章主要讨论了溶胶 -凝胶与自燃烧法结合制备 Ni Zn Cu铁氧体粉末的新方法 ,对 Bi2 O3掺杂的低温烧结 Ni Zn Cu铁氧体从烧结性质、结构与相组成、显微形貌、磁性质方面进行了研究 ,在此基础上分析了 Bi对材料形成过程和磁化机制的影响 ,并解释了掺杂量对材料磁性能的综合作用     

光纤陀螺传感线圈及绕法

通过对温度梯度对光纤陀螺传感线圈影响的分析,结合几种光纤传感线圈的绕法,简要说明了不同绕法的光纤传感线圈对温度梯度的抑制效果.     

InGaAs／InAlAs量子级联激光器研究

简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器的制备及其主要特性,该器件具有增强型脊型波导结构,在80K时阈值电流为0．5A,相应的阈值电流密度为5KA／cm^2。     

Preparation and Property of PMN-PT Material near the Morphotropic Phase Boundary

It is difficult to obtain the（1-x）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3 - x PbTiO3 material with pure perovskite phase. The chemical activity of PbO and Nb2O5 is much higher than that of MgO. It results in that pyrochlore phases are easily formed. Performances of（1-x）Pb（Mg1/3Nb2/3）O3 - x PbTiO3 solid solution are damaged when pyrochlore phases exist. A two-step columbite method was utilized for preparation of PMN-PT solid solution with single-phase perovskite. Pyrochlore phases were not observed…     

脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜及衬底温度对膜的影响

采用脉冲激光沉积法在Si(10 0 )衬底上制备了Pb(Zr0 .52 Ti0 .4 8)O3 铁电薄膜 ,并用X射线衍射 (XRD) ,扫描电镜 (SEM )对其结构、形貌以及结构随沉积时衬底温度的变化进行了研究。由脉冲激光制备薄膜的机制出发 ,从PbO ,ZrO2 和TiO2 熔融体的化学反应及应力造成能量释放引起的相变两方面分析了铅基铁电薄膜制备时衬底温度的影响。     

光纤光栅传感器应变和温度交叉敏感问题分析

解决应变、温度的交叉敏感,实现应变、温度同时测量一直是光纤光栅传感器研究的关键问题,文章从其产生机理出发,分析讨论了国内外解决此问题的最新进展,并提出了一种新颖的应变、温度光纤光栅传感器。