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基于码本的说话人自适应方法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种基于码本的说话人自适应方法.它可以将变换方法和Bayes估计法这两大类说话人自适应方法的优点有机的结合起来,既能实现快速的说话人自适应,还具有良好的一致渐进性.自适应过程可分为两个阶段:在第一阶段,用由大量参考说话人的语音码本构成的线性组合来逼近用户的语音码本.此时只需要很少的自适应训练数据就可以用基于Rosen梯度投影法的优化算法计算出线性组合中各码本的最佳权值.在第二阶段,码本的最佳线性组合被用作用户码本的先验估计值.随着更多自适应训练数据的获得,系统对用户码本进一步进行Bayes估计,从而可以实现累进的自适应.作者将该方法应用于说话人无关的连续汉语语音识别系统.一系列的对比实验表明该自适应方法很有前途. 相似文献
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图像配准是超分辨率重建、图像融合的基础。提出了非迭代的基于梯度相位相关的图像自动配准方法。首先分析了图像梯度和相位相关的理论,证明了提出方法的正确性;然后给出了图像配准的过程,并利用人工平移图像配准对该方法进行了实验验证。实验表明,该方法配准精度高,能有效地实现图像的自动配准。 相似文献
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一种秩基于降秩共轭梯度法的零陷加宽技术 总被引:1,自引:0,他引:1
在自适应阵列处理技术中,零陷加宽技术常用于增强自适应权和数据失配时的鲁棒性,但该技术同时会带来计算量的增加。将零陷加宽技术引入到降秩共轭梯度法中,提出了基于降秩共轭法的零陷加宽技术。相比于常规的零陷加宽技术,该方法有效地降低了计算量。计算机仿真表明,小快拍条件下新算法的干扰抑制性能优于常规零陷加宽法。 相似文献
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从图像降质模型出发,研究运用最大后验概率(MAP)估计法实现图像超分辨率重建。简单介绍了MAP方法的发展现状,并分析了该算法中存在的缺陷,即目标函数的吉布斯(Gibbs)项对于重建图像的噪声抑制力不均衡。针对该缺陷采用原始低分辨率图像插值后图像的梯度场对MAP目标函数的Gibbs项系数进行修正,使该系数对各像素根据相应梯度值自适应的调整,在一定程度上均衡了目标函数对于不同梯度值区域的约束力。采用共轭梯度法对改进前后MAP算法分别求解并进行了仿真。结果显示相比传统MAP算法,改进的MAP算法得到的超分辨率图像,既很好地恢复了细节,又很好地抑制了重建过程中引入的噪声,总体像质有了明显提高,同时在迭代求解过程中也表现出很好的收敛性与稳定性。 相似文献
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Wolfram Witte Daniel Abou‐Ras Karsten Albe Gottfried H. Bauer Frank Bertram Christian Boit Rudolf Brüggemann Jürgen Christen Jens Dietrich Axel Eicke Dimitrios Hariskos Matthias Maiberg Roland Mainz Max Meessen Mathias Müller Oliver Neumann Thomas Orgis Stefan Paetel Johan Pohl Humberto Rodriguez‐Alvarez Roland Scheer Hans‐Werner Schock Thomas Unold Alfons Weber Michael Powalla 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2015,23(6):717-733
The gallium gradient in Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) layers, which forms during the two industrially relevant deposition routes, the sequential and co‐evaporation processes, plays a key role in the device performance of CIGS thin‐film modules. In this contribution, we present a comprehensive study on the formation, nature, and consequences of gallium gradients in CIGS solar cells. The formation of gallium gradients is analyzed in real time during a rapid selenization process by in situ X‐ray measurements. In addition, the gallium grading of a CIGS layer grown with an in‐line co‐evaporation process is analyzed by means of depth profiling with mass spectrometry. This gallium gradient of a real solar cell served as input data for device simulations. Depth‐dependent occurrence of lateral inhomogeneities on the µm scale in CIGS deposited by the co‐evaporation process was investigated by highly spatially resolved luminescence measurements on etched CIGS samples, which revealed a dependence of the optical bandgap, the quasi‐Fermi level splitting, transition levels, and the vertical gallium gradient. Transmission electron microscopy analyses of CIGS cross‐sections point to a difference in gallium content in the near surface region of neighboring grains. Migration barriers for a copper‐vacancy‐mediated indium and gallium diffusion in CuInSe2 and CuGaSe2 were calculated using density functional theory. The migration barrier for the InCu antisite in CuGaSe2 is significantly lower compared with the GaCu antisite in CuInSe2, which is in accordance with the experimentally observed Ga gradients in CIGS layers grown by co‐evaporation and selenization processes. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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