连续小波变换VLSI实现综述

小波变换是信号处理、图像压缩和模式识别等诸多领域中一个非常有效的数学分析工具。然而，实时小波变换计算量大，需要专用硬件来实现。连续小波变换的VLSI实现在处理速度、功耗及适用频率范围方面部具有较明显的优势，且实现方法灵活。本文对近年来有关该领域的研究情况作了综合评述，讨论了其中存在的问题，并指出了今后的若干发展方向，特别是瞬时缩展电路技术是实现低电压低功耗小波变换芯片的重要途经之一。     

Effect of the polymer matrices on the dielectric behavior of a percolative high-k polymer composite for embedded capacitor applications

High dielectric constant (high-k) polymer composites are of great interest for embedded capacitor applications. Previously, we demonstrated that epoxy—aluminum composites are promising for embedded capacitor applications, because they have a high dielectric constant and a low dielectric loss due to the core—shell structure of the self-passivated aluminum particles. In this work, to further understand the dielectric behavior of aluminum composites, lower-loss polymers such as silicone, polyimide, polynorbornene, and benzocyclobutene were explored as matrices for the aluminum composites. It is found that the polymer matrices can significantly change the dielectric properties of the aluminum composites. A polymer matrix with a lower dielectric constant generally results in a lower dielectric constant of its aluminum composites. In this regard, polymer—aluminum composites have a similar dielectric characteristic as polymer—ceramic composites. Thermomechanical properties of aluminum composites were characterized by a thermomechanical analyzer.     

C波段微波低相位噪声介质振荡源

介绍了微波低相位噪声介质振荡器的设计方法。就影响介质振荡器相位噪声的因素进行了讨论,从谐振回路有载Q值、有源器件、增益压缩量、电路模式等几个方面提出了降低相位噪声的方法,并给出了一个C波段微波低相噪振荡器的设计实例。测试结果表明:该振荡器工作频率3 900 MH z,输出功率大于10 dBm,相位噪声达到-102 dB c/H z@1 kH z;-128 dB c/H z@10 kH z。     

位错芯重构缺陷对于Si中位错运动的影响

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构.通过分子动力学模拟,使用Parrnello-Rahmman方法施加剪应力促使位错运动,得到了左右弯结-RD结构在迁移过程中的8种稳定构型,并且使用NEB方法和紧束缚势计算了纯弯结和弯结-RD迁移过程中势垒高度,发现弯结-RD的迁移能力要高于纯弯结结构.从模拟结果推断出,低温层生长技术中的Si低温缓冲层由于低温限制了重构缺陷的运动,减少其相遇发生湮灭的概率,从而使得更多的弯结能够与重构缺陷结合生成弯结-RD结构来提高30°部分位错的运动能力,由此释放异质结结构失配应力所需的位错密度会随之减小.     

飞秒激光在透明介质中制备波导器件进展

飞秒激光脉冲通过非线性相互作用可以在透明介质内部诱导载流子的激发、弛豫和折射率改变,从而用于制备光波导器件。飞秒激光无法比拟的高度局域三维加工能力使其在有源和无源波导器件制备中被广泛研究。综述了飞秒激光在多种透明介质中诱导折射率改变的机理、波导器件制备的实验进展和波导性能优化技术,分析了其研究趋势和应用前景。     

HfO2高k栅介质等效氧化层厚度的提取

分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影响进行修正,得出HfO2高k栅介质的准确C-V特性.其次,给出了一种利用平带电容提取高k介质EOT的方法,该方法能克服量子效应所产生的反型层或积累层电容的影响.采用该两步法提取的HfO2高k栅介质EOT与包含量子修正的Poisson方程数值模拟结果对比,误差小于5%,验证了该方法的正确性.     

CMOS数字电路低功耗的层次化设计

随着芯片上可以集成越来越多的管子,电路规模在不断扩大,工作频率在不断提高,这直接导致芯片功耗的迅速增长,无论是从电路可靠性来看,还是从能量受限角度来讲,低功耗都已成为CMOS数字电路设计的重要内容。由于不同设计抽象层次对电路功耗的影响不同,对各有侧重的低功耗设计方法和技术进行了讨论,涉及到工艺,版图,电路,逻辑,结构,算法和系统等不同层次。在实际设计中,根据具体应用环境,综合不同层次全面考虑功耗问题,可以明显降低电路功耗。     

一种用于超高频RFID阅读器的正交下变频混频器的分析与设计

分析了共用跨导级的正交下变频混频器的性能,包括电压转换增益、线性度、噪声系数和镜象抑制比,分析表明其在电流开关模式下比传统的Gilbert混频器对具有更好的性能.设计并优化了一个基于共用跨导级结构的用于超高频RFID阅读器的正交下变频混频器.在915MHz频段上,该混频器测得12.5dB的转换增益,10dBm的IIP3 ,58dBm的IIP2和17.6dB的SSB噪声系数.芯片采用0.18μm 1P6M RF CMOS工艺实现,在1.8V的电源电压下仅消耗3mA电流.     

一种1.8 V低功耗2 GHz预分频电路的设计

描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.     

Low Power Design of High Speed CMOS Pulse Stream Neuron Circuit

The greatinformation processing power of human being' s neural systems has attract-ed a lotof attention of those who are dedicated to the implementation of Artificial NeuralNetworks(ANNs) ,which are expected to be of the same computat...