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71.
72.
柳爱  邹永诚  谢丽民 《人民长江》2012,43(11):62-65
针对软弱黏土路基易发生失稳及工后沉降大的缺点,采用塑料排水板堆载预压对路基进行处理。采用等效砂墙方法及剑桥模型,建立了台州湾围海工程路基堆载预压处理的平面有限元模型。分析不同堆载高度下塑料排水板间距和长度对加载速度、预压时间和沉降值的影响。分析结果表明,预压时间受排水板长度影响明显; 预压期结束后,路面沉降均匀,可以保证路面施工质量。  相似文献   
73.
用菲涅尔区聚焦多波束天线实现来波方向估计   总被引:6,自引:1,他引:6  
菲涅尔区相位修正平板聚焦结构有着一些新的特点,从而可作籽矣焦元件构成多波束天线。该文在基于菲涅尔区相位修正平板结构的多波束天线模型下,利用多信号分类算法同对一维平面内来波方向的设计。通过计算机模拟及对模拟结果的讨论,比较了分别采用噪声子空间和信号子空间进行来波方向估计时的结果,并给出了一些有意义的结论。  相似文献   
74.
李升辉  孙祥仲 《激光技术》2022,46(2):283-287
为了满足现代军事装备中的侦查需求,提出了一种新型的红外共形成像光学系统,在消除光学头罩引入的复杂像差过程中,采用一对轴向移动的相位板来实现像差动态校正.给出了一个红外共形成像光学系统设计实例,其工作谱段为3.7μm~4.8μm,焦距为40mm,长径比为1.0,瞬时视场为2°,扫描视场为±15°.结果表明,在奈奎斯特频率...  相似文献   
75.
时域与空域结合实现光束匀滑的光谱优化分析   总被引:3,自引:1,他引:3  
李平  马驰  粟敬钦  张锐  王芳  程文雍 《中国激光》2008,35(4):534-538
为改善焦斑的均匀性以应用于惯性约束聚变(ICF)的实验,从焦斑形态的控制出发,在随机相位板(RPP)和连续相位板(CPP)做空域整形下,用同样带宽和最大谱色散角,模拟了不同光谱形状的匀滑效果,通过焦斑强度的功率谱密度(PSD)和平顶的均方根(RMS)对获得的焦斑进行评价.结果表明,改善光谱形状可以提高匀滑效率,优化光谱相对主流的正弦调频光谱对匀滑效果的均方根值可提高43.7%.同时,设计相位板时考虑焦斑上不同空间频率的权重,有利于匀滑.  相似文献   
76.
本文基于微通道板MCP(Microchannel Plate)探测器件设计一套成像系统,用于对波长为30.4nm的极紫外EUV(Extreme Ultraviolet)光进行成像.结果获得了一宽度为3mm的狭缝的像,实验测得490μm的成像系统的空间分辨率,并分析了影响系统分辨率的各种因素及为提高系统分辨率所应采取的措施.  相似文献   
77.
亚波长光栅用于实现宽光谱消色散1/4波片的研究   总被引:13,自引:2,他引:13  
基于严格耦合波理论 ,分析了共振区域矩形位相光栅的衍射特性 :位相延迟与光栅周期、占空比、槽深的关系 ,并设计出在 40 0~ 80 0nm范围内的消色散 1/4波片光栅 ,可以实现较为平坦的衍射效率和位相延迟曲线 ,其中位相延迟可保持在 90°左右 ,最大偏差小于 9% ,达到甚至优于普通二元复合消色散波片。通过对加工及安装误差的讨论 ,得到了影响消色散波片光栅性能的主要加工误差是槽深误差和占空比误差。  相似文献   
78.
提出了一种新的行之有效的图象加密方法.即利用两个彼此独立的周期性相位掩模分别对需要保护的图象在空域和Fourier频域进行编码,使原始图象变成噪声。其特点是解密时对相位掩模的对准精度有一定的宽容度.而且由于该相位分布具有周期性,是密钥的合法持有者唯一掌握的确定性函数,所以可以重构,给实际应用带来了便利。  相似文献   
79.
边缘检测是图像分割的重要环节,边缘提取的好坏直接影响了整个图像处理的效果。数学形态学用具有一定形态结构的“结构元素”去度量图像的形态,以解决图像处理和分析问题。文章通过对多种边缘检测方法的分析比较,结合高速公路路口汽车图像噪声大的特点,提出了基于复合顺序形态变换的车牌边缘检测。该方法不但能有效地改善有噪图像边缘检测的效果,鲁棒性好,而且并行快速,便于硬件实现。  相似文献   
80.
The practical design of GaN-based Schottky barrier diodes(SBDs) incorporating a field plate(FP) structure necessitates an understanding of their working mechanism and optimization criteria.In this work,the influences of the parameters of FPs upon breakdown of the diode are investigated in detail and the design rules of FP structures for GaN-based SBDs are presented for a wide scale of material and device parameters.By comparing three representative dielectric materials(SiO2,Si3N4 and Al2O3) selected for fabricating FPs,it is found that the product of dielectric permittivity and critical field strength of a dielectric material could be used as an index to predict its potential performance for FP applications.  相似文献   
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