多频点高精度超低频双T陷波器的设计

该陷波器采用了六路双T陷波器的串联结构形式，具有六个陷波频点(50Hz；60Hz；100Hz：120Hz；150Hz；180Hz)，每级单元电路是由增益为l的放大器和RCXXAT网络以及决定电路Q值的RC单T网络组成，因此电路具有很好的陷波深度和很高的Q值，在电阻、电容的选择和设计中，电容选择高稳定性，电阻设计为高精度(0．033％)，注意电容C和电阻R的阻容值和具有相反的温度系数，使电路具有较小的热噪声电压密度和较好的频率稳定性(-40℃～85℃范围内0．25％)。     

了解线性稳压器的噪声

模拟电路的噪声多种多样，其中包括热噪声、闪烁噪声、散粒噪声(shotnoise)等。在LDO应用中，噪声有时会与电源纹波抑制比(PSRR)相混淆。它们都是在输出端产生不需要的信号，因此二者常混在一起被称为“噪声”。这是不正确的。PSRR是指输出的帷波量，它来自于输人中的纹波。而噪声纯粹是一个物理现象，晶体管与电阻器(电容器不产生噪声)在基本的水平上就会产生噪声。     

Phase-field simulation of dendritic sidebranching induced by thermal noise

The influence of undercooling and noise magnitude on dendritic sidebranching during crystal growth was investigated by simulation of a phase-field model which incorporates thermal noise. It is shown that, the sidebranching is not influenced with inclusion of the nonconserved noise, therefore, in order to save the computational costs it is often neglected; while conserved noise drives the morphological instability and is dominant origin of sidebranching. The dependence of temperature field on magnitude of thermal noise is apparent, when Fu gets an appropriate value, noise can induce sidebranching but not influence the dendritic tip operating state. In the small undercooled melt, the thermal diffusion layer collected around the dendrite is thick, which suppresses the growth of its sidebranching and makes the dendrite take on the morphology of no sidebranching, but when the undercooling is great, the thermal diffusion layer is thin, which is advantageous to the growth of the sidebranching and the dendrite presents the morphology of the developed sidebranching.     

用于零中频GPS接收机的低闪烁噪声混频器

设计了一种用于零中频GPS接收机的低闪烁噪声混频器.通过对吉尔伯特(Gilbert)混频器噪声机制的分析,以及对MOS管偏置在不同区域时噪声性能的研究,将吉尔伯特混频器的开关MOS管偏置在线性区,从而降低其闪烁噪声.该电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺进行了仿真,结果显示,改进后的混频器明显降低了低频区域的闪烁噪声,而对混频器的其他性能没有影响.     

相场法模拟中影响侧向分支的相场参数

使用耦合热扰动的相场模型,研究相场参数对枝晶侧向分支的影响。结果表明,随着过冷度的增大,包围等轴晶的热扩散层越薄,这越有利于侧向分支的生长,使枝晶侧向分支越发达。各向异性系数ε影响枝晶尖端稳态行为,ε越大,枝晶生长速度越大,侧向分支越发达,二次枝晶间距越小:耦合系数λ越小,尖端生长速度较快收敛于格林函数计算值,侧向分支越发达;热扰动幅值Fu对温度场的影响明显,当Fu取值适当时,热噪声可以引发侧向分支,但是不影响尖端的稳态行为。     

核测井用小型光电倍增管高温特性的研究

本文简要介绍了三种国内外小型高温光电倍增管的热噪声、放大系数与温度的关系特性，通过实验测试，并加以比较，结果表明，对国产光电倍增管严格挑选的情况下，国产光电倍增管可以替代进口管．     

有源干扰压制区计算模型研究

雷达干扰压制区域的绘制与计算是电子战辅助决策过程中必不可少的,如何合理地建立干扰压制区的计算模型十分重要。在对雷达探测理论计算和实际抗干扰措施分析的基础上,修正了干扰压制区的计算模型,通过计算支援干扰时进入检波器的干扰功率与热噪声功率的数值关系,比较采用原计算模型和修正后计算模型得到的干扰压制区域的大小,验证了该模型的...     

一种变送器电路的噪声分析与优化设计

本文阐述了噪声的基本特性和类型,并根据噪声的基本理论详细地分析和计算了一种变送器电路中的噪声。其中主要包括1／f噪声是如何引起的,计算出了其值的大小,并利用HSPICE仿真工具加以验证。在此基础上提出了通过降低输出电阻和采用跨导放大器的电路结构来降低噪声,最终实现了电路的噪声优化。     

钙钛矿结构锰氧化物薄膜材料的低频1/f噪声研究

针对A位掺杂钙钛矿结构锰氧化物(A_(1-x)BxMnO_3)薄膜材料的微弱低频1/f噪声信号检测,采用基于双通道信号互相关运算的测试方法,有效消除了接触噪声对本底噪声的影响。通过对薄膜样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的低频1/f噪声和电阻率测量,揭示了由不同衬底材料、不同厚度所引起的薄膜晶格内部应力变化对载流子输运机制的影响。结果表明,薄膜样品的1/f噪声水平和导电特性与材料厚度变化密切相关,La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3样品在临界厚度下表现出较低的1/f噪声;而La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3/SrTiO_3/Si样品随着厚度增大,其1/f噪声不断优化。上述结论对基于磁性材料的新型传感器的研制具有重要的参考意义。     

信号电流检测电路

就不需要高灵敏度、快速响应的光检测电路而言，目前广泛使用的变压器阻抗式电路如图1所示，这种电路用反馈电阻3将电流发生式传感器1发生的电流变换成电压，因而传感器的灵敏度等性能的确高，并且噪声也确实低，电路的最终噪声就取决于反馈电阻的热噪声。而且，若发生电流为固定值，则输出电压通常即为固定值。图2所示为图1中输入直流电流时A点的输出电压特性图。