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111.
根据滑坡发生的初始条件、滑坡成因及方式表象,对常见的蠕变倾覆滑坡、卸荷滑坡、震动液化平推滑坡、潜蚀塌陷滑坡、溶蚀下陷滑坡、孔隙水压浮动滑坡和人工切蚀或冲(浪)蚀—加载滑坡等机理进行了分析.  相似文献   
112.
There has been considerable recent progress in II-VI semiconductor material and in methods for improving performance of the associated radiation detectors. New high resistivity CdZnTe material, new contact technologies, new detector structures, new electronic correction methods have opened the field of nuclear and x-ray imaging for industrial and medical applications. The purpose of this paper is to review new developments in several of these fields. In addition, we will present some recent results at LETI concerning first the CdTe 2-D imaging system (20 × 30 mm2 with 400 × 600 pixels) for dental radiology and second the CdZnTe fast pulse correction method applied to a 5 × 5 × 5 mm3 CdZnTe detector (energy resolution = 5% for detection efficiency of 85% at 122 keV) for medical imaging.  相似文献   
113.
Turbulence represents an essential aspect in atmospheric and oceanic circulations.In particu-lar,it is a preponderant factor in the dispersion of pollutants of artificial or natural origin.Thevertical turbulent jets,plumes and buoyant jets discharging into static environment is one of themost important and basic flow patterns related with the environment pollution.These flows havenumerous important applications,for example,thrust augmentors,waste disposal plumes fromstacks and combustion systems,and significant problems of turbulent diffusion.  相似文献   
114.
ETRⅠ-30调速器是瑞士爱舍维斯工厂生产的具有PID调节规律的电液调速器。本文对其液压控制系统作了较详细的介绍,供有关人员参考。  相似文献   
115.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟   总被引:2,自引:1,他引:1  
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。  相似文献   
116.
介绍了一个能为工厂设置零件编码系统和开发零件分类系统的工具系统。该系统能适应用户的具体环境,能对零件的特征信息做较详细的描述和建立相应目标的零件分类系统,从而能在GT(成组技术)基础上为机械加工零件开发CAD/CAPP/CAM集成系统提供支持,以满足CIMS的需要。  相似文献   
117.
In this paper results on surface photovoltage (SPV) and electron beam induced conductivity (EBIC) studies of edge-defined film-fed growth (EFG) and floating zone (FZ) silicon solar cell materials (both p-type) are presented. A systematic comparison based on minority carrier diffusion length and carrier recombination is made between: (i) samples contaminated with Ti and/or Fe, (ii) samples gettered by phosphorous diffusion, and (iii) as-received samples. Deep level transient spectroscopy (DLTS) measurements, together with the iron-boron (FeB) pairing kinetics [1] have successfully been used to detect the presence of Fe in the samples. Even though this process is effective in revealing Fe impurities in p-type FZ silicon it is evidently not suitable for Fe identification in p-type EFG silicon. Ti, like Fe, is found to be a prominent lifetime-limiting metallic impurity in both EFG and FZ silicon. Phosphorous diffusion is proven to be an effective external gettering technique for fast-diffusing impurities such as Fe, but not for Ti.  相似文献   
118.
This paper formulates the pickup and delivery problem, also known as the dial-a-ride problem, as an integer program. Its polyhedral structure is explored and four classes of valid inequalities developed. The results of a branch-and-cut algorithm based on these constraints are presented.  相似文献   
119.
WC对Cu/WC_P复合材料性能及组织的影响   总被引:8,自引:0,他引:8  
通过WC含量对WC/Cu复合材料性能的影响,确定了冷压-烧结法制备Cu/WC材料的适宜WC含量为10vol%左右。并就WC对该材料组织和再结晶行为的影响进行了有益的探讨。  相似文献   
120.
参数三次B样条曲线的一种整体光顺方法   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文在能量法的基础上,提出了一种新的目标函数,给出了参数三次B样条曲线的一种新的整体光顺方法。利用这种方法得到的曲线不仅具有较小的应变能,而且曲率变化比较均匀,具有很好的光顺效果。该方法能推广到对曲面的光顺。  相似文献   
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