一种新的正交直接数字频率合成器设计方案

为了提高正交直接频率合成器输出频谱纯度和降低逻辑单元占用率,提出了一种新的分解二阶多项式近似算法。这种算法是将正(余)弦函数分解为几个相关函数,进行二阶多项式近似。与传统二阶多项式近似算法相比,该算法输出频谱纯度较高,无杂散动态范围(SFDR)可达到99.3dBc;该算法所占用的逻辑单元比二阶多项式近似算法减少20%。实验表明,在设计高频谱性能的正交直接数字频率合成器(Quadrature-DDFS)方面,该算法具有明显优势。     

高清晰度电视对天线馈线系统的要求

本文以传输带宽为6MHz的NTSC制为例,阐述了高清晰度电视对天线馈线系统的具体要求,其原则对带宽为8MHz的其它制式也适用。     

Implementation of multipoint connections in an ATM switching network

This paper presents the problems in the implementation of multipoint connections at switching level using the example of an ATM switching network. By choosing the proper routeing mechanism and the appropriate architecture of the switching element, a switching network can gradually be adapted to an increasing share of multipoint traffic. The first section describes the problems with the handling of multipoint connections within a multiple stage connection oriented switching network. In particular this refers to the routeing of the cells through the switching network. Several alternatives on this issue are discussed. Both, the selected approach based on a differentiated self-routeing mechanism and the corresponding cell format are introduced. In the second part of this article several switch architectures are compared in respect of their multipoint capability. It is demonstrated that at present the most promising solution are switching elements based on the principle of central buffering. A single chip solution using this concept is employed in the presented switching network.     

S波段50KW脉冲功率行波管

本文阐述了S波段50kW荫影栅栅控脉冲功率行波管(649)的研制,着重阐述了环杆结构。给出行波管性能参数的实际数据以及产生和设计考虑四种高频振荡及解决措施,尤其在枪区振荡引起非正常频谱。实验证明环杆结构在高功率下应用的可行性。     

功率半导体模块压接工艺分析与改进

本文通过对功率半导体模块压接结构工艺的的理论分析,提出了在其结构设计上的一些改进措施。     

一种带曲率补偿的高精度带隙电压基准源

本文提出了一种带运放失调电压补偿结构和分压式二阶曲率补偿结构的低温度系数带隙基准电路。设计目标为对便携设备提供0.8V的电压。基于华虹CZ6H工艺在CADENCE软件TT模型下仿真,仿真结果表明,带隙基准电压源在-40℃-120℃温度范围内温度系数仅为1.77×10-6/℃,电源抑制比(PRSS)在低频下为86.9dB。在3V-6V的电源电压工作范围内,输出电压摆幅为0.171mV。     

双层无线异构网络下行干扰抑制方法研究

针对引入家庭基站技术的双层无线异构网络中存在严重的跨层和同层干扰的问题,提出了一种基于伪随机子信道选择的干扰抑制方案。该方案首先通过干扰随机化抑制跨层干扰,然后利用干扰图计算最大可选择伪随机序列个数抑制同层干扰。通过对比传统干扰抑制方案,验证了该方案能更有效地抑制系统干扰,提高系统吞吐量。     

一款紧凑增强型可变阻抗电磁带隙结构

基于传统AI-EBG结构,提出了一种小尺寸的增强型电磁带隙结构,实现了从0.5~9.4 GHz的宽频带-40 dB噪声抑制深度,且下截止频率减少到数百MHz,可有效抑制多层PCB板间地弹噪声。文中同时研究了EBG结构在高速电路应用时的信号完整性问题,使用差分信号方案可改善信号完整性。     

CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构和光学性质研究

采用第一性原理计算,研究了有机金属卤化物钙钛矿CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃的电子结构、磁性和光吸收。CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃都是具有直接带隙半导体,CH₃NH₃MnI₃磁基态为G型反铁磁序(G-AFM)。CH₃NH₃MnI₃在G-AFM状态下的带隙值为1.668 eV;当系统处于FM态时,多数自旋通道的带隙为0.696 eV,少数自旋通道的带隙为2.148 eV。结果表明,具有FM态的CH₃NH₃MnI₃的光激发电子将迅速熔化局域磁序。最后计算了CH₃NH₃PbI₃和CH₃NH₃MnI₃的光学特性,结果表明具有铁磁态的CH₃NH₃MnI₃(FM)表现出较强的红外光吸收。     

熔石英玻璃激光损伤的三维应力场研究

为了研究CO₂激光损伤后熔石英玻璃内部的三维应力场分布,采用脉冲CO₂激光与熔石英玻璃相互作用的有限元数值模型,计算了脉冲激光停止时熔石英玻璃内部的温度分布,并研究了材料冷却后的内部三维应力分布和表面初始损伤形貌,计算结果与实验结果吻合。以该模型为基础,详细分析了径向和环向应力的三维分布,结果表明,在损伤凹坑附近,径向应力表现为压应力,且在凹坑底部附近取得最大值后,径向应力沿深度方向逐渐转化为拉应力;损伤凹坑附近的环向应力与径向应力相似,均表现为压应力,但压应力沿径向逐渐转化为拉应力,不同深度处的环向应力沿轴向增至最大后逐渐减小。另外,脉冲激光能量的增大导致径向应力与环向应力及其影响范围均有明显增加。研究结果有助于分析激光损伤熔石英玻璃内部的三维应力场,为CO₂激光修复工艺的改进提供了理论依据。