LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究

阐述了小信号功率测试法测量LiNbO3电光调制器频率响应的原理,对传统的小信号功率测试法加以改进,在以网络分析仪（VNA）为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统,实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中微波器件固有频响对测试结果的影响,并通过对器件进行校准加以消除。通过实验表明该方法的准确性。     

光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术

介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1）光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术；(2）投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术；(3）接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术；(4）大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5）电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术. 该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm CMOS器件；进行了50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法，首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构，并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路. 探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法，设计了工艺流程. 讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素，并给出了结构实现的工艺控制要求.     

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.     

一种新的自适应OFDM算法的探讨

在具有多径干扰的无线信道中仅应用传统OFDM既影响通信速率,也浪费资源.由于信道的频率选择性衰落,OFDM系统的每个子信道具有不同的传输能力.文中提出一种计算量较小、简单实用的自适应OFDM算法,在保证通信质量所需BER的前提下,按照各个子信道衰落程度动态的分配比特和功率,使所需要的发射总功率最小.仿真结果表明,采用该自适应OFDM算法可以提高OFDM系统的性能.     

CMOS数字电路低功耗的层次化设计

随着芯片上可以集成越来越多的管子,电路规模在不断扩大,工作频率在不断提高,这直接导致芯片功耗的迅速增长,无论是从电路可靠性来看,还是从能量受限角度来讲,低功耗都已成为CMOS数字电路设计的重要内容。由于不同设计抽象层次对电路功耗的影响不同,对各有侧重的低功耗设计方法和技术进行了讨论,涉及到工艺,版图,电路,逻辑,结构,算法和系统等不同层次。在实际设计中,根据具体应用环境,综合不同层次全面考虑功耗问题,可以明显降低电路功耗。     

基于TMS320F2812的三相SPWM波的实现

针对SPWM波调制在逆变变频电源中的广泛应用,介绍了采用高性能数字信号处理器(DSP)TMS320F2812的片内外设事件管理器的功能生成三相SPWM波的方法,给出了整个程序流程图,主要功能程序源码和实验结果.该方法采用不对称规则采样算法,程序实现主要采用查袁法.实验结果表明,该方法简既能满足一定控制精度要求,又能满足实时性要求,可以很好地控制115 V/400 Hz逆变电源的输出.     

小波多分辨率分析在油田配电网谐波检测中的应用

以大庆油田第七采油厂低压配电网为研究背景,对该厂多处进行电能质量检测.针对存在的谐波状况,选用具有良好的伸缩、平移特性的小波多分辨率分析方法,对谐波电流进行Matlab仿真分析,通过谐波重构和误差计算,证明该方法对谐波检测具有很好的效果.     

90nm CMOS工艺SRAM的优化及应用

提出了一种优化的SRAM,它的功耗较低而且能够自我修复.为了提高每个晶圆上的SRAM成品率,给SRAM增加冗余逻辑和E-FUSE box从而构成SR SRAM.为了降低功耗,将电源开启/关闭状态及隔离逻辑引入SR SRAM从而构成LPSR SRAM.将优化的LPSR SRAM64K×32应用到SoC中,并对LPSR SRAM64K×32的测试方法进行了讨论.该SoC经90nm CMOS工艺成功流片,芯片面积为5.6mm×5.6mm,功耗为1997mW.测试结果表明:LPSR SRAM64K×32功耗降低了17.301%,每个晶圆上的LPSRSRAM64K×32成晶率提高了13.255%.     

一种用于超高频RFID阅读器的正交下变频混频器的分析与设计

分析了共用跨导级的正交下变频混频器的性能,包括电压转换增益、线性度、噪声系数和镜象抑制比,分析表明其在电流开关模式下比传统的Gilbert混频器对具有更好的性能.设计并优化了一个基于共用跨导级结构的用于超高频RFID阅读器的正交下变频混频器.在915MHz频段上,该混频器测得12.5dB的转换增益,10dBm的IIP3 ,58dBm的IIP2和17.6dB的SSB噪声系数.芯片采用0.18μm 1P6M RF CMOS工艺实现,在1.8V的电源电压下仅消耗3mA电流.