全文获取类型
收费全文 | 297874篇 |
免费 | 25872篇 |
国内免费 | 13013篇 |
专业分类
电工技术 | 16688篇 |
技术理论 | 34篇 |
综合类 | 27631篇 |
化学工业 | 47089篇 |
金属工艺 | 16461篇 |
机械仪表 | 16322篇 |
建筑科学 | 35039篇 |
矿业工程 | 15363篇 |
能源动力 | 11451篇 |
轻工业 | 23156篇 |
水利工程 | 11693篇 |
石油天然气 | 15786篇 |
武器工业 | 3748篇 |
无线电 | 17909篇 |
一般工业技术 | 24382篇 |
冶金工业 | 17180篇 |
原子能技术 | 2137篇 |
自动化技术 | 34690篇 |
出版年
2024年 | 1346篇 |
2023年 | 3840篇 |
2022年 | 7278篇 |
2021年 | 9480篇 |
2020年 | 9574篇 |
2019年 | 7245篇 |
2018年 | 6782篇 |
2017年 | 8545篇 |
2016年 | 10228篇 |
2015年 | 11070篇 |
2014年 | 19766篇 |
2013年 | 18317篇 |
2012年 | 21203篇 |
2011年 | 23398篇 |
2010年 | 17227篇 |
2009年 | 17508篇 |
2008年 | 15858篇 |
2007年 | 19490篇 |
2006年 | 17926篇 |
2005年 | 15555篇 |
2004年 | 13139篇 |
2003年 | 11467篇 |
2002年 | 9522篇 |
2001年 | 7870篇 |
2000年 | 6688篇 |
1999年 | 5330篇 |
1998年 | 3909篇 |
1997年 | 3317篇 |
1996年 | 2821篇 |
1995年 | 2305篇 |
1994年 | 1982篇 |
1993年 | 1363篇 |
1992年 | 1128篇 |
1991年 | 820篇 |
1990年 | 669篇 |
1989年 | 595篇 |
1988年 | 377篇 |
1987年 | 270篇 |
1986年 | 227篇 |
1985年 | 259篇 |
1984年 | 207篇 |
1983年 | 176篇 |
1982年 | 106篇 |
1981年 | 90篇 |
1980年 | 108篇 |
1979年 | 50篇 |
1978年 | 25篇 |
1977年 | 36篇 |
1959年 | 33篇 |
1951年 | 36篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
81.
We report on picosecond time resolved spectroscopy of photogenerated infrared active vibrations in thin films of 2,5-dioctyloxy poly(phenylene vinylene). We excited the films by ?4 ps long pulses of 565 nm laser light with 2×1013 photons/cm2 per pulse and repetition rate of 76 MHz. We then followed the temporal evolution of the infrared active vibrational (IRAV) spectrum using a subsequent, variably delayed, weak tunable IR probe pulses of similar temporal duration. Under these conditions, we show clear spectroscopic evidence for photogenerated infrared active vibrations at times which are shorter than our temporal resolution (<4 ps). We suggest that the transient IRAV absorption is due to secondary polarons formation following exciton dissociation. 相似文献
82.
根据石油开采业对石油机械产品的需求 ,利用机械理论基础知识 ,通过实践设计 ,提出了对几何尺寸长的金属管类进行调质处理后的均匀冷却方法 ,以满足其性能要求。 相似文献
83.
84.
对己二腈工业反应器提出了两釜串联带回流的模型,通过模拟计算得出模型的级间返混系数 f=6的结论。该模型能较好地预测工业反应器中物料组分浓度变化和气、液两相的流动特性;指出了现工业反应器的鼓泡中和段体积偏小是造成己二酸浓度偏高的关键;提出了可以通过增加串连一个鼓泡预反应段的改造方案,能有效地降低己二酸的浓度,从7%降至4%左右,从而能较好地减缓腐蚀和结焦。 相似文献
85.
报导一种模糊逻辑控制系统的建模与优化方法。以此方法设计的模糊逻辑控制器,用于双波长稳频CO2激光器的控制得到令人满意的结果。 相似文献
86.
Modeling ion implantation of HgCdTe 总被引:2,自引:0,他引:2
H. G. Robinson D. H. Mao B. L. Williams S. Holander-Gleixner J. E. Yu C. R. Helms 《Journal of Electronic Materials》1996,25(8):1336-1340
Ion implantation of boron is used to create n on p photodiodes in vacancy-doped mercury cadmium telluride (MC.T). The junction
is formed by Hg interstitials from the implant damage region diffusing into the MC.T and annihilating Hg vacancies. The resultant
doping profile is n+/n-/p, where the n+ region is near the surface and roughly coincides with the implant damage, the n- region is where Hg vacancies have been annihilated revealing a residual grown-in donor, and the p region remains doped by
Hg vacancy double acceptors. We have recently developed a new process modeling tool for simulating junction formation in MC.T
by ion implantation. The interstitial source in the damage region is represented by stored interstitials whose distribution
depends on the implant dose. These interstitials are released into the bulk at a constant, user defined rate. Once released,
they diffuse away from the damage region and annihilate any Hg vacancies they encounter. In this paper, we present results
of simulations using this tool and show how it can be used to quantitatively analyze the effects of variations in processing
conditions, including implant dose, annealing temperature, and doping background. 相似文献
87.
88.
LDD方法在提高电路工作电压中的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了利用轻掺杂漏结构来制作高电源电压器件的工艺方法。分析了LDD结构参数对器件击穿特性的影响,并结合实验结果对N^-区的注入剂量,长度及引入的串联电阻进行了优化设计。 相似文献
89.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
90.
本文对芝麻营养保健成分的提取进行了系统的研究。确定了芝麻营养原液的制取工艺。为充分发挥芝麻的营养保健作用开辟了新的途径。 相似文献