动载滑动轴承瞬态油膜的全景实验研究

在搭建的滑动轴承实验台上,对大扰动工况下油膜全景空穴分布图像及油膜压力进行瞬态同步采集,并对图像进行后处理,以便于观察并与基于质量守恒边界条件的理论仿真结果对比,并对同一旋转周期内油膜空穴分布和不同工况下油膜压力进行对比分析。结果表明：油膜全景图像经过后处理转化为油膜原形展开图像后,图像直观,且更易于对比分析;在大扰动工况下,油膜空穴区域随最大动偏心位置迁移而迁移。     

钨镍共掺杂V2O5薄膜的光电特性研究

利用溶胶–凝胶旋涂法和后退火工艺在FTO导电玻璃上制备了钨镍共掺杂V₂O₅薄膜,研究了薄膜在不同温度和不同偏压下的光电特性和相变特性。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM） 和X射线光电子能谱仪（XPS） 测试了钨镍共掺杂V₂O₅薄膜的晶体结构、表面形貌和组分,分析了不同钨镍共掺杂浓度对V₂O₅薄膜相变光电特性的影响。结果表明,当钨和镍的掺杂质量分数分别为3 %和1.5 %时,钨镍共掺杂的V₂O₅薄膜的相变温度为218.5 ℃,在可见光范围内有较高的透过率,在近红外1310 nm波长处的光学透过率达48.83%,与未掺杂V₂O₅薄膜的光学透过率相比提高了10.29%,薄膜电阻降低了30.53%,热致回线宽度收窄为15 ℃,说明钨镍共掺杂的V₂O₅薄膜具有良好的可逆相变光电特性,有望在新型光电器件领域得到较好的应用。     

类金刚石薄膜的Raman光谱分析及红外光谱特性

用酒精和氢气的混合气体为工作气体 ,在不同的酒精浓度下 (1 0 % ,1 5% ,2 0 % )下利用微波等离子体化学气相沉积法在较低温度下 (450～ 50 0℃ )以单晶硅为衬底制备出类金刚石薄膜样品。 Raman光谱分析了酒精浓度对薄膜中金刚石成份的含量的影响。红外光谱分析表明薄膜的红外光透过率与薄膜的表面形貌、薄膜结构有关。酒精浓度为 1 0 %时得到的金刚石薄膜的红外光透过率最高 ,达到 62～ 72 % ,同时透过率曲线因薄膜干涉而引起的振荡也最为显著。     

组合式熔凝石英微透镜阵列-线列Yba_2Cu_3O_(7-δ)高温超导薄膜红外探测器的研究

采用准分子激光扫描消融法淀积YB32C23O7-δ高温超导薄膜,利用常规光刻工艺制备线列高温超导薄膜器件,采用离子束刻蚀制备与高温超导薄膜器件匹配的熔凝石英微透镜阵列,测试了微透镜／高温超导薄膜器件所构成的混合结构在1～5μm红外波段的几项重要的光响应特性．     

新型聚多巴胺纳米颗粒光热蒸发性能评价

聚多巴胺具有与黑色素相似的吸光性能,是一种被广泛关注的高分子近红外吸收材料,在光热转化方面有良好前景。但由于其本身聚合机理多样,内部结构复杂,目前对聚多巴胺功能性设计的研究较少。本文通过设计Fe³⁺和硅烷偶联剂与多巴胺反应,提高了聚多巴胺的吸光特性和亲水性;通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)等表征证明,成功合成了高吸光度亲水聚多巴胺纳米颗粒,吸光度达到90%。同时将合成的纳米颗粒真空抽滤,堆叠构建亲水输运通道。实验表明：在太阳光蒸发环境,一个太阳光强下,使用本文设计的光热膜进行纯水蒸发实验,纯水蒸发速率可以达到1.1 kg/(m²·h),光热转化效率为80%,比普通聚多巴胺提高15%,证明该材料有很好的光热转化性能,在海水淡化领域有着良好的应用前景。     

阵列波导光栅薄膜的制备及性能

以一种特定成分的有机硅为原料,采用溶胶-凝胶法,在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜.通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性,满足光波导器件的要求.分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法.利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅.     

等离子体处理对氧化铟锡(ITO)润湿性及性能参数的影响

在预处理室中对ITO薄膜进行等离子体处理,研究分别在氧气、氮气、氩气及空气四种工作气体下,等离子体处理压强和处理时间对薄膜的润湿性及性能参数的影响。接触角测试仪表征表明,等离子体处理时间越长、处理压强越大,静态H₂O接触角越小,其润湿性越高。分光光度计测试结果表明,经等离子体处理,ITO薄膜透过率较未处理均有所下降。四种工作气体下,等离子体处理压强越大对透过率的影响越小,但随着处理时间的增长影响会增大;相较其他工作气体,氧气等离子体处理整体变化最小。四点探针表征表明,处理后的ITO薄膜方块电阻无明显变化,这是由于等离子体处理只对ITO薄膜表面进行改性,没有改变内部性质。利用霍尔效应测量载流子浓度,没有发现明显变化,与方块电阻不变结论一致。     

MoS_2-LaF_3共溅膜潮湿贮存后的摩擦学性能

本文考察了 MoS_2-LaF_3共溅膜在潮湿空气中贮存后结构及摩擦学性能的变化。结果表明,少量稀土化合物使共溅膜组织更加致密,防止了底材腐蚀,稳定了薄膜结构,MoS_2-LaF_3共溅膜经潮湿贮存后仍具有长的耐磨寿命和稳定的摩擦系数。     

Current–voltage characteristics of AlCdO Schottky contact on the polished and unpolished p-type Si surfaces with and without light illumination

In this study, the current-voltage characteristics of the AlCdO/unpolished p-type Si and AlCdO/polished p-type Si Schottky diodes with and without light illumination were examined. It is found that the Schottky barrier height (the series resistance) of the AlCdO/unpolished p-type Si Schottky diode is higher (lower) than that of the AlCdO/polished p-type Si Schottky diode. The power conversion efficiency of the AlCdO/p-type Si devices in the light (AM 1.5 G, 100 mW/cm²) was improved by increasing built-in potential at the AlCdO/p-type Si interfaces and reducing the device series resistance and surface reflectivity. It is shown that the device surface roughness plays an essential role in improving the device performance.     

Flexible electronics: Prediction of substrate deformation during different steps of the lithography process

A numerical model was developed to simulate the micro-deformations of a polymeric substrate due to lithographic processing of different layers of a transistor-like structure. The results of the model were validated with the results from experiments. The model, a mechanical-thermal-hygroscopic model, takes into account the dimensional effects of temperature, moisture and stresses. It also includes the temperature dependent visco-elastic behaviour of the polymer substrate. The model can be used to predict overlay accuracies between different functional layers introduced by the lithographic process. It can also be used to understand the underlying processes such that it provides a tool to improve the overlay accuracy during actual processing.